【課題】多結晶の成長を抑えて、目的とする窒化物半導体を効率よく成長させることができるとともに、成長させた窒化物半導体結晶に割れを生じさせることなく容易に取り出すことができるような窒化物半導体結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】主面とその裏面を備える種結晶１１０を支持体１０７の上に裏面が接するように設置し、主面に原料ガスＧ３，Ｇ４を供給することにより窒化物半導体結晶を成長させる工程を含む窒化物半導体結晶の製造方法であって、種結晶１１０の裏面外縁の少なくとも一部が原料ガスＧ３，Ｇ４に触れる状態で露出している。 （もっと読む）

基板のミスカット角上に成長する非極性ＩＩＩ族窒化物薄膜。＜０００−１＞方向に向かうミスカット角は、０．７５°以上であり、＜０００−１＞方向に向かう２７°未満である。表面起伏は、抑えられ、面のある角錐を備え得る。薄膜を用いて製作されるデバイスもまた開示される。非極性ＩＩＩ族窒化物薄膜の表面起伏を抑えるために非極性ＩＩＩ族窒化物薄膜が成長する基板のミスカット角を選択することを包含する方法を用いて製作される、滑らかな表面形態構造を有する非極性ＩＩＩ族窒化物薄膜。非極性ＩＩＩ族窒化物薄膜が成長する基板のミスカット角上に成長する滑らかな表面形態構造を有する薄膜上に成長する非極性ＩＩＩ族窒化物ベースのデバイス。ミスカット角はまた、非極性薄膜からの長波長発光を達成するために選択され得る。
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【課題】高品位で大面積の非極性面を有するＩＩＩ−Ｖ族化合物窒化物半導体結晶を得るために有利な製造方法を提供する。
【解決手段】ＩＩＩ族窒化物半導体結晶２００の製造方法は非極性面であるＭ面を有する種結晶Ｓを準備し、非極性面であるＭ面からＩＩＩ族窒化物半導体２００を気相中で成長させる成長工程を具備し、成長工程は、種結晶Ｓの＋Ｃ軸方向（＜０００１＞方向）に伸びるようにＩＩＩ族窒化物半導体２００を成長させることを含む。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣ結晶基板中の、特に基底面転位（ＢＰＤ）密度を低減し、さらに、この低減に伴う基板表面の凹凸を平坦化できる炭化珪素半導体基板の製造方法の提供。
【解決手段】オフ角１度乃至８度の炭化珪素基板１上にエピタキシャル成長層を形成する際に、前記エピタキシャル成長に先立ち、前記炭化珪素基板のｔａｎオフ角以上の凹凸断面のアスペクト比を有する平行線状の凹凸を前記基板表面に形成した後、エピタキシャル成長層を形成する炭化珪素半導体基板の製造方法において、前記凹凸の高さが０．２５μｍ乃至５μｍである炭化珪素半導体基板の製造方法とする。 （もっと読む）

【課題】ＨＶＰＥ法による結晶成長面が｛１−１００｝面であるＧａＮ結晶の結晶成長において、結晶成長速度が高く厚い結晶を効率良く成長させる方法を提供する。
【解決手段】本ＧａＮ結晶の成長方法は、主面が｛１−１００｝面である１つ以上のＧａＮ結晶下地基板を準備する工程と、ＧａＮ結晶下地基板の主面上にＧａＮ結晶をその結晶成長面が｛１−１００｝面となるように成長させる工程とを含み、ＧａＮ結晶を成長させる工程において、結晶成長温度ｘ℃が１０８０℃以上１１６０℃以下であり、結晶成長速度ｙμｍ／ｈｒと結晶成長温度ｘ℃との関係が以下の式（１）および（２）
ｙ≧０．０３５２ｘ²−７５．６５９ｘ＋４０７３７ （１）
ｙ≦０．０７８２ｘ²−１６５．９５ｘ＋８８１２１ （２）
を満たす。 （もっと読む）

【課題】表面が平坦化されたＧａＮ単結晶基板、窒化物系半導体エピタキシャル基板、窒化物系半導体素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ＧａＮ単結晶基板１１は、研磨された表面が、少なくともＮＨ₃ガスを含む混合ガス雰囲気中、基板温度１０２０℃以上で１０分以上熱処理されることにより、研磨により微細な欠陥が多数形成された基板１１表面において、原子再配列がおこなわれ、基板１１表面が平坦化される。その結果、ＧａＮ単結晶基板１１の表面の平均自乗平方根粗さが０．２ｎｍ以下となり、表面が１原子層に対応したステップとテラスを有するので、この基板１１上に形成するＧａＮエピタキシャル層１２の表面を平坦にすることができる。 （もっと読む）

【課題】良好な結晶性を維持するとともに、コストを低減して窒化物半導体結晶を成長させる窒化物半導体結晶の成長方法および窒化物半導体結晶基板を提供する。
【解決手段】窒化物半導体結晶の成長方法は、使用される領域を含む表面を有し、窒化物半導体からなる基板を準備する工程（Ｓ１０）と、ハイドライド気相成長法により、基板の表面上に窒化物半導体結晶を成長させる工程（Ｓ２０）とを備えている。準備する工程（Ｓ１０）では、使用される領域に存在する異物の大きさが１μｍ以上１０μｍ以下であり、使用される領域において異物が覆う面積が使用される領域の面積の０．０１％未満である基板を準備する。 （もっと読む）

【課題】極性反転結晶領域の大きさが小さくまたその密度が低いＧａＮ結晶の成長方法およびＧａＮ結晶基板を提供する。
【解決手段】本ＧａＮ結晶の成長方法は、主結晶領域１１とその領域に対して［０００１］方向の極性が反転している複数の極性反転結晶領域１２とを含むＧａＮ基板１０を準備する工程と、ＧａＮ基板１０の（０００１）Ｇａ主面１０ｇ上に、気相法によりＧａＮ結晶２０を成長させる工程を含み、ＧａＮ結晶２０は、主結晶領域１１上に成長する第１の結晶領域２１と、各極性反転領域１２上にそれぞれ成長する複数の第２の結晶領域２２とを含み、第２の結晶領域２２は、第１の結晶領域２１に対して、［０００１］方向の極性が反転しており、第１の結晶領域２１は、第２の結晶領域２２に比べて結晶成長速度が高く、第２の結晶領域２２を埋め込むように成長する。 （もっと読む）

【課題】クラックの発生を抑制して厚いＧａＮ結晶を成長させることが可能なＧａＮ結晶の製造方法およびＧａＮ結晶基板を提供する。
【解決手段】ＧａＮ種結晶基板１０上にＧａＮ結晶２０を成長させる方法であって、ＧａＮ種結晶基板１０の熱膨張係数がＧａＮ結晶２０に比べて大きくなるような第１のドーパントを含むＧａＮ種結晶基板１０を準備する工程と、ＧａＮ種結晶基板１０上に厚さ１ｍｍ以上のＧａＮ結晶２０を成長させる工程を含む。 （もっと読む）

【課題】異形ポリタイプの混入がなく、また、表面欠陥が少ないか又は全くなく、さらには残留不純物密度のより少ないＳｉＣ単結晶エピタキシャル薄膜を高速で成長させる方法を提供する。
【解決手段】六方晶系ＳｉＣ単結晶基板の（０００１）Ｓｉ面に、炭素原子とケイ素原子の原子数比（Ｃ／Ｓｉ比）が０．２０以上０．７５未満の原料ガスを導入することにより、基板と同じポリタイプのＳｉＣ単結晶をエピタキシャル成長させる。また、エピタキシャル成長は、２０ｋＰａ以下の減圧下で行なう。 （もっと読む）