【課題】測定機器の基準値の補正量を外部で確認することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】制御部１２０の出力部１２２は、ＭＦＣ８４及び圧力センサ１１２にＯＮ／ＯＦＦ信号を出力する。ＭＦＣ８４及び圧力センサ１１２は、例えば、出力部１２２からＯＮ信号を入力した場合に、それぞれが備える基準値補正機能による基準値補正を実行し、出力部１２２からＯＦＦ信号を入力した場合に、基準値補正機能による基準値補正を解除する。制御部１２０の算出部１２８は基準値補正前後の出力電圧から補正量を算出し、制御部１２０はこの補正量を表示部１３２に表示させる。 （もっと読む）

プラズマ処理チャンバ内の温度を、短いコントローラ応答時間及び高い安定性で制御する方法及びシステムが提供される。温度制御は、処理チャンバへのプラズマ電力入力から導かれたフィードフォワード制御信号に少なくとも部分的に基づく。フィードフォワード制御信号は、プラズマ電力に起因する温度の擾乱を補償するものであり、計測温度と所望の温度との間の誤差を打ち消すフィードバック制御信号と組み合せることができる。 （もっと読む）

【課題】基板処理を行って基板の処理品質を調べることなく、プラズマが適正状態になっているかどうかを直接的に調べることが可能なプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】基板を収容する処理室４６と、処理室内に反応ガスを供給する反応ガス供給機構と、反応ガスに電子ビーム２４を照射して反応ガスプラズマを発生させる電子ビーム照射機構と、処理室内に配置され、反応ガスプラズマのプラズマ密度を電子ビームの照射方向に沿った所定の箇所で測定するプラズマ密度測定機構５０と、を備えるプラズマ処理装置とする。 （もっと読む）

【課題】プラズマＡＬＤにより複数の被処理体に一括して成膜を行う際に膜中のＮａ濃度を安定して低くすることができる縦型成膜装置およびその使用方法を提供すること。
【解決手段】縦型成膜装置の使用方法は、第１の処理ガスおよび第２の処理ガスにより少なくとも処理容器の内壁をコーティングする工程と、第１の処理ガスおよび第２の処理ガスにより被処理体に膜を形成する成膜工程とを有する。コーティング工程は、処理容器内の温度を成膜の際の第１の温度よりも高い第２の温度に設定し、処理容器に対し、第１の処理ガスの導入と、第２の処理ガスの導入とをいずれもプラズマ化せずに交互的に行ってコーティングを行う。 （もっと読む）

【課題】材料ガスの濃度をある設定濃度で一定に保っている際において、材料ガスの分圧が非常に低くなり、バルブの可動範囲内では材料ガスの分圧に対応した全圧を達成することができず、材料ガスの濃度を設定濃度で一定に保てなくなるような状況が生じることを防ぐことができる材料ガス濃度制御システムを提供する。
【解決手段】材料気化システム１００に用いられるものであって、前記導出管１２上に設けられる第１バルブ２３と、前記混合ガスにおける前記材料ガスの濃度を測定する濃度測定部ＣＳと、前記濃度測定部ＣＳで測定された前記材料ガスの測定濃度が、予め定められた設定濃度となるように前記第１バルブ２３の開度を制御する濃度制御部ＣＣと、前記タンク内の温度を設定温度となるように温調する温調器４１と、前記温調器の設定温度を設定する温度設定部４２とを備えた。 （もっと読む）

