【課題】コストメリットがあり、かつ、特性の優れた高周波動作用の半導体素子を実現できるエピタキシャル基板を提供する。
【解決手段】導電性を有するＳｉＣまたはＳｉからなる基材の上に、絶縁性を有する第１のIII族窒化物からなる下地層をＭＯＣＶＤ法によって、表面に実質的に非周期的な凹凸構造を有するようにかつ、表面の平均粗さが０．５μｍ以上１μｍ以下となるように、エピタキシャル形成し、下地層の上に、ＧａＮからなるチャネル層をエピタキシャル形成し、チャネル層の上に、Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ（０＜ｘ＜１）からなる障壁層をエピタキシャル形成する。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体単結晶のスライス時の割れを低減でき、窒化物半導体基板の歩留を向上できる窒化物半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】種結晶基板上に気相成長により窒化物半導体単結晶を成長する成長工程と、成長した前記窒化物半導体単結晶の外周面を研削する研削工程と、前記外周面が研削された前記窒化物半導体単結晶をスライスするスライス工程とを含む窒化物半導体基板の製造方法であって、前記研削工程における前記窒化物半導体単結晶の前記外周面の研削量が１.５ｍｍ以上である。 （もっと読む）

【課題】転位密度が少なく高品質な１３族窒化物結晶基板に供することが可能であるバルク結晶を製造するための種結晶を提供することを目的とする。
【解決手段】本実施形態の窒化ガリウム結晶は、六方晶の窒化ガリウム結晶のｃ軸を横切る断面において、断面内側の第１領域と、前記第１領域の外周の少なくとも一部を覆う第２領域とを有し、前記第１領域の電子線または紫外光による発光スペクトルにおいて、窒化ガリウムのバンド端発光を含む第１ピークの強度が、前記第１ピークより長波長側の第２ピークの強度より小さく、前記第２領域の前記発光スペクトルにおいて、前記第１ピークの強度が前記第２ピークの強度より大きいことを特長とする。 （もっと読む）

【課題】転位密度が少なく高品質な１３族窒化物結晶基板に供することが可能であるバルク結晶を製造するための種結晶を提供することを目的とする。
【解決手段】本実施形態の窒化ガリウム結晶は、六方晶構造のｍ面の外周表面の少なくとも１面において、ｃ軸方向の一端部側の領域におけるＸ線ロッキングカーブの半値全幅が、他端部側の領域における前記半値全幅より小さいことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】装置構成がシンプルであり、メンテナンス性にも優れ、しかも高品質なアルミニウム系III族窒化物単結晶を高生産性で製造することができるハイドライド気相エピタキシー装置を提供する。
【解決手段】III族ハロゲン化物ガスと窒素源ガスとを反応させて目的とするアルミニウム系III族窒化物単結晶を成長させる反応ゾーンを有する反応器本体２０と、III族ハロゲン化物ガスを作り出すためにIII族元素の単体４６とハロゲン原料ガスとを加熱下で反応させてIII族ハロゲン化物ガスを発生させるIII族源ガス発生部４０と、III族源ガス発生部で製造されたIII族ハロゲン化物ガスを、反応器本体の反応ゾーン２２へ供給するIII族ハロゲン化物ガス導入管５０と、を有する。 （もっと読む）

【課題】反応容器の変形を抑制しながら、高品質な窒化物結晶を製造すること。
【解決手段】反応容器に原料と第一溶媒とを充填して密閉した後、該反応容器を耐圧性容器内に設置し、さらに該耐圧性容器の内壁と該反応容器の外壁の間の空隙に第二溶媒を充填して前記耐圧性容器を密閉した後、該反応容器中で超臨界および／または超亜臨界状態において結晶成長を行う窒化物結晶の製造方法において、前記反応容器の内部短軸長（ＩＤ［Ｃ］）と、前記耐圧性容器の内部短軸長（ＩＤ［Ａ］）との比（ＩＤ［Ｃ］／ＩＤ［Ａ］）を０．６０〜０．９８とするか、前記反応容器内の自由容積（ＩＶ）と、前記耐圧性容器の内壁と前記反応容器の外壁の間の空隙における自由容積（ＯＶ）との比（ＩＶ／ＯＶ）を０．２０〜４０とする。 （もっと読む）

【課題】高品質な１３族窒化物結晶、及び１３族窒化物結晶基板を提供する。
【解決手段】１３族窒化物結晶２５は、Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、及びＴｌからなる群より選ばれる少なくとも１種の金属原子と窒素原子とを少なくとも含む六方晶の１３族窒化物結晶であって、ｃ軸を横切る断面の内側に設けられた第１領域２５ａと、該断面の最外側に設けられ第１領域２５ａと結晶特性の異なる第３領域２５ｄと、該断面における第１領域２５ａと第３領域２５ｄとの間の少なくとも一部の領域に設けられた結晶成長の遷移領域であり、該第１領域２５ａ及び該第３領域２５ｄと結晶特性の異なる第２領域２５ｃと、を備える。 （もっと読む）

【課題】転位密度が少なく高品質な１３族窒化物結晶基板に供することが可能であるバルク結晶を製造するための種結晶を提供する。
【解決手段】１３族窒化物結晶の製造方法は、ｃ軸方向の長さＬが９．７ｍｍ以上であり、前記長さＬとｃ面における結晶径ｄとの比Ｌ／ｄが、０．８１３より大きい六方晶構造の窒化ガリウム結晶２５を種結晶として、六方晶構造の１３族窒化物の結晶を成長させて１３族窒化物結晶２７を製造する結晶成長工程を含み、前記結晶成長工程は、結晶側面に、｛１０−１０｝面を含む外周面と、｛１０−１１｝面を含む外周面とを形成し、結晶底面に、｛０００１｝面を含む外周面を形成する工程を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高品質な１３族窒化物結晶、及び１３族窒化物結晶基板を提供する。
【解決手段】１３族窒化物結晶１９は、Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、及びＴｌからなる群より選ばれる少なくとも１種の金属原子と窒素原子とを少なくとも含む六方晶の結晶構造の１３族窒化物結晶であって、ｃ軸を横切る断面の内側に設けられた第１領域２１と、第１領域２１の外周の少なくとも一部を覆うように設けられ、厚みが第１領域２１の最大径より大きく、且つ第１領域２１よりキャリア濃度の高い第２領域２７と、を備える。 （もっと読む）

【課題】ＩＩＩ族−窒化物ウェハーの生成方法を提供すること。
【解決手段】ＩＩＩ族−窒化物の結晶を成長させるための方法であって、以下の工程：
（ａ）熱アンモニア法により、元の種結晶上でＩＩＩ族−窒化物のインゴットを成長させる工程；
（ｂ）該インゴットからウェハーをスライスする工程；
（ｃ）該元の種結晶の窒素極側から取り出したウェハーを、引き続く熱アンモニア法によるインゴットの成長のための新しい種結晶として用いる工程；
を包含する、方法。 （もっと読む）