【課題】 ダイヤモンド本体に影響を与えることなく線状あるいは面状に加工切断可能なダイヤモンドの加工方法および装置を提供する。
【解決手段】 ＬＤ励起近赤外線レーザ１１からのレーザ光２１を高調波変換器１２により高調波変換して波長２６６ｎｍの波長変換レーザ光２２を得、この波長２６６ｎｍの波長変換レーザ光２２をガルバノスキャナ１４で走査レーザ光２３に変換し、円形ｆθレンズ１３で収束して収束レーザ光２４として集光する。収束レーザ光２４はダイヤモンド１５に入射され、ダイヤモンド１５に含有されている固溶窒素に吸収されて、ダイヤモンド１５はアブレーションや蒸発によって熱エネルギー加工される。 （もっと読む）

【課題】従来のアイデアル・カット・ダイヤモンドの明るさと輝きを、その大きさ(直径)は保持したまま、さらに明るく輝くダイヤモンドおよびダイヤモンド形状の宝飾品およびそのカット方法を提供する。
【解決手段】ガードル２と、ガードル２の上部にテーブル５を備えたクラウン３が形成され、ガードル２の下部にパビリオン４を形成するダイヤモンド１やダイヤモンド形状の宝飾品であって、キューレット角は９８．５度、パビリオン角は４０．７５度、上部クラウンの角度は、これはガードル２近辺のダイヤモンド１のチップ（割れ）に対する強度等も考慮して、１９．００度から２７．００度の間、とする。 （もっと読む）

【課題】半導体材料、電子部品、光学部品、切削・耐磨工具などに用いられる大面積で高品質なダイヤモンド単結晶基板を高速に製造する方法を提供する。
【解決手段】種基板１として、主面の面方位が略＜１００＞方向に揃った複数個のダイヤモンド単結晶基板を並べて配置し、気相合成法により種基板１上にダイヤモンド単結晶を成長させるダイヤモンド単結晶基板の製造方法であって、種基板１の主面の面方位が｛１００｝面に対する傾きが５度以下であり、第一の段階における成長パラメータαが２．０以上３．０未満であり、第二の段階におけるαが３．０以上である。 （もっと読む）

【課題】ダイヤモンド等の基材に比較的精度良く突起を形成可能な突起形成方法を提供する。
【解決手段】例えばタングステン等の金属を含む雰囲気中において収束イオンビームをダイヤモンド等の基材２ａの加工面２１に照射することにより、この金属を含む金属マスク４を加工面２１上に形成するステップと、金属マスク４を用いて、基材２ａをＲＩＥ法（Reactive Ion Etching）によるエッチングを施すことにより、基材に突起２２（金属マスク４が無くなるまでエッチングした場合、突起２４）を形成するステップとを有する。 （もっと読む）

【課題】所望のバンドギャップエネルギーを容易に実現できるアモルファスカーボン製造装置及びアモルファスカーボン製造方法を提供する。
【解決手段】アモルファスカーボンＣを成長させるための基材Ｂをチャンバ１１内に収容し、そのチャンバ１１内に原料ガスＧを供給し、供給した原料ガスＧのプラズマＰを生成し、生成されたプラズマＰの基材Ｂに到達する際の速度を制御してアモルファスカーボンＣの製造を行う。これにより、プラズマＰの到達速度に対応させてカーボンの結晶化及び選択的エッチング効果を生じさせることができる。このため、カーボンのｓｐ２／ｓｐ３結合比を調整することができ、所望のバンドギャップを有するアモルファスカーボンＣを容易に製造することができる。 （もっと読む）

【課題】結晶成長中に割れや変形が発生せずに、大面積で高品質なダイヤモンド単結晶を提供する。
【解決手段】ダイヤモンド単結晶の製造方法は、厚みが１００μｍ以下の板状種結晶としてのダイヤモンド単結晶基板１０１を準備する工程と、ダイヤモンド単結晶基板１０１上にダイヤモンド単結晶１０２を気相合成法により形成する工程とを備える。ダイヤモンド単結晶基板１０１を準備する工程は、厚みが１００μｍを超えるダイヤモンド単結晶基板１０１を準備する工程と、ダイヤモンド単結晶基板１０１の一部分を除去して厚みを１００μｍ以下にする工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】核生成速度が速く、粒子密度が高いダイヤモンド膜を得ることができる導電性ダイヤモンド膜が形成された基板の製造方法を提供する。
【解決手段】基板に対する前処理として、銅、アルミニウム、ガラスのいずれかからなる基板上に、ダイヤモンドナノ粒子の含有量が、ダイヤモンドナノ粒子分散溶液全体に対して０．００１〜０．１質量％であるダイヤモンドナノ粒子分散溶液を塗布した後、基板温度を２５０℃以上として、化学気相成長法により、前記基板上に導電性ダイヤモンド膜を合成する。 （もっと読む）

【課題】従来、ダイヤモンドの研磨は、輝きを増幅させる為カット数が多い立体的な研磨が多かったが、平面的なカットでダイヤモンド持つ透明性の美しさを幅広く表現させる。
【解決手段】平面的板状にカットしたダイヤモンドを様々な、平面的なデザインにカットしダイヤモンド自体の透明性や輝きを、斬新的で様々なデザインで顕現する。 （もっと読む）

本発明は、低圧においてダイヤモンドの光学的性質を改善する方法に関し、特に、ＣＶＤダイヤモンドを成長させるステップと、ダイヤモンド安定領域外の約１〜約７６０ｔｏｒｒの圧力において還元雰囲気中、約５秒〜約３時間の時間の間、ＣＶＤダイヤモンドの温度を約１４００℃〜約２２００℃に上昇させるステップとを含む所望の光学的品質のＣＶＤダイヤモンドの製造方法に関する。 （もっと読む）

【課題】通常、ホモエピタキシャル成長させたダイヤモンド膜表面上に異常成長粒子や成長丘等が10³ cm^-2以上形成される。これらは表面の平坦性を劣化させるだけではなく、その基板上に作製したデバイス特性を劣化させる。そのため、異常成長粒子や成長丘等が10³ cm^-2以下の平坦面を有するダイヤモンド膜が成長可能な基板を提供する。
【解決手段】ダイヤモンド基板と、前記ダイヤモンド基板表面の異常成長粒子や成長丘の原因である転位、研磨傷等の欠陥部分の成長を抑制する物質をドープしてなる欠陥部分成長抑制ダイモンド薄膜層を備えるダイヤモンド薄膜積層体。 （もっと読む）