【課題】シリコンエピタキシャルウェーハに含まれる重金属不純物の定性・定量分析を高感度に行うことができる不純物評価方法を提供する。
【解決手段】原料ガスを供給しながらシリコン単結晶基板上にシリコン単結晶薄膜を水素雰囲気中で気相成長させる成膜工程と、該成膜工程により前記シリコン単結晶薄膜が形成されたシリコンエピタキシャルウェーハを、前記シリコン単結晶薄膜中に存在する評価対象不純物の濃度の規格値又は工程平均値と前記評価対象不純物の固溶限界濃度が一致する温度を算出し、該算出温度の少なくとも上下５０℃の温度範囲において、前記シリコンエピタキシャルウェーハの成膜後の冷却速度を２０℃／ｓｅｃ以上として冷却する冷却工程と、前記シリコン単結晶薄膜の表層を化学分析して、前記評価対象不純物の濃度を測定する評価工程とを行うシリコンエピタキシャルウェーハの不純物評価方法。 （もっと読む）

【課題】基板の処理面積を大きくでき、かつメンテナンスを簡素化するとともに、処理された基板の品質を高くすることができる真空処理装置を提供する。
【解決手段】基板Ｂを支持可能に構成した接地電極１０，３１と、接地電極１０，３１に支持される基板Ｂに対向して設けられる放電電極１１，３２とを備え、真空状態の接地電極１０，３１と放電電極１１，３２との間で基板Ｂを処理するように構成された真空処理装置１において、接地電極１０，３１および放電電極１１，３２の電極対の一方１０，３２が、電極対同士の対向領域より大きく形成され、基板処理の際に互いに接近する電極対の電極間距離Ｄを一定に保つ少なくとも１つの電極間距離保持手段１８が、対向領域１２，３３より外側で電極対の一方１１，３２と当接することによって、電極間距離Ｄを定めるように構成されている、真空処理装置１。 （もっと読む）

【課題】半導体製造プロセスにおけるガスの流量制御は、マスフローコントローラによって行われている。ここで使用される流量調整バルブは、流量を調整することに重点が置かれているため、閉鎖時にも微小ながらガスが流出する。このため、流量調整バルブの出力側に閉鎖特性の良好な開閉バルブが挿入されている。しかし、流量調整バルブと開閉バルブ間の流路系には、一定の容量を有するため、流量調整バルブが閉鎖されている間に、この流路系の圧力が流量調整バルブのリークを介して、上昇するという問題がある。このような出力側バルブ間空間の圧力上昇は、次に、開閉バルブが開いたときに、ガス被供給系への余剰のガス供給の原因となる。
【解決手段】本願発明は、マスフローコントローラのガス排出側の流量制御バルブと開閉バルブ間の圧力を計測することで、流量制御バルブの閉鎖時のリークガス流量を検知する半導体装置の製造方法である。 （もっと読む）

真空堆積室の様なプロセス工具の少なくとも２つの帯域へ流れるガス又は蒸気の圧力を制御する方法及び制御するための多帯域圧力制御装置システムである。本システムは、プロセス工具の対応する帯域へガス又は蒸気の流れを提供するように構成及び配列されている少なくとも２つの流路であって、それぞれの流路が、各々の流路のガス又は蒸気の圧力を制御するように構成及び配列されている圧力制御装置と、流路からのガス又は蒸気の漏れ速度を提供するように構成されている漏らしオリフィス又はノズルとを含んでいる、流路と、室の真の漏れ速度を確定することができるように、プロセス工具のそれぞれの帯域への真の流れについての情報を確定するように構成及び配列されている制御装置と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】基板保持手段に保持された基板の処理が終了し、他の基板保持手段に搬送される基板を待つ時間に消費される電力を少なくすることができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１は、基板を収納する基板収納手段と、基板を保持する複数の基板保持手段１３と、前記基板収納手段から前記基板保持手段１３に基板を搬送する基板移載手段１５と、前記基板保持手段１３に保持された基板を処理する処理手段１１と、電源の切り替えによって前記処理手段１１の温度を制御する制御手段５２とを備え、前記処理手段１１によって前記基板保持手段１３に保持された基板の処理が終了し、前記基板移載手段１５によって他の前記基板保持手段１３に搬送される基板がない場合、前記制御手段５２は、前記基板移載手段１５によって他の前記基板保持手段１３に搬送される基板があるまで、電源を切っておく。 （もっと読む）