【課題】非単結晶原料から単結晶をチョクラルスキー法により製造する単結晶製造装置において、坩堝を支持し、かつ、回転させる回転軸の交換によるコストを抑制可能な単結晶製造装置を提供する。
【解決手段】非結晶原料が充填される坩堝１２と、坩堝１２を回転可能に支持する回転軸１５とを備える単結晶製造装置１０において、回転軸１５は、この回転軸１５の軸方向に並んで互いに着脱可能に組み合わされた複数の係合部材１５ａ，１５ｂ，１５ｃから構成される。このため、複数の係合部材のいずれかが劣化して破損した場合に、その破損した係合部材のみを交換することにより復旧することができる。 （もっと読む）

【課題】 ＦＺ単結晶シリコンは体積固有抵抗やライフ・タイム等、品質上はＣＺ単結晶シリコンに比べて優れているにも拘わらず、コストが「約５〜８倍」と高価なため、太陽電池用としては使用されていない。このため、本発明では太陽電池用に特化することにより、大幅なコスト・ダウンをはかる手段を提供することにより、ＦＺ単結晶シリコンを使用し大幅に効率アップした太陽電池の普及に貢献する。
【解決手段】
単結晶製造のスムーズな引き上げのみを考慮した単純な製造機器により、成長スピードを２〜５ｍｍ／ｍｉｎ、場合により８ｍｍ／ｍｉｎまであげる。
又、芯ドープには空洞部に特殊加工したドーピングマザーメタルを使用する等を行う。
亜鉛還元法によるシリコンについては、熔融が簡単で短時間融解で済み、吸い上げを含めても石英等とのコンタミネーションも極端に少なくなる。 （もっと読む）

【課題】供給治具自体の破損が実質的に起こらなくて複数回使用することができるだけでなく、破損片混入による融液の固化および汚染、並びに単結晶成長の阻害が起こらない、更には、結晶原料落下による坩堝等の装置の損傷や融液の飛び跳ね、供給治具からの融液への汚染を防止して、高品質の単結晶を安定して育成することができるロッド状多結晶原料の供給治具を提供する。
【解決手段】ロッド状多結晶原料の端部を支持する底部材４０、ロッド状多結晶原料の横方向の動きを規制する円筒状や円筒籠状などの筒状ガイド部材６０、筒状ガイド部材と底部材を連結する連結部材５０、および筒状ガイド部材の上部に取り付けられた吊下げ部材７０を含む、原料を起立状態で坩堝に供給するためのロッド状多結晶原料供給治具。筒状ガイド部材がモリブデンなどの高融点材料、底部材および連結部材が原料と同じ元素の、単結晶シリコン或いは多結晶シリコンからなる。 （もっと読む）

【課題】引張強度の向上した膨張黒鉛シートを提供する。また、引張強度の向上した膨張黒鉛シートを炭素質ルツボの中敷として使用することにより、作業時間が格段に低減し、しかも、シートを破損することなくルツボの内面に隙間なく覆うことが可能であると共に、ルツボの大型化にも適した炭素質ルツボの保護方法並びに単結晶引き上げ装置を提供する。
【解決手段】膨張黒鉛シート１０は、膨張黒鉛材料からなる基材１１の少なくとも片面に、炭素繊維からなる補強材１２が積層状に形成されていることを特徴とする。上記膨張黒鉛シート１０を、石英ルツボと該石英ルツボが載置される炭素質ルツボとの間に介在させて炭素質ルツボの内面を覆う中敷に使用することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】チョクラルスキー法（ＣＺ法）による単結晶の製造において、ＬＴ（Ｌｉｆｅ Ｔｉｍｅ）低下やＬＰＤ（Ｌｉｇｈｔ Ｐｏｉｎｔ Ｄｅｆｅｃｔ）異常の発生がない高品質の単結晶を製造することができる方法を提供する。
【解決手段】ＣＺ法による単結晶の製造方法において、単結晶１２を製造する炉内で使用する少なくとも一つの黒鉛部品のＮｉ濃度が３０ｐｐｂ以下の黒鉛部品を使用して前記単結晶１２を製造する。前記Ｎｉ濃度を分析して用いる黒鉛部品としては、例えば石英ルツボ５に直接に接する黒鉛ルツボ６を分析することが好ましく、さらに、黒鉛ルツボ６を介して石英ルツボ５と間接的に接するルツボ受皿７、及びペディスタル８の少なくとも一つも分析することがより好ましい。 （もっと読む）

