【課題】複数のタイル基板を用いて主表面におけるピットの発生が少ない大型のＩＩＩ族窒化物結晶を成長させるＩＩＩ族窒化物結晶の成長方法を提供する。
【解決手段】本ＩＩＩ族窒化物結晶の成長方法は、平面充填ができる三角形および凸四角形のいずれかの形状である主表面１０ｍを有するタイル基板１０を複数準備する工程と、タイル基板１０の頂点部が互いに向かい合う任意の点において互いに向かい合う頂点部の数が３以下であるように、複数のタイル基板１０を平面充填させて配置する工程と、配置された複数のタイル基板１０の主表面１０ｍ上にＩＩＩ族窒化物結晶２０を成長させる工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】ＨＶＰＥ法において、１１００℃以下の結晶成長温度で、大型のＧａＮ結晶を成長させる方法を提供する。
【解決手段】所定の面方位の主表面１ｍおよび複数の側表面１ｓを有するＧａＮ種結晶基板１を複数準備する工程と、複数のＧａＮ種結晶基板１を、それらの主表面１ｍが互いに平行にかつそれらの側表面１ｓが互いに隣り合うように配置する工程と、配置された複数のＧａＮ種結晶基板１の主表面１ｍ上に、ハイドライド気相成長法により、第１のＧａＮ結晶１０を成長させる工程と、を備え、第１のＧａＮ結晶１０を成長させる工程において、結晶成長温度を９８０℃以上１１００℃以下とすることにより、ＧａＮ種結晶基板１の主表面１ｍ上に成長するそれぞれの部分結晶１０ｕが一体化するように成長させる。 （もっと読む）

【課題】マイクロエレクトロニクス・デバイス構造の組み立てのために用い得るブールの提供。
【解決手段】相応する天然III−Ｖ族窒化物シード結晶上で、気相エピタクシーによって、１時間に２０μｍを上回る成長速度で、III−Ｖ族窒化物材料を成長させることにより、III−Ｖ族窒化物ブールを形成する。形成されるブールは、マイクロエレクトロニクス・デバイス品質を含み、例えば、１ｃｍより大きい断面寸法、１ｍｍを超える長さ、および１ｃｍ²あたり１０⁷未満欠陥の上面欠陥密度を有する。 （もっと読む）

【課題】複数の種結晶基板を用いて表面にピットを発生させることなく大型のＩＩＩ族窒化物結晶を成長させるＩＩＩ族窒化物結晶の成長方法を提供する。
【解決手段】本ＩＩＩ族窒化物結晶の成長方法は、複数の種結晶基板１を、それらの主表面１ｍが互いに平行にかつそれらの側表面１ｓが互いに隣り合うように配置し、それらの種結晶基板１の主表面１ｍ上に、液相成長法により、第１のＩＩＩ族窒化物結晶１０を成長させる第１の結晶成長工程と、第１のＩＩＩ族窒化物結晶１０の主表面上に、ハイドライド気相成長法により、第２のＩＩＩ族窒化物結晶２０を成長させる第２の結晶成長工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】主面の面積が大きな大口径のＧａＮ結晶基板を効率よく生産するためのＧａＮ結晶の成長方法を提供する。
【解決手段】ＧａＮ種結晶基板１０１の主面１０１ｓ上に第１の気相法により第１のＧａＮ結晶１１０を成長させ、ＧａＮ種結晶基板１０１および第１のＧａＮ結晶１１０の少なくともいずれかを加工することによりＧａＮ種結晶基板１０１の主面１０１ｓに比べて面積が小さな主面１１１ｓを有する少なくとも１つの第１のＧａＮ結晶基板１１１を得て、この第１のＧａＮ結晶基板１１１ｂを液相法により成長させることにより第１のＧａＮ結晶基板１１１ｂの主面１１１ｂｓに比べて面積が大きな主面１１２ｓを有する第２のＧａＮ結晶基板１１２を得て、この第２のＧａＮ結晶基板１１２の主面１１２ｓ上に第２の気相法により第２のＧａＮ結晶１２０の成長させる。 （もっと読む）

