【課題】 これまでにない高品質な窒化物系化合物半導体結晶及び窒化物系化合物半導体基板を製造する方法を提供することにある。
【解決手段】 種結晶として、両面が研磨された窒化物系化合物半導体基板を用いて結晶成長を行うことにより、所定厚さの窒化物系化合物半導体結晶を製造する。これにより作製された窒化物系化合物半導体結晶をスライスすることで、窒化物系化合物半導体基板を得る。 （もっと読む）

【課題】 極めて転位密度の低い、これまでにない高品質なIII−Ｖ族窒化物系半導体結晶の製造方法を提供することにある。
【解決手段】 工程１として、第一の半導体結晶基板１を準備し、工程２として、前記第一の半導体結晶基板上に、第一の結晶軸方向に第一のIII−Ｖ族窒化物系半導体結晶２を第一の厚さまで成長させ、工程３として、前記第一のIII−Ｖ族窒化物系半導体結晶２を、その内部に存在する最も密度の高い貫通転位の伝播方向に対して平行な面３で切断し、工程４として、前記切断面上に第二のIII−Ｖ族窒化物系半導体結晶５を第二の厚さまで成長させ、前記第二のIII−Ｖ族窒化物系半導体結晶５を目的のIII−Ｖ族窒化物系半導体結晶とする。 （もっと読む）

【課題】 窒素極性を有する成長用の窒化アルミニウム結晶基板に存在する表面酸化層を適切に除去し、該基板上にHVPE法等の気相成長方法を用いて品質の良いアルミニウム系窒化物結晶をエピタキシャル成長させる
【解決手段】 窒化アルミニウム結晶基板のエッチング方法について鋭意検討した結果、窒化アルミニウム結晶基板の表面をアンモニア水溶液などの弱塩基性水溶液でエッチング処理して表面の酸化層を除去し、次いで該基板上にアルミニウム系窒化物結晶をエピタキシャル成長させることにより、下地基板の結晶性を引継いで成長層側のアルミニウム系窒化物結晶の品質が改善されることを見出した （もっと読む）

【課題】比較的安価な多結晶ＳｉＣ基板を母材基板として大型で結晶性の良い単結晶ＳｉＣ基板を安価に製造する。
【解決手段】下記の各工程を行い、多結晶ＳｉＣ基板６の表面に単結晶ＳｉＣ層７が形成された単結晶ＳｉＣ基板を形成する。（１）Ｓｉ母材層に表面Ｓｉ層と埋め込み酸化物層が形成されたＳＯＩ基板を炭化水素系ガス雰囲気中で加熱して表面Ｓｉ層を単結晶ＳｉＣ膜５に変成させるＳｉＣ膜生成工程。（２）上記表面に単結晶ＳｉＣ膜５が形成されたＳｉ母材層を、多結晶ＳｉＣ基板６の表面に単結晶ＳｉＣ膜５が対面するよう積層して接合して積層体を形成する接合工程。（３）上記積層体のＳｉ母材層と埋め込み酸化物層を除去する除去工程。（４）上記多結晶ＳｉＣ基板６の表面に、単結晶ＳｉＣ膜５をシード層として当該単結晶ＳｉＣ膜５上に単結晶ＳｉＣ層７をエピタキシャル成長させる成長工程。 （もっと読む）

【課題】人工水晶結晶のエピタキシャル成長用基板として、硬度が低く、ダイシング切断加工が短時間に行え、ダイシング刃の消耗の少ない基板を提供する。
【解決手段】結晶形成用基板は素材として水晶を用いた矩形状基板であり、この水晶基板のカットアングルが、水晶結晶体の結晶軸を、それぞれ電気軸を＋Ｘ軸、光軸を＋Ｚ軸、この＋Ｘと＋Ｚ軸に直交して機械軸を＋Ｙ軸として右手系で直交座標系を構成したとき、＋Ｘ軸回りに＋３３度から＋３８度、又は＋１４２度から＋１４７度の角度範囲で回転し、且つ＋Ｙ´軸回りに＋４５度の角度で回転したカットアングルの結晶形成用基板である。 （もっと読む）

【課題】非常に平坦性で完全な透明性と鏡面性をもつｍ面窒化ガリウム（ＧａＮ）膜を成長する方法。
【解決手段】本方法は、選択横方向成長技術によって構造欠陥密度の大幅な低減を実現する。高品質で、一様で、厚いｍ面ＧａＮ膜は分極のないデバイスの成長のための基板として用いるために作製される。 （もっと読む）

オフアクシス基板上の単結晶炭化珪素エピタキシャル層が、基板をエピタキシャル成長反応炉に配置し、基板上にエピタキシャル炭化珪素の第１の層を成長させ、エピタキシャル炭化珪素の第１の層の成長を中断し、第１の層の厚みを減少させるために該第１の層をエッチングし、エピタキシャル炭化珪素の第１の層の上にエピタキシャル炭化珪素の第２の層を再成長させて製造される。ニンジン状欠陥を、エピタキシャル成長処理を中断し、成長した層をエッチングし、エピタキシャル炭化珪素の第２の層を再成長させる工程によって終止できる。成長中断／エッチング／再成長の処理は複数回反復可能である。炭化珪素エピタキシャル層は、内部で終止する少なくとも１つのニンジン状欠陥を有する。半導体構造は、オフアクシス炭化珪素基板上の炭化珪素エピタキシャル層と、基板とエピタキシャル層の境界面の近傍に核形成点を有し内部で終止するニンジン状欠陥とを含む。

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