【課題】ルツボの基体となる外層と、前記外層の内周面に形成された、シリコン等の溶融液と接する内層とを備えたシリカ焼結体ルツボにおいて、前記内層が外層から剥離し難いシリカ焼結体ルツボを提供する。
【解決手段】ルツボの基体となる外層と、前記外層の内周面に形成された、シリコン等の溶融液と接する内層とを備えたシリカ焼結体ルツボであって、前記外層が、溶融シリカ粒子からなる層であり、前記内層が、球状のシリカ粒子及びシリカ微粉末からなる層であり、前記内層と外層の界面近傍における球状のシリカ粒子の間の空間もしくは溶融シリカ粒子の間の空間が、前記シリカ微粉末によって閉塞されている。 （もっと読む）

【課題】投入されるポリシリコン塊による、ルツボの内表面に欠け、割れの損傷を抑制すると共に、ルツボの内表面に凹みの損傷を受けた場合にも、シリコン等の溶融熱によってシリカガラスに変化する際に、前記凹みの損傷を修復することができるシリカ焼結体ルツボを提供する。
【解決手段】溶融シリカ粒子を堆積させて成形し、焼成された外層１ａと、前記外層の内周面に、合成シリカ球状フィラーを含有する内層用コーティング液を塗布し、焼成して形成された内層１ｂとを備え、圧子（形状：コーン状ポリシリコン）に荷重を加え、内層表面の圧痕幅、圧痕深さに基づいて、硬さ（ｋｇ重／ｍｍ^２）＝荷重を加え続けた際の解放点から求められる軸力（破壊力）（ｋｇ重）／圧痕面積（ｍｍ^２）から求められる前記内層の硬さが、７００ｋｇ重／ｍｍ^２以下である。 （もっと読む）

【課題】ルツボの基体となる外層と、前記外層の内周面に形成された内層とを備えたシリカ焼結体ルツボにおいて、前記内層が外層から剥離し難く、かつシリカガラスルツボとなした際、内層の気泡を抑制したシリカ焼結体ルツボを提供する。
【解決手段】外層が、溶融シリカ粒子を堆積させて成形し、焼成された層であり、内層が、前記外層の内周面に、球状のシリカ粒子及びシリカ微粉末を含有する内層用コーティング液によるコーティング層が形成され、前記コーティング層を焼成して形成された層であり、前記内層は、球状のシリカ粒子が相互に連結されると共に、球状のシリカ粒子の間に空間が存在している。 （もっと読む）

【課題】高い比抵抗を有し、かつ比抵抗のばらつきが小さいｐ型シリコン単結晶およびその製造方法を提供する。
【解決手段】ｐ型シリコン単結晶１の製造方法は次の工程を有する。主ドーパントしてのホウ素と、ｎ型不純物であって、ホウ素よりも偏析係数が小さい第１の副ドーパントと、ｐ型不純物であって、第１の副ドーパントよりも偏析係数が小さい第２の副ドーパントとが添加されたシリコン融液７が準備される。シリコン融液７からチョクラルスキー法により、比抵抗が６Ωｃｍ以上であるシリコン単結晶が成長される。 （もっと読む）

【課題】熱処理時におけるスリップ転位の発生を抑制することができ、ウェーハの表層部及びバルク部においてもＣＯＰやＢＭＤ等の欠陥を低減させることができるシリコンウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】ＣＺ法によりＶ／Ｇ値制御してＶ−リッチ領域からなる酸素濃度が０．８×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３（ｏｌｄ−ＡＳＴＭ）以下であるシリコン単結晶インゴットを育成し、前記育成されたシリコン単結晶インゴットを切断したＶ−リッチ領域からなる円板状のシリコンウェーハを、酸化性ガス雰囲気中、１１５０℃以上１２００℃以下の最高到達温度で５分以上２時間以下保持する第１の熱処理を行い、続いて、非酸化性ガス雰囲気中、１１００℃以上１２００℃以下の最高到達温度で３０分以上２時間以下保持する第２の熱処理を行うことを特徴とする。 （もっと読む）