【課題】｛１１０｝ウェーハにおいて、１００ｎｍ以下のＬＰＤ測定可能とし、表面ラフネスの劣化を防止し、表面状態を判断可能とし、ウェーハの品質評価を可能とする。
【解決手段】シリコン単結晶の｛１１０｝面を傾けた面を主面とするシリコンウェーハにエピタキシャル層を成長させたエピタキシャルシリコンウェーハであって、
エピタキシャル層を成長させるシリコンウェーハは、前記｛１１０｝面を傾ける傾角度方位が、該｛１１０｝面に対して平行な＜１００＞方位から＜１１０＞方向に対して０〜４５°の範囲に設定されてなる。 （もっと読む）

【課題】｛１１０｝ウェーハにおいて、１００ｎｍ以下のＬＰＤ測定可能とし、表面ラフネスの劣化を防止し、表面状態を判断可能とし、ウェーハの品質評価を可能とする。
【解決手段】シリコン単結晶の｛１１０｝面を傾けた面を主面とするシリコンウェーハにエピタキシャル層を成長させたエピタキシャルシリコンウェーハであって、
エピタキシャル層を成長させるシリコンウェーハは、前記｛１１０｝面を傾ける傾角度方位が、該｛１１０｝面に対して平行な＜１００＞方位から＜１１０＞方向に対して０〜４５°の範囲に設定されてなる。 （もっと読む）

【課題】平坦度の向上と、LPD の検出サイズの縮小化を図ることができるエピタキシャルウェーハの製造方法等を提供する。
【解決手段】エピタキシャルウェーハの製造方法であって、シリコン単結晶ウェーハの主表面上にシリコンをエピタキシャル成長させる工程と、前記エピタキシャル成長工程と、前記ウェーハの主表面を特定の処理液で１００℃以下の温度で処理し、前記ウェーハの主表面上に付着したパーティクルを除去しつつ、所定膜厚の酸化膜を形成するウェーハ平坦化前処理工程と、前記主表面を鏡面研磨する表面研磨工程とを具えるエピタキシャルウェーハの製造方法である。 （もっと読む）

【課題】
半導体製造装置に於ける不純物の原子層成長及び原子層ドーピングに関して、原子レベルでの制御性を向上し、又高濃度ドーピングを可能とするものである。
【解決手段】
Ｓｉ_１−ｘＧｅ_ｘ（ｘ＝０〜１）表面を有する基板を処理室に搬入する工程と、少なくとも前記Ｓｉ_１−ｘＧｅ_ｘ（ｘ＝０〜１）表面に不純物がドーピングされたエピタキシャル膜を成長させる工程とを有し、該エピタキシャル膜を成長させる工程は、不純物の成長とエピタキシャル膜の成長工程とを交互に所要数繰返す工程を含み、前記ドーピングは、少なくとも所要の不純物を含むドーピングガスとキャリアガスとを前記処理室に供給する工程であり、前記成長工程は少なくとも、シリコンを含むガスを前記処理室に供給する工程である。
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【課題】ダイヤモンド等の単結晶の気相合成において利用できるオフ基板の製造に際して、製造コストを削減でき、且つ同一のオフ角を有する単結晶基板を簡単かつ大量に製造することが可能な方法を提供する。
【解決手段】気相合成法によるエピタキシャル成長が可能な材料であって、その表面が、エピタキシャル成長が可能な結晶面に対してオフ角を有する材料を基板として用い、基板のオフ角を有する表面にイオン注入を行って、基板の表面近傍に結晶構造の変質した層を形成し、気相合成法によって基板のオフ角を有する表面上に結晶成長を行い、次いで、成長した結晶層と基板とを分離させる。 （もっと読む）

【課題】ポリタイプの単一性に優れ、高い結晶品質を得ることができる半導体を容易に作成する。
【解決手段】 平滑面１０ａを研磨してスクラッチ傷を形成することにより、平滑面１０ａに多数の線状の凹部１０ｂ，１０ｂ，１０ｂ・・・を設ける。その後に近接昇華法により、ステップフロー成長を行う。凹部１０ｂ，１０ｂ，１０ｂ・・・の壁面が平滑面１０ａに対して切り立った角度で露出しているため、当該壁面を起点として原子を平滑面１０ａに沿った方向に吸着させることができる。すなわち、確実にステップフロー成長を行わせることができる。 （もっと読む）

電解槽（１２５）は電解液（１２３）を保持するための容器を備える。導電的にドーピングした単結晶ダイヤモンド陽極電極（１１０）は電解液（１２３）内に位置するように配置されている。導電性陰極電極（１２０）も同様に配置されている。電源（１３０）に接続するために、導体は電極に連結されている。電解液（１２３）が電極を通過して流れるように、容器に電解液入口（１５０）と電解液出口（１５５）が取り付けられている。一実施形態では、陽極電極（１１０）を陰極（１２０）電極の下流に配置し、酸素および／またはオゾンの生成によって水を含む電解液（１２３）が精製されるようになっている。
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基板ボディ（２）とこの基板ボディ（２）上に固定されている利用層（３１）とを備えた結合体基板（１）が提供される。利用層（３１）と基板ボディ（２）との間には平坦化層（４）が配置されている。さらには、準備された利用基板（３）上に平坦化層（４）が被着される、結合体基板（１）を製造する方法が提供される。利用基板（３）が結合体基板（１）のための基板ボディ（２）上に固定される。続いて利用基板（３）が除去され、結合体基板（１）のための利用基板（３）の利用層（３１）が基板ボディ（２）上に残される。
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【課題】炭化珪素単結晶基板上に高品質で欠陥の少ない炭化珪素単結晶薄膜を有するエピタキシャル炭化珪素単結晶基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】炭化珪素単結晶基板１上にエピタキシャル欠陥の発生を抑えるための炭化珪素単結晶薄膜２を成長させ、さらに該炭化珪素単結晶薄膜２の上に、デバイスが形成される層である炭化珪素単結晶薄膜３を成長させることによりエピタキシャル炭化珪素単結晶基板を製造する。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣ基板の製造方法及びＳｉＣ基板並びに半導体装置において、マイクロパイプだけでなく基底面内転位及び積層欠陥も低減すること。
【解決手段】マイクロパイプを有するＳｉＣ単結晶基板１上に、ＳｉＣエピタキシャル成長層２を化学的気相成長させるＳｉＣ基板の製造方法であって、ＳｉＣ単結晶基板１の表面近傍又はＳｉＣエピタキシャル成長層２の中間領域に、ブリスタリングが生じない条件で水素又は希ガス元素のイオン注入を行う工程を備えている。 （もっと読む）