【課題】動作回数を重ねても、機構部の軸動作のズレが累積することを抑制できる基板処理技術を提供する。
【解決手段】基板処理レシピ記憶部と、当該基板処理装置を構成する機構部の原点出しを行うイニシャルレシピ記憶部と、イニシャル処理を行う基準回数を記憶するイニシャル基準記憶部と、実行済みの基板処理回数記憶部と、基板処理レシピを実行する基板処理実行部と、イニシャルレシピを実行するイニシャル処理実行部と、基板処理回数を更新する処理回数更新部と、基板処理回数記憶部に記憶した基板処理回数が、イニシャル基準記憶部に記憶した基準回数に達したか否かを判定する処理終了判定部と、イニシャル処理可能状態であるか否かを判定するイニシャル可否判定部とを備え、基板処理回数が前記基準回数に達すると当該基板処理装置における新たな基板処理開始を保留し、イニシャル処理可能状態になるとイニシャルレシピを実行するよう基板処理装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】面内膜厚の均一性を向上する基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板載置部に載置した基板を処理する処理室と、処理用ガスを前記処理室に供給するガス供給部と、前記処理室内に光を照射するランプと温度検出部と温度検出部信号線と該温度検出部信号線を支持する支持部とを収納するランプ収納部と、前記ランプ収納部と前記処理室を隔離する光透過窓と、前記処理室内の雰囲気を排気するガス排気部とを備え、前記温度検出部と前記光透過窓との間の距離が、前記支持部と前記光透過窓との間の距離よりも短いように半導体製造装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】測定対象物上に薄膜が形成されている場合でも、測定対象物の温度を従来に比べて正確に測定できる温度測定方法を提供する。
【解決手段】光源からの光を、基板上に薄膜が形成された測定対象物の測定ポイントまで伝送する工程と、基板の表面での反射光による第１の干渉波と、基板と薄膜との界面及び薄膜の裏面での反射光による第２の干渉波を測定する工程と、第１の干渉波から第２の干渉波までの光路長を算出する工程と、第２の干渉波の強度に基づいて、薄膜の膜厚を算出する工程と、算出した薄膜の膜厚に基づいて、基板の光路長と算出した光路長との光路差を算出する工程と、算出した光路差に基づいて算出した第１の干渉波から第２の干渉波までの光路長を補正する工程と、補正された光路長から測定ポイントにおける測定対象物の温度を算出する工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】基板の温度をより正確に測定可能な気相成長装置を提供する。
【解決手段】基板１に対して気相成長処理を行なう気相成長装置１００は、所定の測定位置３０を挟んで相互に対向するように配置された放射温度計２および構成部材４を備え、放射温度計２は、基板１が測定位置３０に位置している状態において、構成部材４から基板１を透過して放射温度計２に到達する第１赤外線エネルギーを検出し、基板１が測定位置３０に位置していない状態において、構成部材４から放射温度計２に直接到達する第２赤外線エネルギーを検出し、第１赤外線エネルギーおよび第２赤外線エネルギーに基づいて基板１の温度を算出する。 （もっと読む）

【課題】反応律速領域で成膜反応を起こさせることによって，アスペクト比が大きなコンタクトホールであっても，より薄くてカバレッジの良好なチタン膜を成膜し，コンタクトホールの抵抗を低減する。
【解決手段】 基板Ｗを載置するサセプタ１１２と，処理ガスを処理室１１１内に供給するシャワーヘッド１２０と，プラズマを生成するための高周波を所定のパワーでシャワーヘッドに供給する高周波電源１４３と，処理室内を排気して所定の圧力に減圧する排気装置１５２と，チタン膜の成膜処理に適用しようとする成膜ガスの流量が，成膜処理の反応律速領域に入るように，還元ガスの流量，処理室内の圧力，高周波パワーのいずれかを変えることによって，前記反応律速領域を制御する制御部１９０とを設けた。 （もっと読む）

【課題】従来に比べて精度よく処理対象物の温度を制御することができる温度制御システムを提供すること。
【解決手段】上面に処理対象物を載置可能とし、内部に温調媒体の流路が形成されたサセプタと、サセプタの上面に載置された処理対象物の温度を測定する温度測定手段と、流路を流れる温調媒体を温調する第１の温調手段と、サセプタと第１の温調手段との間に介在し、温度測定手段による測定結果に基づいて、温調媒体を温調する第２の温調手段と、を備える。 （もっと読む）

【課題】装置パラメータの設定に係る信頼性の低下を解決し、安全に調整でき、又保守作業から通常運用に容易に且つ確実に移行できる装置パラメータを設定可能な基板処理装置を提供する。
【解決手段】装置パラメータの編集を行う為の表示部７３と、前記装置パラメータを保存する記憶部７５とを有する操作部２８と、該操作部からダウンロードされる前記装置パラメータを実行する制御部３１，３２，３３とを具備し、前記装置パラメータは調整作業や故障の修理や定期的な保守作業時のセットアップモード時に使用されるセットアップパラメータと、通常運用時の運用モード時に使用される運用パラメータとを有し、前記セットアップパラメータが編集された場合でも前記運用パラメータが影響を受けない様構成された。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、膜厚分布の偏りを解消し、均一な膜厚のエピタキシャル膜を形成させることができるエピタキシャルウェーハの製造方法及びエピタキシャル成長装置を提供する。
【解決手段】 基板載置台と該基板載置台に載置された基板とを回転させ、前記基板の主面上に原料ガスを流通させることにより、前記基板主面上にエピタキシャル膜を形成させるエピタキシャルウェーハの製造方法において、前記基板載置台の回転方向の位置に応じて、膜厚制御パラメータを変化させて前記エピタキシャル膜を形成させることを特徴とするエピタキシャルウェーハの製造方法。 （もっと読む）

【課題】基材の表面近傍をごく短時間だけ均一に高温熱処理するに際して、あるいは、反応ガスによるプラズマまたはプラズマと反応ガス流を同時に基材へ照射して基材を低温プラズマ処理するに際して、基材の所望の被処理領域全体を短時間で処理することができ、かつ、再現性に優れたプラズマ処理装置及び方法を提供することを目的としている。
【解決手段】プラズマトーチユニットＴにおいて、螺旋形の導体棒３が石英管４の内部に配置され、その周囲に真鍮ブロック５が配置されている。筒状チャンバ内にガスを供給しつつ、導体棒３に高周波電力を供給して、筒状チャンバ内にプラズマを発生させ、基材２に照射する。真鍮ブロック５は開口部１２を先端として先細形状に構成され、放射光の光軸４３が真鍮ブロック５によって遮られない位置に、基材２の表面温度を測定するための放射温度計受光部４２が配置されている。 （もっと読む）

【課題】 基板が処理室内に搬入される前にヒータの断線を検知し、ヒータの断線を検知したら基板処理工程を開始することを防止する。
【解決手段】 基板処理装置の各部の搬送動作を制御する搬送制御部と、基板処理装置の各部の処理動作を制御する処理制御部と、搬送制御部及び処理制御部を制御する主制御部と、を備え、主制御部は、所定のエラー処理を実施するエラー処理部を備え、処理制御部は、待機状態からレシピを実行可能な状態へ遷移させる指示を搬送制御部から受けると、断線検知処理を実施し、断線検知処理の結果、断線エラーを受信しなかったら、レシピを実行可能な状態へ移行し、レシピの実行指示を待ち、断線エラーを受信したら、レシピを実行可能な状態へ移行することなく、主制御部へ断線エラーを通知してエラー処理を実施させる。 （もっと読む）