【課題】Ａｌ系ＩＩＩ族窒化物単結晶自立基板を製造するためのベース基板として好適に使用できる、結晶レベルでの歪みが低減されており、クラックおよび反りの発生が抑制された自立基板製造用基板を提供する。
【解決手段】不活性ガス中１０００℃において分解しない無機物質であって、１０００℃以上１６００℃以下で還元性ガスと接触することにより分解して揮発性物質を生成する無機物質の単結晶からなるベース基板、ベース基板上に形成された、単結晶Ａｌ系ＩＩＩ族窒化物、または単結晶Ａｌ系ＩＩＩ族窒化物と非晶質Ａｌ系ＩＩＩ族窒化物との混合物からなる厚さ３ｎｍ以上２００ｎｍ以下のＡｌ系ＩＩＩ族窒化物薄膜層、Ａｌ系ＩＩＩ族窒化物薄膜層上に形成された、Ａｌ系ＩＩＩ族窒化物薄膜層の厚さの１００倍以上の厚さを備えたＩＩＩ族窒化物非単結晶層、を備えて構成される積層体とし、ベース基板とＡｌ系ＩＩＩ族窒化物薄膜層との界面に複数の空隙を設ける。 （もっと読む）

【課題】オフ角度の小さな炭化珪素単結晶基板上に、高品質で欠陥の少ない炭化珪素単結晶薄膜を有するエピタキシャル炭化珪素単結晶基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】オフ角度が4°以下の炭化珪素単結晶基板上に、三角形状の欠陥密度及び表面荒れの小さい炭化珪素単結晶薄膜を有するエピタキシャル炭化珪素単結晶基板、及び、その製造方法で、炭化珪素単結晶薄膜上の三角形状のエピタキシャル欠陥密度が3個/cm²以下、表面荒さのRa値が2.5nm以下であり、その炭化珪素単結晶薄膜は欠陥及び表面荒れを低減する層(欠陥低減層)とデバイスとして動作する層(活性層)を持ち、欠陥低減層をエピタキシャル成長する際の材料ガス中に含まれる、炭素と珪素の原子数比(C/Si比)は0.5以上1.0未満、活性層をエピタキシャル成長する際のC/Si比は1.0以上1.5以下で、各層の成長温度は1600℃以上1650℃以下である。 （もっと読む）

単結晶ＳｉＣ基板上のＳｉＣ層をエピタキシャル成長させるための方法が記載される。この方法は、チャンバ内において単結晶ＳｉＣ基板を少なくとも１４００℃の第１温度まで加熱する工程と、キャリアガス、シリコン含有ガス、及び、炭素含有ガスをチャンバに取り入れる工程と、及び、ＳｉＣ基板の表面上のＳｉＣ層をエピタキシャル成長させる工程とを備える。ＳｉＣ基板は少なくとも３０℃／分の速度で第１温度まで加熱される。ＳｉＣ基板の表面は、基板材料の底面に対して１°から３°の角度で傾斜している。 （もっと読む）

