【課題】モニタデータの処理に伴う管理装置の内部の負荷を低減する。
【解決手段】基板処理システムが備える管理装置は、モニタデータを基板処理装置から収集する収集手段と、モニタデータを一時的に格納する複数の一時格納手段と、モニタデータを蓄積する蓄積手段と、一時格納手段を監視する監視手段と、を備え、監視手段は、モニタデータの格納に伴う一時格納手段の負荷を監視し、一時格納手段の負荷が所定の閾値より高い状態を検出すると、負荷の低い他の一時格納手段をモニタデータの格納先に指定する。 （もっと読む）

【課題】平行平板型のプラズマ処理装置において、上部電極４０を温度調整機構４７により設定温度に調整しながらプラズマ処理を行うにあたり、処理の環境雰囲気が変わることに起因する基板間の処理の均一性の低下を抑えること。
【解決手段】プラズマ処理を行うための処理レシピが格納されたレシピ格納部５６と、新たな第２の電極の使用を開始した後におけるプラズマ処理の積算時間または基板の処理枚数と、第２の電極の設定温度の補正値と、を入力画面で設定する補正値設定部５４と、補正された設定値を記憶する記憶部５５と、処理レシピに書き込まれている上部電極４０の設定温度を前記記憶部５５内の補正値と加算し、補正後の設定温度に基づいて温度調整機構４７を制御するプログラムとを備えるようにする。 （もっと読む）

【課題】製品の歩留まりを向上させることができる半導体装置の製造方法、製造システムおよび調整装置を提供すること。
【解決手段】実施形態にかかる半導体装置の製造方法は、成膜工程と、加工工程と、イオン注入工程と、アニール工程と、調整工程とを含む。成膜工程では、基板上に半導体の薄膜を成膜する。加工工程では、薄膜を所定の形状に加工する。イオン注入工程では、所定の形状に加工された薄膜に対してイオン注入処理を行う。アニール工程では、イオン注入処理が行われた薄膜をアニール処理して抵抗素子を生成する。調整工程では、成膜工程における薄膜の成膜条件および成膜結果と加工工程における薄膜の加工結果とのうち、少なくともいずれか１つに基づき、イオン注入工程におけるイオン注入処理の処理条件およびアニール工程におけるアニール処理の処理条件の双方または一方を調整する。 （もっと読む）

【課題】
電極の開口部にプラズマを形成するプラズマ処理において、開口部のプラズマの正確な発光スペクトルが測定可能なプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】
内部を減圧に保持する真空排気装置を備えた真空容器内に、カソード電極と、該カソード電極に対向して配置された被成膜基板と、前記基板を保持する基板保持機構とを備え、前記カソード電極は前記被成膜基板側に開口したプラズマ保持部を持ち、該プラズマ保持部は前記被処理基板側の空間から気体を排気する排気機構を有しているプラズマ処理装置であって、前記カソード電極側面から少なくとも1つの前記プラズマ保持部を見通せる覗き孔と、該覗き孔からプラズマ光を集光するためのレンズと、集光した光を取り出す光ファイバと、取り出した光を分光して解析する分光器ユニットを備えたプラズマ処理装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】波長分解能を上げ、測定可能な被検体の範囲を広げた測定装置とプラズマ処理装置の提供。
【解決手段】厚さＤのウエハＷの表面を反射した光とウエハＷの裏面を反射した光とを入射光として分光する回折格子１０４と、回折格子１０４により分光された光を受光し、受光した光のパワーを検出するフォトダイオードをアレイ状に複数設けたフォトダイオードアレイ１０８と、フォトダイオードアレイ１０８に取り付けられ、入力された電圧を力に変換する圧電素子２００と、を備え、フォトダイオードアレイ１０８は、圧電素子２００により変換された力によって前記アレイ方向の各フォトダイオードの幅ｄに対してｄ／ｍ（ｍは２以上の整数）の変位まで移動したとき、前記受光した光のパワーを検出する、ことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】形成されるシリコン酸化膜の誘電率、又は成膜レートを、成膜条件を変更することにより制御することができる基板処理装置や半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板を処理する処理室と、非シロキサン材料ガスを処理室内へ供給する材料ガス供給部と、酸素含有ガスを処理室内へ供給する酸素含有ガス供給部と、処理室内へ供給されたガスを励起する励起部と、制御部とを備え、材料ガス供給部及び酸素含有ガス供給部から処理室内へ、それぞれ非シロキサン材料ガスと酸素含有ガスを供給する際に、非シロキサン材料ガスと酸素含有ガスの合計流量に対する酸素含有ガスの流量比を、非シロキサン材料ガス分子中のシリコン原子と酸素含有ガス分子中の酸素原子の合計数に対する酸素含有ガス分子中の酸素原子の比が、０．３以上で０．８以下とするとともに、処理室内へ供給されたガスを励起するよう基板処理装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】結晶性の高い微結晶シリコン薄膜を安定して基板上に成膜することができる薄膜形成装置を提供する。
【解決手段】基板上に薄膜を形成する薄膜形成装置であって、成膜容器と、薄膜の原料であるシランガスを成膜容器に供給するシランガス供給部と、シランガスを希釈する希釈ガスを成膜容器に供給する希釈ガス供給部と、成膜容器の内部にプラズマを発生させるプラズマ発生部と、成膜容器の内部に配置されるシリコン基材と、シランガス供給部がシランガスを供給するタイミング、及び、希釈ガス供給部が希釈ガスを供給するタイミングを制御する制御部と、を備えることを特徴とする薄膜形成装置。 （もっと読む）

【課題】従来よりも高い精度でＳｉＨ_４ガスなどのガスの濃度を測定することができる薄膜形成装置を提供する。
【解決手段】基板上に薄膜を形成する薄膜形成装置であって、レーザ光照射窓を備える成膜容器と、薄膜の原料である原料ガスを成膜容器に供給する原料ガス供給部と、原料ガスに希ガスを添加する希ガス添加部と、成膜容器の内部にプラズマを発生させるプラズマ発生部と、レーザ光照射窓から成膜容器の内部にレーザ光を照射するレーザ光照射部と、レーザ光照射部から照射されたレーザ光による、成膜容器の内部の空間の応答を検出する検出部と、検出部が検出した結果に基づいて、原料ガス供給部が供給する原料ガスの流量を制御する制御部と、を備えることを特徴とする薄膜形成装置。 （もっと読む）

【課題】クリーンルーム内でプロセス処理の結果判定や障害調査を確実に且つ迅速に行うことができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】マイクロ波発生機構と、ガス供給機構とを備えるプロセスモジュールと、ウェハ搬送機構を備えるフロントエンドモジュールとで構成された基板処理装置において、コントローラ１００は、基板を処理する際において発生される温度、ガス流量、圧力、周波数、ＲＦパワーを少なくとも一つ含む情報を収集する収集手段１０４と、収集した情報を演算する演算手段１０４と、収集した情報及び演算した結果の少なくとも一方を蓄積する蓄積手段１１２とを備える。 （もっと読む）

【課題】基板ホルダー材料の温度均一性向上のために、基板ホルダー用の基板ホルダー材料の加工方法を提供する。
【解決手段】半導体基板上に種々の半導体材料の層状蒸着を誘導加熱を用いて形成するために、その第１の側上に該半導体基板を載置する基板ホルダーの材料加工方法であって、前記方法は、前記基板ホルダー材料上の少なくとも１つの測定位置における第１の電気抵抗率を求めるステップと、前記第１の電気抵抗率を第２の基準電気抵抗率と比較するステップと、前記比較に対応させて前記基板ホルダー材料を修正するステップと、を備える。 （もっと読む）