【課題】従来技術と比較して、室温で十分に高いキャリア濃度を有するダイヤモンド半導体及び作製方法を提供すること。
【解決手段】ダイヤモンド基板１１（図５（ａ））上にマイクロ波プラズマＣＶＤ装置を用い、メタンを反応ガスとし、基板温度７００℃でダイヤモンド薄膜１２を１ミクロン積層する（図５（ｂ））。ダイヤモンド薄膜１２にイオン注入装置を用い、不純物１（ＶＩ族又はＩＩ族元素）を打ち込む（図５（ｃ））。その後、不純物２（ＩＩＩ族又はＶ族元素）を打ち込んだが（図５（ｄ））、注入条件は、打ち込んだ不純物がそれぞれ表面から０．５ミクロンの厚さの範囲内で、１×１０¹⁷ｃｍ^-3となるようにシミュレーションにより決定した。その後、２種類のイオンが注入されたダイヤモンド薄膜１３をアニールすることにより（図５（ｅ））、イオン注入された不純物の活性化を行い、ダイヤモンド半導体薄膜１５を得た（図５（ｆ））。 （もっと読む）

【課題】ダイヤモンド窓材の厚さが厚くてもＸ線が透過する際に回折が生じ難いＸ線透過窓材、同窓材を備えたＸ線透過窓を提供する。
【解決手段】Ｘ線透過窓材１は、ダイヤモンド粒子の平均サイズＺａが０．１μm以上、１０μm以下の多結晶ダイヤモンドで形成され、かつ窓材の厚さが８Ｚａ^1/3以上であり、さらに窓材の両面の平均粗さＲａが１００ｎｍ以下とされたものである。前記多結晶ダイヤモンドとしては熱伝導率が４００Ｗ／ｍＫ以上のものが好ましく、また窓材の厚さは１００μm以上が好ましい。 （もっと読む）

【課題】ダイヤモンド膜の表面にマスキング及びエッチングを施すことなく簡便に凹部を形成できるダイヤモンド膜の選択的形成方法及びこのダイヤモンド膜を切刃に用いたＣＭＰパッドコンディショナーを提供する。
【解決手段】母体１の表面１Ａに、薬液により除去可能とされ、かつ、ダイヤモンド膜Ｄの生成を助長する性質の第１膜１２と、第１膜１２上に配されダイヤモンド膜Ｄの生成を阻止する性質の第２膜１３とを選択的に形成して、表面１Ａを、非マスキング領域を有しつつ第１、第２膜１２、１３によりマスキングする工程と、ＣＶＤ法により、非マスキング領域における表面１Ａの部分と、この部分の周縁部に立設する第１膜１２の壁面１２Ｃとにダイヤモンド膜Ｄを生成させて、このダイヤモンド膜Ｄの母体１側とは反対側を向く表面２Ａに凹部２Ｂを形成する工程と、薬液により第１膜１２とともに第２膜１３を表面１Ａから取り除く工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】ダイヤモンド膜を母体の表面に比較的厚膜に、かつ、精度よく選択的に形成でき、ダイヤモンド膜のコンタミネーションを防止できるダイヤモンド膜の選択的形成方法及びＣＭＰパッドコンディショナーを提供する。
【解決手段】母体１の表面１Ａに、薬液により除去可能とされ、かつ、ダイヤモンド膜Ｄの生成を助長する性質の第１膜１２と、第１膜１２上に配されダイヤモンド膜Ｄの生成を阻止する性質の第２膜１３とを選択的に形成して、表面１Ａを、非マスキング領域を有しつつ第１、第２膜１２、１３によりマスキングする工程と、薬液を希釈して用い、非マスキング領域における表面１Ａの部分の周縁部に立設する第１膜１２の壁面１２Ｃを溶解して凹部１２Ｄを形成する工程と、ＣＶＤ法により表面１Ａの部分及び凹部１２Ｄにダイヤモンド膜Ｄを生成させる工程と、薬液により第１膜１２とともに第２膜１３を表面１Ａから取り除く工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】ダイヤモンドおよび単結晶基板が破損することなく、かつ大面積で結晶性の高い高品質の単結晶ダイヤモンド膜を連続膜として有する積層基板とその製造方法を低コストで提供する。
【解決手段】少なくとも、単結晶基板と、該単結晶基板上に気相合成させたダイヤモンド膜を有する積層基板であって、前記単結晶基板が、Ｉｒ単結晶またはＲｈ単結晶であることを特徴とする積層基板。また、少なくとも、単結晶基板上にダイヤモンド膜を気相合成させる工程を有する積層基板の製造方法において、前記単結晶基板に、Ｉｒ単結晶またはＲｈ単結晶を用いることを特徴とする積層基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】結晶性の高い単結晶ダイヤモンドをヘテロエピタキシャル成長させることができ、しかも繰り返し使用出来る単結晶ダイヤモンド成長用の基材を提供すること、及び安価に大面積高結晶性の単結晶ダイヤモンドを製造することのできる単結晶ダイヤモンドの製造方法を提供する。
【解決手段】少なくとも、単結晶からなる種基材と、該種基材上にヘテロエピタキシャル成長させた薄膜を有する単結晶ダイヤモンド成長用の基材であって、前記種基材は、単結晶ダイヤモンドであり、かつ前記薄膜は、イリジウム膜またはロジウム膜であることを特徴とする単結晶ダイヤモンド成長用の基材。 （もっと読む）

単結晶ダイヤモンドを合成するための高圧高温（ＨＰＨＴ）方法であって、アスペスト比が少なくとも１であり、成長表面が｛１１０｝結晶面と実質的に平行である単結晶ダイヤモンド種子を利用することが記載される。１２８０℃から１３９０℃の温度範囲で成長する。 （もっと読む）

本発明は、ダイヤモンドコーティングを基板上に堆積させる方法に関し、該方法は、サブミクロン粒子を含有するピラミッド型の新規な形態のダイヤモンドを特徴とする、コーティングの作製をもたらす。該方法は、印加する電界を制御することによる化学気相成長法によって行う。 （もっと読む）

【課題】性質の揃った複数の単結晶ダイヤモンド基板を比較的簡単な操作によって接合して良質な大面積の単結晶基板を製造する方法を提供する。
【解決手段】（１）単結晶ダイヤモンドからなる親基板にイオン注入により分離層を形成する。（２）親基板から１個又は２個以上の単結晶ダイヤモンド層を分離する。（３）分離された複数の単結晶ダイヤモンド層を、平坦な支持台上に、互いの側面が接触し、且つ親基板から分離された面が該支持台面に接する状態で載置する工程、（４）支持台上に載置された複数の単結晶ダイヤモンド層の上に、気相合成法で単結晶ダイヤモンドを成長させて、複数の単結晶ダイヤモンド層を接合する。（５）接合された単結晶ダイヤモンド層を支持台上で反転させた後、気相合成法で単結晶ダイヤモンドを成長させて、親基板から分離された面上に単結晶ダイヤモンドを成長させる工程を含む単結晶ダイヤモンドからなる大面積基板の製造方法。 （もっと読む）

水素、炭素源及び酸素源を含む雰囲気中で、基板上でのダイヤモンドの堆積を起こすために十分な圧力及び温度において基板を提供し、マイクロ波プラズマ球を設定することを含む、マイクロ波プラズマ支援化学気相堆積によりダイヤモンドを製造する方法であって、ダイヤモンドを４００ｔｏｒｒ超の圧力下で少なくとも２００μｍ／時間の成長速度において実質的に窒素を含まない、又は少量の窒素を含む雰囲気から堆積させる方法。 （もっと読む）