【課題】本発明は、基底面転位などの欠陥が著しく低減された炭化珪素結晶からなる半導体基板を製造することが可能な、半導体基板の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、炭化珪素単結晶基板を用い、上記炭化珪素単結晶基板の表面を水素エッチング処理する第１水素エッチング工程と、上記炭化珪素単結晶基板の上記第１水素エッチング工程において水素エッチング処理された表面上に、炭化珪素結晶をエピタキシャル成長させることにより、炭化珪素結晶からなるバッファ層を形成するバッファ層形成工程と、上記バッファ層の表面を水素エッチング処理する第２水素エッチング工程と、上記水素エッチング処理されたバッファ層の表面上に、炭化珪素結晶をエピタキシャル成長させることにより、炭化珪素結晶からなる仕上層を形成する仕上層形成工程と、を有することを特徴とする半導体基板の製造方法を提供することにより、上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】特性の向上を図ることが可能な基板、エピタキシャル層付基板および半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１は、{０００１}面の＜１−１００＞方向におけるオフ角度θが０°超え８°以下の六方晶系ＳｉＣ基板としての基板２と、基板２の表面に形成されたＳｉＣエピタキシャル成長層としての耐圧保持層２２およびｐ領域２３と、耐圧保持層２２およびｐ領域２３の表面に形成された絶縁膜としての酸化膜２６と、酸化膜２６の下の領域（ｐ領域２３の上層）と酸化膜２６との界面（ＭＯＳ界面）に流れる電子を供給するため、上記領域と隣接する位置に形成された導電領域としてのｎ^＋領域２４とを備える。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣ基板をサセプター上に載置し、気相成長する場合に、ＳｉＣ基板がサセプターに固着せず、剥がすときにＳｉＣ基板の損傷を防止することができるＳｉＣ基板を提供する。
【解決手段】本発明のＳｉＣ基板は、第５族元素の炭化物と、第６族元素の炭化物と、第１３族元素の窒化物とからなる群より選ばれる少なくとも１つを含む組成の薄膜を主面に有する気相成長用基板である。この薄膜は、ＴａＣ、ＮｂＣ、ＭｏＣ、ＷＣ、ＣｒＣ、ＧａＮ、ＡｌＮまたはＢＮを含む組成を有する態様が好ましい。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイス用の基板として好ましく用いられ得るように結晶を破壊することなく直接かつ確実に評価された結晶表面層を有する窒化物結晶基板、エピ層付窒化物結晶基板および半導体デバイスを提供する。
【解決手段】本窒化物結晶基板は、窒化物結晶の任意の特定結晶格子面のＸ線回折条件を満たしながら結晶の表面からのＸ線侵入深さを変化させるＸ線回折測定から得られる特定結晶格子面の面間隔において、０．３μｍのＸ線侵入深さにおける面間隔ｄ₁と５μｍのＸ線侵入深さにおける面間隔ｄ₂とから得られる｜ｄ₁−ｄ₂｜／ｄ₂の値で表される結晶の表面層の均一歪みが０．３×１０^-3以上２．１×１０^-3以下であることを特徴とする窒化物結晶で形成されており、直径が５０ｍｍである。 （もっと読む）

【課題】良好な結晶性を有する窒化物系結晶を再現良くエピタキシャル成長させることが可能な、III‐Ｖ族窒化物系半導体基板及びその製造方法、III‐Ｖ族窒化物系半導体デバイス、III‐Ｖ族窒化物系半導体基板のロットを提供する。
【解決手段】III‐Ｖ族窒化物系単結晶からなり、平坦な表面を有するIII‐Ｖ族窒化物系半導体基板であって、基板面内の任意の点における基板表面に最も近い低指数面の法線ベクトルを、基板表面に投影したベクトルが、基板面外の特定の点又は領域を向いている。例えば、ＧａＮ基板２１の基板表面に最も近い低指数面の法線ベクトルを、基板表面に投影したときにできるベクトルは、矢印２３で表わされているように、ＧａＮ基板２１の外部の収束中心領域２４に向かって収束するような分布となっている。 （もっと読む）

【課題】注入したイオンの拡散を抑制しつつ、効果的に効率的よく注入ダメージを除去することができるシリコンウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン単結晶からなる基板１上にイオン注入処理をおこなう注入工程と、塩化水素ガスを含む雰囲気で熱処理することにより、イオン注入された前記基板１上のイオン注入によるダメージをエッチング除去するダメージ除去工程とを備え、前記ダメージ除去工程におけるエッチング除去量が、前記基板１の深さ方向に対する注入されたイオンのガウス分布の最大濃度深さＲｐの５〜１２０％の厚みであるシリコンウェーハの製造方法とする。 （もっと読む）

【課題】複数枚のＩＩＩ族窒化物単結晶基板を形成することができ、かつ、結晶成長を繰り返してもＩＩＩ族窒化物単結晶基板を切り出すことができる領域が減少しないＩＩＩ族窒化物単結晶の製造方法、及びこの製造方法を用いて製造したＩＩＩ族窒化物単結晶からＩＩＩ族窒化物単結晶基板を製造する方法を提供する。
【解決手段】ＩＩＩ族窒化物単結晶の製造方法は、成長方向に垂直で第１の所定の面積を有する第１の結晶面１２、及び成長方向に傾斜して第２の所定の面積を有する第２の結晶面１３を有した種結晶を準備する種結晶準備工程と、成長条件を制御して、第１の所定の面積及び第２の所定の面積をそれぞれ所定の面積に維持しつつ、第１の結晶面１２及び第２の結晶面１３上にＩＩＩ族窒化物単結晶を成長させる結晶成長工程とを備える。 （もっと読む）