【課題】ＤＬＣ膜の諸性質を、それぞれの用途における要求特性などに応じて、成膜後に改質し用途適正を向上させてなるＤＬＣ被覆部材とそれの有利な製造方法を提供する。
【解決手段】基材の表面に、膜厚３μｍ超の厚膜ＤＬＣを被覆してなる部材において、この部材表面における厚膜ＤＬＣを、水素が１３〜３０原子％で残部が炭素からなり、かつ共析金属微粒子を含む微粒子堆積層とし、この層の残留応力が１．０ＧＰａ以上、硬さ（Ｈｖ）が７００〜２８００の熱処理ＤＬＣの膜にて形成する。 （もっと読む）

【課題】ダイヤモンド膜の耐剥離性を高めた、金型等として用いられるダイヤモンド被覆部材を提供する。
【解決手段】鉄鋼材料からなる母材表面に、中間層を介して、０．５〜５μｍの膜厚のダイヤモンド膜が被覆形成されたダイヤモンド被覆部材であって、前記母材の表面は、Ｒａ：０．５〜３μｍで、かつ、Ｒｚ：５μｍ以下である表面粗さを有し、また、前記中間層は、Ｒｚ：５μｍ以下の表面粗さを有し、かつ、その熱膨張係数が、ダイヤモンド膜の熱膨張係数以上であって７．８×１０^−６／Ｋ以下であるＳｉＣ、ＡｌＮ、Ｓｉ_３Ｎ_４等の材質で構成される。 （もっと読む）

【課題】長期の使用に亘ってすぐれた耐欠損性と耐摩耗性を発揮するダイヤモンド被覆工具を提供する。
【解決手段】 炭化タングステン基超硬合金または炭窒化チタン基サーメットで構成された工具基体表面に、下部ダイヤモンド皮膜、中間ダイヤモンド皮膜および上部ダイヤモンド皮膜が被覆された全体膜厚が７．５〜３０μｍのダイヤモンド被覆工具であって、（ａ）下部ダイヤモンド皮膜は、５〜１５μｍの膜厚を有する８００ｎｍ以上２０００ｎｍ以下の平均粒径の粗結晶層、（ｂ）中間ダイヤモンド皮膜は、６５０〜１０００ｎｍの一層平均膜厚を有し４０ｎｍ以上１００ｎｍ未満の平均粒径の細粒結晶で構成された細結晶層と、５０〜３００ｎｍの一層平均膜厚を有する含非晶質炭素で構成された非晶質層との交互積層、（ｃ）上部ダイヤモンド皮膜は、１００ｎｍ以上８００ｎｍ以下の平均粒径の粗結晶層からなる。 （もっと読む）

【課題】ＣＦＲＰあるいはＡｌ合金等の高速切削加工において、すぐれた耐欠損性、耐溶着性を示し、長期の使用に亘ってすぐれた切削性能を発揮するダイヤモンド被覆工具を提供する。
【解決手段】ＷＣ基超硬合金またはＴｉＣＮ基サーメットで構成された工具基体表面に、第１単位層と第２単位層との交互積層からなるダイヤモンド皮膜を被覆したダイヤモンド被覆工具において、第１単位層は、（１１１）面結晶配向性の高いダイヤモンド薄層Ａと含非晶質炭素層Ｃとの交互積層構造として構成され、また、第２単位層は、（１００）面結晶配向性の高いダイヤモンド薄層Ｂと含非晶質炭素層Ｃとのの交互積層構造として構成されているダイヤモンド被覆工具。 （もっと読む）

【課題】難削材の高速切削加工において、すぐれた耐剥離性、耐摩耗性を発揮するダイヤモンド被覆工具を提供する。
【解決手段】 ＷＣ基超硬合金からなる基体表面に、結晶性が相異なるＡ層とＢ層の２種のダイヤモンド膜が交互積層されたダイヤモンド被覆工具であって、ラマン分光分析による１３３３±５ｃｍ−１のピーク最大値Ｉ_１と、１４００〜１６００ｃｍ−１のピーク最大値Ｉ_２の比の値は、Ａ層では０．７＜Ｉ_２／Ｉ_１＜０．９、また、Ｂ層ではＩ_２／Ｉ_１＜０．６であり、さらに、基体側においては、Ａ層の合計層厚ＬａとＢ層の合計層厚Ｌｂは、０．６≦Ｌａ／（Ｌａ＋Ｌｂ）、また、ダイヤモンド被覆表面側におけるそれは０．６≦Ｌｂ／（Ｌａ＋Ｌｂ）を満足し、さらに、場合により、ダイヤモンド被覆表面側のＢ層は、（１１０）または（１１１）に配向性を有する。 （もっと読む）

