【課題】塩酸浴を用いたビスマスの電解採取において、陽極からの塩素ガス発生を伴わず、電着ビスマスが陰極から剥離落下しない板状の電着を可能とし、かつ、高電流密度で生産性を高める。
【解決手段】 ビスマスを含む塩酸溶液から電解採取によって金属ビスマスを製造する方法において、陽極と陰極の間を陽イオン交換膜で仕切り、硫酸溶液のアノライトと、ビスマスを含む塩酸溶液のカソライトをそれぞれ陽極室、陰極室に入れ、各溶液を定量で液循環させながら、回転式の陰極にビスマスを電着させるビスマスの電解採取方法。 （もっと読む）

【課題】 ガリウム中に含まれるゲルマニウムを、容易に、迅速に、効率良く、かつ安定的に除去でき、かつ低コストである、ガリウム中のゲルマニウム除去方法及びこれによって得たガリウム並びにゲルマニウム除去装置を提供する。
【解決手段】 電解液１１を入れる電解槽１２と、ガリウム中にゲルマニウムを含む原料液体１３を陽極１４とし該原料液体を収容する陽極室１５と、陰極１６とを備える。電解槽から取り出した電解液を陽極室底部から陽極室内に吹き込む電解液循環系２０を設ける。陽極と陰極とに電圧を印加して電気分解を行いながら、電解液循環系を動作させ、原料液体を攪拌することで、電解液へのゲルマニウムの溶解を促進させ、陽極室内の原料液体からゲルマニウムを除去する。 （もっと読む）

【課題】 外部から高電圧を印加しなくても、高効率に酸化還元反応を行うことができる酸化還元反応装置を提供する。
【解決手段】 高濃度ホウ素ドープダイヤモンドにより陽極となる半導体層２を形成する。次に、この半導体層２の一方の面上に、半導体層２と電気的に接続するように半導体層２よりも仕事関数が大きい低濃度ホウ素ドープダイヤモンドにより陰極となる半導体層３を形成して電極対１とする。このとき、半導体層２と半導体層３との仕事係数の差を０．０３乃至９ｅＶとする。そして、この電極対１を陽イオン及び陰イオンを含む溶液４中に浸漬する。 （もっと読む）

【課題】 透明導電膜等を形成するために使用されるＩＸＯ（酸化インジウム−酸化亜鉛の複合酸化物）スパッタリングターゲットスクラップ又はＩＸＯスパッタリングターゲットの製造時に発生する研磨粉等のＩＸＯスクラップ中の不純物、特に亜鉛を効率良く除去し、高純度のインジウムを回収する。
【解決手段】 ＩＸＯスパッタリングターゲット又は研磨粉等のＩＸＯスクラップからインジウムを回収する方法であって、ＩＸＯスクラップを粉砕しカーボン粉を混合する工程、この混合粉を還元炉に投入し加熱還元すると同時に亜鉛を蒸気として系外に排出する工程及び得られた粗インジウムを電解精製する工程からなることを特徴とするインジウムの回収方法。 （もっと読む）