【課題】めっき皮膜に良好な密着性及び導電性を備えさせることができる高分子繊維のめっき液並びにこれを用いた高分子繊維のめっき方法及びその製造方法を提供する。
【解決手段】高分子繊維のめっき液は、（１）導電性皮膜として形成される金属を含有する成分としてＣｕＳＯ_４・５Ｈ_２Ｏを所定量と、（２）キレート剤としてＥＤＴＡ−４Ｎａを所定量と、（３）ｐＨ調整剤としてＮａＯＨを所定量と、（４）還元剤としてＨＣＨＯを所定量と、（５）界面活性剤としてノニオン系界面活性剤又はポリエチレングリコールを所定量と、（６）分解抑制剤としてＫＣＮ、０−フェナントロリン、ネオクプロイン又は２，２−ビピリジルを所定量と、（７）添加剤としてＮｉＳＯ₄・６Ｈ_２Ｏ、ＣｏＳＯ_４・７Ｈ_２Ｏ、ＺｎＳＯ_４・７Ｈ_２Ｏ、ＳｎＳＯ_４、及び、Ｎａ_２Ｏ_３Ｓｎ・３Ｈ_２Ｏから選ばれるいずれか一種又は二種以上を所定量とからなる。 （もっと読む）

【課題】パターン外析出を抑制し、密着力を向上させることができる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体ウエハ１と、半導体ウエハ１上にパターンニングして形成され最表面に複数の凹部９が形成されたＡｌ−Ｓｉ金属層２と、Ａｌ−Ｓｉ金属層２上と半導体ウエハ１が露出した箇所上に形成された酸化膜１１と、Ａｌ−Ｓｉ金属層２上に酸化膜１１を介して各凹部９を埋め込むように形成されたＮｉめっき膜３およびＡｕめっき膜４とを備える。 （もっと読む）

【課題】めっき液に直接的に変化を与えることなく、リアルタイムで活性度を測定することができるめっき液の活性度測定装置及び方法を提供する。
【解決手段】めっき液１２０の活性度測定装置１００は、めっき対象体のめっきのためのめっき液を収容するめっき浴１１０;前記めっき液に含浸されて本体にめっきが行なわれて、印加された信号電圧によって前記めっき液及び前記本体の表面に流れる電流を測定する第1電極１３０;前記めっき液に含浸されて前記第1電極から電流を流入したり前記第1電極に電流を流出する第2電極１４０;前記第1電極に印加される前記信号電圧を一定に維持するように制御する第3電極１５０;前記第1電極で測定された電流からインピーダンス値を測定するインピーダンス測定部１６０;及び前記測定されたインピーダンス値の変化を時間によって表示する処理部１７０;を含むことができる。 （もっと読む）

【課題】比表面積の大きな立体形状を有するナノ金属構造体、より具体的には管状のナノ金属構造体を提供する。
【解決手段】内径が１０ｎｍ〜１０μｍである管状の金属ナノ構造体であって、内面にＡｕ、Ａｕを含有する合金、Ａｇ、Ａｇを含有する合金、Ｐｔ、Ｐｔを含有する合金、Ｎｉ、Ｎｉを含有する合金、Ｃｏ、Ｃｏを含有する合金、Ｆｅ、Ｆｅを含有する合金、Ｒｕ、Ｒｕを含有する合金、Ｐｄ、Ｐｄを含有する合金よりなる群から選択される１つを主成分とする粒子または薄膜を有することを特徴とする金属ナノ構造体である。 （もっと読む）

【課題】 触媒付与等の前処理工程や乾燥工程などが不要で、工程が少なく、導電性粒子を安価で生産性良く製造する方法を提供する。
【解決手段】 樹脂粒子と金属の前駆体と触媒成分と還元剤成分とを、超臨界または亜臨界流体中に共存させて処理することにより、前記樹脂粒子の表面に金属皮膜を形成することを特徴とする導電性粒子の製造方法であり、これにより、導電性粒子を安価で生産性良く製造することができる。 （もっと読む）

