【課題】 各種のメッキ浴において、水への溶解性と消泡性を両立できるとともに、メッキ液の管理を容易にする。
【解決手段】 Ｃ₂〜Ｃ₄アルキレンより選ばれたオキシアルキレン鎖を有し、当該オキシアルキレン鎖に３位の窒素原子を介してイミダゾール環が結合するとともに、イミダゾール環が末端に位置する新規のイミダゾール環結合型オキシアルキレン化合物を各種メッキ浴に使用すると、従来のノニオン性界面活性剤に比べて、末端へのイミダゾール環基の導入によって水溶性を良好に保持しながら、発泡性を顕著に低減できる。ノニオン界面活性剤の分子中にイミダゾール環基が存在する当該化合物を例えば銅メッキ浴に用いると、界面活性剤の作用とレベリング作用を兼備でき、メッキ液を簡便に管理できる。 （もっと読む）

【課題】高温用途材の表面に耐熱性や耐高温摩耗性に優れ溶射皮膜を形成するのに有効に用いられる耐熱合金溶射粉末材料を得ること。
【解決手段】０．５〜１０ｍａｓｓ％のＷ、２０ｍａｓｓ％以下のＣｒを含有し、残部がＮｉであるＮｉ−Ｗ−Ｃｒ耐熱合金、あるいはＮｉ−Ｗ−Ｃｒ−（Ｐおよび／Ｂ）合金からなり、かつ粒径が６〜７０μｍの大きさである高温用途材被覆用の耐熱合金溶射粉末材料とそれを製造する方法。 （もっと読む）

【課題】本発明は、スズ合金形成用メッキ液及びこれを利用するスズ合金皮膜の形成方法に関する。
【解決手段】本発明に係るスズ合金形成用メッキ液は、インジウム又は亜鉛を含む一つ以上の金属塩と、スズ塩と、当該金属塩の金属イオン及び当該スズ塩のスズイオンに電子を伝達して被メッキ物上にスズ合金皮膜を形成する水素化ホウ素化合物からなる群から選択される一つ以上の還元剤とを含む。 （もっと読む）

【課題】無電解ニッケル皮膜や銅素材などの各種の金属材料上に無電解パラジウムめっき又は無電解パラジウム合金めっきを行う際に、良好な析出性でカバーリング性に優れたパラジウム又はパラジウム合金めっき皮膜を形成するために有用な新規な前処理剤、及び該前処理剤を用いる無電解パラジウム又はパラジウム合金めっき法を提供する。
【解決手段】還元剤を有効成分として含有する水溶液からなる、無電解パラジウムめっき又は無電解パラジウム合金めっきの前処理用活性化液、及び
該活性化液を被処理物に接触させた後、水洗を行うことなく、無電解パラジウムめっき又は無電解パラジウム合金めっきを行うことを特徴とする無電解パラジウムめっき又は無電解パラジウム合金めっき方法。 （もっと読む）

【課題】耐ウィスカ性の錫系コーティング層を銅基板の表面に堆積させる方法を提供する。
【解決手段】本方法は、表面を有する銅基板からなる部材に、その基板表面に錫系コーティング層を施すのに有用であり、錫系コーティング層は、０．５〜１．５μｍの厚みを有し、銅−錫金属間化合物の生成を抑制し、その金属間化合物の生成抑制は、その物品を少なくとも７回の加熱・冷却サイクルに曝露した際、その各サイクルは、その物品を少なくとも２１７℃に加熱し、その後２０〜２８℃に冷却することからなり、その結果、少なくとも０．２５μｍ厚の銅のない錫コーティング層の領域が残存する。 （もっと読む）

【課題】プリント配線板の端子部分、他の電子部品の端子部分、或いは、その他の金属微細パターン付き樹脂基材などのめっき処理対象面に、無電解ニッケル−パラジウム−金めっきを行う際に、下地である樹脂表面の金属異常析出が抑えられ、めっき処理面の品質に優れる方法を提供する。さらに本発明は、めっき処理面の品質に優れためっき処理物、特に、インターポーザ、マザーボード、及び、それらを用いた半導体装置を提供する。
【解決手段】プリント配線板の端子部分などの被処理部分に金属微細パターン付き基材の無電解ニッケル−パラジウム−金めっきを行う方法であって、パラジウム触媒付与工程の後、無電解パラジウムめっき処理を行う前の任意の段階において、ｐＨ１０〜１４の溶液による処理およびプラズマ処理よりなる群から選ばれる少なくとも一つの表面処理を行う。 （もっと読む）

【課題】一次実装後に導電層が露出しにくく、高い接続信頼性を実現することが可能な導電性微粒子、該導電性微粒子を用いてなる異方性導電材料、及び、接続構造体を提供する。
【解決手段】基材微粒子の表面に、導電層、密着層、及び、錫又は錫と他の金属との合金からなる低融点金属層が順次積層されている導電性微粒子であって、前記密着層は、置換めっきによって形成されたものである導電性微粒子。 （もっと読む）

【課題】カバーレイフィルムやソルダーレジストと銅又は銅合金界面へのめっき液の浸入が少なく、また、はんだ濡れ性が良好であり、基材とはんだとの接合信頼性も良好なめっき被膜を形成する無電解錫又は錫合金めっき液の提供。
【解決手段】少なくとも錫塩、錯化剤、酸を含む無電解錫又は錫合金めっき液において、ベンゼン環に直接結合した一つ以上のヒドロキシル基を持つ化合物を含有し、且つポリアルキレングリコール化合物又はポリアルキレングリコールの末端の少なくとも一つ以上のヒドロキシル基をアルコキシ基で封鎖したポリアルキレングリコールエーテル化合物を含有することを特徴とする無電解錫又は錫合金めっき液。 （もっと読む）

【課題】配線間リーク電流の増加を抑制できる配線構造を備えた半導体装置およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体装置は、半導体基板１と、半導体基板１上に設けられ、シリコン、酸素、炭素および水素を含む、配線溝５が形成された絶縁膜３,４と、配線溝５内に設けられた金属配線８と、金属配線８の上面に選択的に形成されたメタルキャップ１０とを具備してなり、絶縁膜４は、その表面を含む第１の領域と、第１の領域下の第２の領域とを備えており、前記第１の領域の炭素濃度は前記表面から深くなるに従って減少し、前記第２の領域内の炭素濃度は、前記第１の領域との界面から一定距離の深さまでは深くなるに従って減少し、前記一定の距離減を越えると深くなるに従って増加し、前記表面における炭素濃度を超えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】処理工程を増加させることなく、銅の表面をエッチング等の粗化処理することなく平滑な状態に処理することができ、かつ銅と樹脂等の絶縁材との間の密着性を維持することができる銅表面の皮膜を提供する。
【解決手段】スズ化合物と、錯化剤と、銅化合物とを含有し、表面処理剤全体に対するスズ化合物の濃度が１０ｐｐｍ以上、１０，０００ｐｐｍ未満の範囲内であり、スズ化合物の濃度に対する銅化合物の濃度の比が０．２以上、２．０以下の範囲内である。 （もっと読む）