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国際特許分類[C23C18/12]の内容

国際特許分類[C23C18/12]に分類される特許

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シリコン、III族金属、IVA族金属、および/またはIVB族金属を含んで成る前駆体材料を、硬化、か焼、および/または熱分解することによって調製することができる、アモルファス(もしくは無定形)非ガラス質セラミック組成物。

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本発明は、鉄合金部材を硫化によって処理する方法に関する。その方法によれば、その部材は、電流を流すことなく所定濃度の苛性ソーダとチオ硫酸ナトリウムと硫化ナトリウムとを含む水溶液の収容槽に含浸され、前記水溶液は約5分から30分間かけて約100℃から140℃の間の温度にされる。 (もっと読む)


二酸化スズ含有触媒コーティングを有する電気化学的プロセスのための電極を、スズ(IV)ヒドロキシクロリドを含む前駆体溶液から出発して製造する。二酸化スズの堆積のプロセスは、高い収率及び改良された再現性を特徴とする。 (もっと読む)


【課題】用いる基板の結晶格子間隔や配向方向によらずに所望の結晶配向性を有する誘電体薄膜を得ることができ、かつ誘電体薄膜を一方向にほぼ完全に結晶配向させることが可能なゾル−ゲル法を用いた誘電体薄膜の形成方法を提供する。
【解決手段】金属化合物を含む誘電体前駆体溶液を基板上に塗布して誘電体前駆体層を形成する工程と、誘電体前駆体層を乾燥する工程と、誘電体前駆体層を焼成する工程とを有する、ゾル−ゲル法を用いた誘電体薄膜の形成方法において、前記誘電体前駆体層を乾燥する工程は、誘電体前駆体溶液に含まれる溶媒の沸点よりも高温で、かつ誘電体前駆体層の発熱反応が最大となる温度よりも低温で乾燥処理を行い、前記誘電体前駆体層を焼成する工程は、所定の速度で昇温させながら焼成を行う工程を含むことにより、一定方向への結晶配向性を有する誘電体薄膜を形成する。 (もっと読む)


【目的】 マグネシウム合金材の表面に、孔食や剥離を生じることなくNi−Pメッキ層等の如く耐食性,耐摩耗性,摺動性等の諸特性を有するメッキ層を容易に形成する。
【構成】 マグネシウム合金材2の表面2aにゾルゲル法によるゾルゲルコーティング処理を施して緻密なゾルゲル層5を形成し、しかる後に、前記ゾルゲル層5の表面5aにメッキ処理(例えば、Ni−Pメッキ処理)を施す。 (もっと読む)


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