【課題】耐熱性及び耐摩耗性に優れた金型を実現できるようにする。
【解決手段】金型は、金型本体と、金型本体を覆い且つ硅素を含むダイヤモンド様薄膜とを備えている。耐熱性のダイヤモンド様薄膜は、基材の表面に形成され、硅素を含み、基材との界面における硅素濃度が、表面における硅素濃度よりも高く、基材との界面と表面との間における硅素濃度の変化が連続的である。 （もっと読む）

【課題】長期の使用に亘ってすぐれた耐欠損性と耐摩耗性を発揮するダイヤモンド被覆工具を提供する。
【解決手段】ＷＣ基超硬合金またはＴｉＣＮ基サーメットで構成された工具基体表面に、粗粒結晶層と非晶質層の交互積層からなる膜厚１．５〜３０μｍの下部ダイヤモンド皮膜と、細粒結晶層と非晶質層の交互積層からなる膜厚１．５〜１０μｍの上部ダイヤモンド皮膜が被覆されたダイヤモンド被覆工具であって、下部ダイヤモンド皮膜上方側の粗粒結晶層の膜厚は、下部ダイヤモンド皮膜下方側の粗粒結晶層の膜厚より薄膜として形成され、また、上部ダイヤモンド皮膜表面側の細粒結晶層の膜厚は、上部ダイヤモンド皮膜下方側の細粒結晶層の膜厚より薄膜として形成されてなるダイヤモンド被覆工具。 （もっと読む）

【課題】低摩擦摺動材料用の潤滑油として用いた際に極めて低い摩擦係数を示す潤滑油組成物を提供すること、及び該潤滑油組成物を用いて、特定の低摩擦摺動材料の皮膜を摺動面に有する摺動部材とを組み合わせることにより、低摩擦性に優れた摺動機構を提供すること。
【解決手段】特定のリン−亜鉛含有化合物、および特定の硫黄含有化合物から選ばれる添加剤を配合してなる低摩擦摺動材料に用いられる潤滑油組成物、及び相互に摺動する２つの摺動部材の摺動面に、前記潤滑油組成物を介在させた摺動機構であって、２つの摺動部材のうち少なくとも一方の摺動面が、水素を５〜５０ａｔｏｍ％含有するＤＬＣ皮膜が形成されている摺動機構である。 （もっと読む）

【課題】被処理物の表面の一部を占める被処理領域を選択的に窒化するプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置は、被処理物の表面の一部を占める被処理領域を選択的に窒化する。接地電極には接地電位が与えられ、接地電極と対向電極との間には接地電極の電位より対向電極の電位が高くなる直流パルス電圧が繰り返し印加される。被処理領域には、面積が１０ｃｍ²以下であって導電体が露出する対向電極の対向面が対向させられる。チャンバの内部の空間には、窒素ガスを含有する処理ガスが供給され、当該空間の雰囲気は、圧力が５０Ｔｏｒｒ以上常圧以下となり窒素ガスの分圧が全圧の５０％以下となる状態に調整される。 （もっと読む）

【課題】大面積で結晶性の良い単結晶ダイヤモンドを成長させることができ、高品質の単結晶ダイヤモンド基板を安価に製造できる単結晶ダイヤモンド成長用基材及びその製造方法を提供する。
【解決手段】単結晶ＳｉＣ基板１１の単結晶ダイヤモンドを成長させる側にヘテロエピタキシャル成長させたイリジウム膜又はロジウム膜１２を有する単結晶ダイヤモンド成長用基材１０であって、イリジウム膜又はロジウム膜１２は、単結晶ダイヤモンド成長時に良好なバッファ層として機能する。単結晶ＳｉＣ基板１１とイリジウム膜又はロジウム膜１２の間に、ヘテロエピタキシャル成長させたＭｇＯ膜１３をさらに有する単結晶ダイヤモンド成長用基材１０’であってもよい。基材１０’がＭｇＯ膜１３を有することで、その上のイリジウム膜又はロジウム膜１２の結晶性をより良く形成でき、また、成長させた単結晶ダイヤモンドを分離させる場合に良好な分離層として利用できる。 （もっと読む）