【課題】成膜の際のウェーハとサセプタの貼り付きの有無を検出し、歩留り、スループットの向上が可能な気相成長方法及び気相成長装置を提供する。
【解決手段】反応室内にウェーハを導入して、支持部上に載置し、支持部の下部に設けられたヒータにより、ウェーハを加熱し、ウェーハを回転させ、ウェーハ上にプロセスガスを供給することにより、ウェーハ上に成膜し、ウェーハの周縁部における少なくとも円周方向の温度分布を検出し、検出された温度分布に基づき、ウェーハと支持部との貼り付きの有無を判断する。 （もっと読む）

【課題】ダミー処理を極力廃止することができる基板処理時間設定方法を提供する。
【解決手段】他の基板処理装置１１におけるプラズマ処理の終了予想時刻に基づいて、次ロットの当該基板処理装置１１への供給予想時刻が算出され、本ロットの全てのウエハのプラズマ処理の終了予想時刻が算出され、次ロットの供給予想時刻及び本ロットのプラズマ処理の終了予想時刻に基づいて、本ロットの全てのウエハのプラズマ処理の終了後に続く予想アイドル時間が算出され、予想アイドル時間がダミー処理必要アイドル時間以上である場合、本ロットの未処理の各ウエハのプラズマ処理の間に補助アイドル時間が追加されて設定される。 （もっと読む）

【課題】原料ガス中の酸素を効果的に除去することで、酸素濃度の少ないエピタキシャル膜を得ることができる気相成長装置を提供する。
【解決手段】気相成長装置１０は、原料ガスを供給する原料ガス供給部３と、原料ガス供給部と接続され、原料ガスを用いて基板に成膜するための反応室２と、酸素除去手段１とを有している。酸素除去手段１は、原料ガス供給部３と反応室２の少なくともいずれか一方に設けられ、固体電解質６を用いて原料ガスから酸素を除去する。 （もっと読む）

【課題】処理容器内にて基板が載置されると共に回転する回転テーブルを備えた熱処理装置において、回転中の回転テーブルにおける基板の温度分布を測定すること。
【解決手段】
処理容器内に設けられた回転テーブルの回転時に当該回転テーブルの一面側を、径方向に沿って繰り返し走査して複数のスポット領域の温度を測定する放射温度測定部と、前記回転テーブル上における放射温度測定部の走査領域に割り当てられたアドレスと放射温度測定部の温度測定値とを対応付けた温度データを記憶するための記憶部と、走査の周期及び回転テーブルの回転数に基づいて特定された各スポット領域のアドレスに温度測定値を書き込むためのデータ作成部と、前記記憶部に書き込まれた温度データに基づいて、基板の温度分布を含む回転テーブルの一面側の温度分布を表示する処理を行うデータ処理部と、を備えるように温度測定装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】短時間で、エピタキシャル成長された基板の非接触材料特性評価を行うことのできる装置を提供する。
【解決手段】非接触な材料特性評価を行うための装置は、複数の基板１２を保持するように適合されたウエハキャリア１０と、材料特性評価装置２０、例えば、フォトルミネッセンス分光法を実行するための装置とを備えている。本装置は、載置されている基板１２を含むウエハキャリア１０の少なくとも一部に非接触な材料特性評価を行うように適合されている。 （もっと読む）

【課題】処理容器内にて基板が載置されると共に回転する回転テーブルを備えた熱処理装置において、処理容器内の温度分布を推測する技術を提供すること。
【解決手段】回転テーブルの一面側を径方向に沿って繰り返し走査し、複数のスポット領域の温度を測定する放射温度測定部と、回転テーブル上における放射温度測定部の走査領域に割り当てられたアドレスと放射温度測定部の温度測定値とを対応付けた温度データを記憶する記憶部と、回転テーブルを静止させて温度が安定した後、回転テーブルを回転させる間に放射温度測定部により繰り返し回転テーブルの一面側を走査し、回転テーブルの静止時における処理容器内の温度分布を推測するために、回転テーブルの一面側の温度分布をデータ処理部に表示させる制御部と、を備えるように装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】 表面処理中のパーティクルを計測し、パーティクルの粒度分布、荷電状態を測定し、その発生源を特定することにより、重点的・効率的なメンテナンスが可能な方法及び装置を提供する。
【解決手段】 プラズマ６を用いた真空チャンバ１内に１個以上のパーティクル計測用基材４を配置し、前記パーティクル計測用基材４にプラズマ電位より高い電位、略同一の電位、低い電位のうち少なくとも１つの電圧を前記基材４に個別に印加して所定の表面処理を実施した後前記基材に付着した前記パーティクルの粒度分布を計測し、該計測結果から所定の算出式により前記パーティクルの粒度別帯電状態の分布を算出する。 （もっと読む）

【課題】振動子から発せられる電波の減衰を抑制することが可能な温度測定用基板を提供する。
【解決手段】被処理基板Ｗに対して熱処理を施す熱処理装置２に用いられる温度測定用基板５０において、基板本体６２と、圧電素子６８を有すると共に基板本体に設けられる振動子６４と、振動子に接続されると共に基板本体の周辺部側に設けられるアンテナ部６６とを備える。これにより、振動子から発せられる電波の減衰を抑制する。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャル層を成長させる際の高温状態で基板の載置位置の偏心量を高精度に簡便に評価でき、コストの増加を抑制できる偏心量の評価方法、及びこの評価方法で評価した偏心量に応じて基板の載置位置を補正することによって、膜厚均一性を向上できるエピタキシャルウェーハを製造することを目的とする。
【解決手段】基板にエピタキシャル層を成長させたエピタキシャルウェーハの製造における、サセプタに載置する前記基板の載置位置の偏心量の評価方法であって、基板を室温で複数の貫通孔を有するサセプタ上の載置位置に載置する工程と、エピタキシャル層を成長させる温度でエッチングガスを導入することによりサセプタ上に載置した基板の裏面にサセプタ貫通孔パターンを転写する工程と、基板の裏面に転写したサセプタ貫通孔パターンの位置を測定して、基板の載置位置の偏心量を評価する工程とを有することを特徴とする偏心量の評価方法。 （もっと読む）

【課題】 自己放電型の表面処理装置および表面処理方法において、自己バイアス電圧の変化に関係なく安定した表面処理を実現し、ひいては安定した表面処理結果を得る。
【解決手段】 本発明に係るプラズマＣＶＤ装置１０によれば、真空槽１０と被処理物としての各基板１８，１８，…とを一対の電極として、これらに放電用電力としての正弦波電力Ｗｐが供給される。このとき、各基板１８，１８，…の表面に負の直流電圧である自己バイアス電圧が現れる。併せて、真空槽１０を陽極とし、各基板１８，１８，…を陰極として、これらに直流電力Ｗａが供給される。これによって、各基板１８，１８，…には、自己バイアス電圧を含む直流電圧Ｖａが印加された状態となる。ゆえに、自己バイアス電圧が変化したとしても、この自己バイアス電圧を含む直流電圧Ｖａは一定であるので、安定した表面処理が実現され、ひいては安定した表面処理結果を得ることができる。 （もっと読む）