【課題】昇華法による炭化ケイ素単結晶の成長方法において、種結晶成長表面と昇華用原料との距離を一定に保つために、昇華用原料粉体の表面を短時間で精度よく平坦化させることが可能な粉体表面平坦化治具を提供する。
【解決手段】円筒状の粉体を収容する反応容器２１の断面の円中心を通って上記反応容器の上部開口部の縁に懇架された懇架部２と、上記懇架部の中心部から上記反応容器の粉体側に伸びる回転軸４と、上記回転軸の懇架部側とは異なる側に設けられ、粉体表面に設置され、上記回転軸を軸に回転させることにより上記粉体表面の凸部を欠き取り上記粉体表面を平坦化する羽根部１０とを備える。 （もっと読む）

【課題】ガスガイド部に多結晶を付着させること無く、成長速度が大きく、且つ高品質な炭化珪素単結晶を得る方法を提供する。
【解決手段】単結晶を成長させる原料を坩堝内に収容し、当該坩堝周囲の断熱材の外側に高周波コイルを用いて当該原料を加熱昇華させて単結晶からなる種結晶上に供給し、この種結晶上に単結晶を成長させる単結晶成長方法において、当該種結晶３に対し所定の距離を離して開口部を有し原料側が種結晶３側より大径の円錐状のガスガイド部９を配し、坩堝体２の加熱用の高周波コイル７位置を加熱時の坩堝内の等温線がガスガイド部９の円錐状内壁との成す角が略直角になる位置に配置し、坩堝蓋部１上に配置される断熱材８は、坩堝蓋部１と所定の距離を有して配置される。 （もっと読む）

【課題】非晶質シリカ基板上に粒径４００ｎｍ以上の強誘電体薄膜を有する半導体基板とその製造方法を提供する。
【解決手段】非晶質シリカ基板上に厚さが炭素原子数１Ｅ１７／ｍ２以上、１Ｅ２２／ｍ２以下である炭素系の膜を有し、膜の上に粒径４００ｎｍ以上の大きさを持つＳｎ単結晶膜が蒸着されてなる半導体基板。および、非晶質シリカ基板上に厚さが炭素原子数で１Ｅ１７／ｍ２以上、１Ｅ２２／ｍ２以下である炭素又は炭化水素からなる炭素系の膜を形成し、膜のうえに、基板を２００℃以下に加熱しながらＳｎを蒸着して、粒径４００ｎｍ以上のＳｎ単結晶の膜を形成する半導体基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 昇華再結晶法による炭化珪素等の単結晶の成長において、簡易な構成で、単結晶の口径拡大と品質向上を両立できる単結晶の成長装置を得る。
【解決手段】 るつぼ８に収容した原料粉末７上方の空間を囲むように、テーパ状のガイド部材６を設けて、その下端を炭化珪素原料粉末７近傍のるつぼ８内壁に固定し、上端を蓋体１に固定した炭化珪素単結晶基板３の近傍に開口させて、原料の昇華ガスを炭化珪素単結晶基板３表面に誘導し、結晶成長を促進する。ガイド部材６の上端側端面および内外周面は、炭化珪素単結晶基板３、種結晶支持部２、蓋体１下面、るつぼ８内壁のいずれとも接触しておらず、昇華ガスの一部がこれらの隙間から外部へ流出することによって、成長する炭化珪素単結晶５がガイド部材６に接触して、応力を受けることが防止され、高品質な単結晶を大口径で得ることができる。 （もっと読む）

【課題】気相法を用いた単結晶の製造において、種結晶上に適切に単結晶を成長させる。
【解決手段】単結晶製造装置１０は、種結晶３と、単結晶６の原料５が収容される容器１と、種結晶３及び容器１が収容される炉２を構成する本体部２１、蓋体部２２及び保持部２３とを備え、気相法により単結晶６を製造する。容器１の開口部形成部Ａの少なくとも一部が、単結晶６の晶系と異なる晶系の材料で形成されている。 （もっと読む）

【課題】 昇華法により窒化物単結晶を製造する際に、得られる単結晶に欠陥が導入されないにようにして、その結果、良質で、大口径の単結晶を効率よく製造することのできる製造方法を提供する。
【解決手段】 加熱炉１内の原料９及び種結晶７を定常時の設定温度まで昇温させる過程で、加熱炉１内の原料の温度が定常時の設定温度に達するまでは、前記加熱炉１内の圧力を、この原料９の昇温温度における飽和蒸気圧よりも高い圧力として原料の昇華を抑制する。そして、原料９の温度が定常時の設定温度に達した後に、前記加熱炉１内の圧力を、この昇温過程における圧力よりも低い、原料を析出させるための圧力にする。 （もっと読む）

【課題】 効率的に単結晶を製造することができる半導体結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】 融点が２０００℃を超える材料からなる坩堝の内部に設置された台の一方の端面上に種結晶を設置し、種結晶の表面上に半導体結晶を成長させる半導体結晶の製造方法であって、台の側壁と坩堝の内壁との間には隙間が形成されており、種結晶が設置されている台の端面の温度を種結晶が設置されていない側の台の端部の温度よりも高くした状態で半導体結晶を成長させる半導体結晶の製造方法であることを特徴とする。 （もっと読む）

本発明は、非コングルエントな気相化を呈し、単結晶又は多結晶形態で存在可能な化合物本体を単結晶状態で形成する装置（１０）において、前記本体の多結晶供給源が形成される基板（４２）及び前記本体の単結晶種（４６）を有する少なくとも１個の第１室（２０）と、第２室（１４）とを備え、前記基板は前記２室の間に配置されることを特徴とし、前記基板に前記本体を多結晶の形態で堆積させることのできる前記第２室に、前記本体のガス状前躯体を供給する手段（３６）と、前記基板を前記種の温度より高く維持して、前記多結晶供給源を昇華させ、前記本体の種に単結晶形態で堆積させる加熱手段（２６）とを具備する装置に関する。
（もっと読む）

【目的】 成膜の終了した基板の温度を急速に冷却して基板処理時間の短縮化を図るとともに熱拡散により発生する加工形状の変化および添加不純物の濃度異常を低減化する。
【構成】 真空処理装置の成長室４に基板１を配置するとともに基板１に対向してヒータ２を設ける。ヒータ２はヒータ移動機構１３により上下に移動可能である。基板処理が終了した後、ヒータの電源を遮断するとともにヒータを基板１より遠ざけることにより入射する熱量を少なくして自身の熱放射による急速冷却を行い、熱拡散を抑える。 （もっと読む）

【構成】 酸化亜鉛を還元性雰囲気中、高温加熱域で加熱して昇華させ、ついで該還元性気体を高温加熱域よりも低温の基体に接触させて該気体上に透明酸化亜鉛を析出させる方法に於て、該基体を回転させる。
【効果】 簡単な装置と簡単な操作で、肉厚で比較的大きく、均質な透明酸化亜鉛の結晶体を高速度で製造することができる。また、高純度の透明酸化亜鉛が得られる一方、ドーピング剤を選ぶことによって所望の元素をドーピングすることもでき、任意に特性を変えることができる。 （もっと読む）