【課題】ＬＥＤや高電子移動度トランジスタなどのデバイス用として有用なＩＩＩ−Ｖ族窒化物品の提供。
【解決手段】自立ＩＩＩ−Ｖ族窒化物基板上に堆積したＩＩＩ−Ｖ族窒化物ホモエピタキシャル層を含むホモエピタキシャルＩＩＩ−Ｖ族窒化物品であって、前記ＩＩＩ−Ｖ族窒化物ホモエピタキシャル層が１Ｅ６／ｃｍ²未満の転位密度を有しており、（ｉ）前記ＩＩＩ−Ｖ族窒化物ホモエピタキシャル層と前記自立ＩＩＩ−Ｖ族窒化物基板の間に酸化物を有するか、（ii）前記ＩＩＩ−Ｖ族窒化物ホモエピタキシャル層と前記自立ＩＩＩ−Ｖ族窒化物基板の間にエピ中間層を有するか、
（iii）前記自立ＩＩＩ−Ｖ族窒化物基板がオフカットされており、前記ＩＩＩ−Ｖ族窒化物ホモエピタキシャル層が非（０００１）ホモエピタキシャルステップフロー成長結晶を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】オフ角度の小さな炭化珪素単結晶基板上に、高品質でドーピング密度の面内均一性に優れた炭化珪素エピタキシャル膜を有するエピタキシャル炭化珪素単結晶基板、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】オフ角度が１°以上６°以下の炭化珪素単結晶基板上に、ドーピング密度の面内均一性に優れた炭化珪素エピタキシャル膜を有するエピタキシャル炭化珪素単結晶基板、及び、その製造方法であり、上記エピタキシャル膜が、０．５μｍ以下のドープ層と０．１μｍ以下のノンドープ層とを繰り返し成長させており、そのエピタキシャル成長において、ドープ層を形成する場合には材料ガス中の珪素原子数に対する炭素原子数の比(C/Si比)を１．５以上２．０以下とし、その時にドーピングガスである窒素を導入してドープ層とする。ノンドープ層を形成する場合にはC/Si比を０．５以上１．５未満とする。 （もっと読む）

【課題】 窒化物半導体のエピタキシャル成長中における、種基板の裏主表面及び側面への窒化物半導体の成長を抑制し、スライス時の基準面を確保することができる窒化物半導体自立基板の製造方法を提供する。
【解決手段】 種基板となる窒化物半導体自立基板を準備する工程と、前記種基板の裏主表面全体及び側面の少なくとも一部にＳｉＯ_２又はＳｉ_３Ｎ_４からなる被膜を形成する工程と、前記種基板の表主表面上に、前記種基板と同種の窒化物半導体をエピタキシャル成長する工程と、前記エピタキシャル成長を行ったエピタキシャル成長基板の前記被膜上に析出した堆積物及び前記被膜を除去する工程と、前記エピタキシャル成長基板を、前記被膜を除去した主表面を基準面として、平行にスライスして２分割する工程とを含み、１枚の種基板から２枚の窒化物半導体自立基板を製造する窒化物半導体自立基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】結晶欠陥の少ない化合物半導体層を種基板上にエピタキシャル成長できる化合物半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】電解めっきにおいて種基板１０を膜厚方向に貫通する貫通転位１０１〜１０５をそれぞれ通して種基板１０の厚さ方向に電流を流すことにより、種基板１０の第１の主面１１上の貫通転位１０１〜１０５が存在する位置に金属膜２０１〜２０５を選択的に形成するステップと、金属膜２０１〜２０５の融点より低いエピタキシャル成長温度で、金属膜２０１〜２０５を覆うように種基板１０の第１の主面１１上に化合物半導体層３０をエピタキシャル成長させるステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャル成長過程において発生する表面欠陥を大幅に減少させることができ、後工程を簡略化しながら半導体デバイスとしての品質を確保できる単結晶３Ｃ−ＳｉＣ基板の製造方法を提供する。
【解決手段】ベース基板上にエピタキシャル成長によって単結晶３Ｃ−ＳｉＣ層を形成させる単結晶３Ｃ−ＳｉＣ基板の製造方法であって、
上記単結晶３Ｃ−ＳｉＣ層を、平坦性の高い表面とその中に点在する表面ピットからなる表面状態となるよう形成する第１の成長段階と、
上記第１の成長段階で得られた単結晶３Ｃ−ＳｉＣ層を、脱離律速の領域において表面の上記表面ピットを埋めるようさらにエピタキシャル成長させる第２の成長段階とを行う。 （もっと読む）