【課題】ｎ型半導体とｐ型半導体が混在する半導体ウエハ上へ、ニッケル又はニッケル合金の無電解めっきを行うための前処理液ろ提供する。
【解決手段】該前処理液は過酸化水素水とアンモニア水及び／又は水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ）からなる水溶液である無電解めっきの前処理液で、ＦＥＴなどのソース、ドレイン電極など、ｎ型半導体とｐ型半導体が混在するトランジスタ電極を形成する際に、シリコン基板表面の不純物を効果的に除去するか又は低減して活性化させることができ、さらにこのようなシリコン基板がｎ型半導体とｐ型半導体が混在する場合に、この洗浄液による処理を行った後、後続の無電解Ｎｉ又はＮｉ合金めっきに適合でき、均一な無電解めっきを行うことができる。 （もっと読む）

【課題】ポリイミド基板とシード層との間の剥離強度が強い積層板を提供する。
【解決手段】ポリイミド基板２と、前記ポリイミド基板２両面を、アルカリ水溶液にて表面処理し、その後、その表面処理を行った部分に金属触媒を付与し、その後、前記金属触媒を還元させることによりことにより形成された、金属を含む表面処理層３と、前記表面処理層上に形成されたシード層４と、前記シード層上に形成された金属層５と
を有し、前記シード層４の膜厚が、７０ｎｍ以上１００ｎｍ以下であることを特徴とする積層板１とすることにより、ポリイミド基板２とシード層４との間の剥離強度を強くする事ができる。 （もっと読む）

【課題】ポリイミド基板と導電性膜層との間の剥離が防止された積層板を提供する。
【解決手段】ポリイミド基板２の表面をアルカリ性水溶液に接触させることによって、ポリイミド基板表面にアルカリ処理層を形成するアルカリ処理工程と、前記アルカリ処理層を、金属触媒を含む水溶液に接触させ、前記アルカリ処理層に金属触媒を付与する触媒付与工程と、前記金属触媒が付与された前記アルカリ処理層を、還元処理溶液に接触させ、前記アルカリ処理層に付与された金属触媒を還元することによって、表面処理層３を形成する還元工程と、前記表面処理層上にニッケルを含むシード層４を積層するシード層形成工程と、前記シード層を大気中にて熱処理を行なう熱処理工程と、前記熱処理されたシード層上に金属層６を積層する金属層形成工程と、からなる積層板の製造方法、とすることにより、ポリイミド基板２とシード層４との間の剥離強度を強くする事ができる。 （もっと読む）

【課題】精度の高い回路が要求される電子回路に好適に用いることのできる、金属めっき膜厚みが均一である金属積層板を提供する。
【解決手段】ポリエステルなどの樹脂からなる基材フィルムの少なくとも片面に、カチオン性のポリチオフェンとポリアニリンを含む導電性高分子（Ａ）とアルキレン基を有する水溶性化合物（Ｂ）とを構成成分として含む透明導電塗膜層が積層された導電性フィルムの該透明導電塗膜層上に、無電解めっき法により形成された金属めっき膜を設けた金属積層板。 （もっと読む）

【課題】錫めっき皮膜のウィスカーの発生を防止する熱処理時間をより短縮し、製品の生産性を向上させる方法を提供する。
【解決手段】可溶性錫塩と、錯化剤と、酸を含み、クロム、マンガン、鉄、アルミニウム、バナジウム、ジルコニウム、モリブデンを含有しない無電解錫めっき液であって、前記酸の少なくとも１成分として、リンゴ酸を５〜２００ｇ／Ｌ含有し、アルカンスルホン酸とアルカノールスルホン酸のアニオン部分が共存しないことを特徴とする無電解錫めっき液。及び前記無電解錫めっき液に少なくとも表面に銅を有する被めっき物を浸漬した後、温度１１０〜１３０℃で４５〜９０分熱処理を行い、得られる錫めっき皮膜中の純錫層の厚さを０．１００〜０．２５０μｍとすることを特徴とする銅上に形成された錫めっき皮膜を有するめっき物の製造方法。 （もっと読む）