【課題】反り量の少ない窒化物半導体ウエハを得る。
【解決手段】サファイア基板に窒化物半導体薄膜結晶層と、その上にボイドを含む金属窒化膜とが設けられてなるボイド形成基板上に窒化物半導体厚膜結晶層を形成した後、前記ボイド形成基板を除去する窒化物半導体ウエハの製造法において、前記サファイア基板の裏面に、サファイアの熱膨張係数よりも小さい熱膨張係数を有する材料からなる反り相殺層を形成し、前記窒化物半導体厚膜結晶層の成長温度下で、熱膨張係数の差によって前記反り相殺層を形成したボイド形成基板を、前記金属窒化膜が形成される面から見て凸状に反らせ、前記凸状に反らせたボイド形成基板の上に前記窒化物半導体厚膜結晶層を凸状に成長させ、成長終了後、前記成長温度から常温に戻る際に、前記ボイド形成基板の平らな形状への復元とともに前記窒化物半導体厚膜結晶層の凸状から平らな形状への戻りが、前記窒化物半導体厚膜結晶層の半導体極性面から見た凹状の反りを相殺する。 （もっと読む）

【課題】原料の無駄を抑えながら、歩留まり良く品質が良い窒化物結晶を製造する方法を提供すること。
【解決手段】反応容器内に、原料、種結晶、鉱化剤、および、窒素を含有する溶媒を配置し、反応容器内の温度および圧力を溶媒が超臨界状態および／または亜臨界状態となるように制御して種結晶の表面に窒化物結晶を成長させる際に、原料を溶解するための原料溶解領域（９）と窒化物結晶を成長させるための結晶成長領域（６）とを含む反応容器（２０）を採用し、種結晶（７）を結晶成長領域に配置し、結晶成長領域内側の表面積（Ａ）と種結晶の表面積の総和（Ｂ）とが（Ｂ）／（Ａ）＝０．１〜７の関係を満たすようにする。 （もっと読む）

【課題】結晶成長面内の温度分布のバラつきを低減し、良好な結晶性を有する単結晶を提供可能な単結晶の製造装置、および単結晶の製造方法の提供。
【解決手段】本発明の単結晶の製造装置２０は、単結晶の原料６を配置する原料配置部４ａ及び種結晶５を原料６に対して対向配置する種結晶配置部７ａを有する成長容器１０と、成長容器１０を加熱する加熱手段８とを備え、成長容器１０は、その内部空間Ｓにおける縦断面の形状が矩形状であり、前記矩形状の縦断面における長辺と短辺のアスペクト比（長辺寸法／短辺寸法）が２よりも大きく、種結晶配置部７ａは、成長容器１０の内部空間Ｓを前記長辺方向に３等分に区画したとき、中央の区画に配置されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体結晶のクラック発生を抑制でき、窒化物半導体結晶の歩留の向上が図れる窒化物半導体結晶の製造方法、及び窒化物半導体エピタキシヤルウエハおよび窒化物半導体自立基板を提供する。
【解決手段】
種結晶基板上に窒化物半導体結晶を成長する窒化物半導体結晶の製造方法であって、前記窒化物半導体結晶の成長中に、前記種結晶基板の外周端部にエッチング作用を加えながら、前記窒化物半導体結晶を成長させる。 （もっと読む）

【課題】非極性面または半極性面を主面とする大型で良質なIII族窒化物半導体結晶をより簡便に製造する方法を提供する。
【解決手段】極性面を主面とする下地基板１０上に、極性面以外のファセット面１１〜１８を含む凸状ライン部２１〜２４を２５００μｍ以上のピッチで複数本形成し、前記主面に垂直な方向にIII族窒化物半導体結晶を成長させる。 （もっと読む）

【課題】単結晶成長時に台座と種結晶との間に空隙が生じることを抑制可能な窒化アルミニウム種結晶の固定方法、該固定方法を用いて得られる台座−種結晶固定体、前記固定方法を用いて固定された種結晶を用いた窒化アルミニウム単結晶の製造方法、及び該製造方法により得られる窒化アルミニウム単結晶の提供。
【解決手段】本発明の窒化アルミニウム種結晶の固定方法は、窒化アルミニウム単結晶を成長させるための窒化アルミニウム種結晶を台座に固定する方法であって、タングステンまたはタンタルを含んでなる台座１の一面上に、融点１９００℃以下で且つ加熱処理により前記台座と反応しうる金属材料からなる金属層２を形成する第１工程と、金属層２上に窒化アルミニウムの種結晶３を配置する第２工程と、台座１と金属層２と種結晶３とがこの順に積層された積層体５を加熱処理し、台座１上方に種結晶３を固定する第３工程と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】アモノサーマル法や液相法によりIII族窒化物結晶を簡便で効率良く製造する方法を提供する。
【解決手段】貫通孔１０２を有する１００ｍｇ以上のIII族窒化物単結晶シード１０１に、前記貫通孔を利用して前記貫通孔にワイヤーを通して、前記III族窒化物単結晶シードを位置決めした状態で、オートクレーブ１中に吊り下げ、超臨界状態及び／又は亜臨界状態にある窒素を含有する溶媒６中でIII族窒化物結晶を成長させる。 （もっと読む）

【課題】ホモエピタキシャルＬＥＤ、ＬＤ、光検出器又は電子デバイスを形成するために役立つＧａＮ基板の形成方法の提供。
【解決手段】約１０^４／ｃｍ^２未満の転位密度を有し、傾角粒界が実質的に存在せず、酸素不純物レベルが１０^１９ｃｍ^−３未満の窒化ガリウムからなる単結晶基板上に配設された１以上のエピタキシャル半導体層を含むデバイス。かかる電子デバイスは、発光ダイオード（ＬＥＤ）及びレーザーダイオード（ＬＤ）用途のような照明用途、並びにＧａＮを基材とするトランジスター、整流器、サイリスター及びカスコードスイッチなどのデバイスの形態を有し得る。また、約１０^４／ｃｍ^２未満の転位密度を有し、傾角粒界が実質的に存在せず、酸素不純物レベルが１０^１９ｃｍ^−３未満の窒化ガリウムからなる単結晶基板を形成し、該基板上に１以上の半導体層をホモエピタキシャルに形成する方法及び電子デバイス。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体デバイス用の半導体積層構造を成長させるために改善されたバッファ層構造を有する基板を提供する。
【解決手段】窒化物半導体層を成長させるためのバッファ層構造を有する基板であって、Ｓｉ単結晶基板の（１１１）主面に形成された窒化ケイ素層を有し、この窒化ケイ素層上に順次積層されたＡｌ層とＡｌＮ結晶層またはＡｌＧａＮ結晶層とを有し、ＡｌＮ結晶層またはＡｌＧａＮ結晶層の表面は（０００１）の面方位とIII族元素極性の表面を有している。 （もっと読む）

【課題】、III 族金属窒化物単結晶の生産性が高く、製造が比較的に容易であり、種結晶膜のメルトバックを抑制できるようにすることである。
【解決手段】 成膜面２ｂと加工凹部８とが設けられている基板本体１に対して、成膜面２ｂおよび加工凹部８を被覆するようにIII 族金属窒化物単結晶の下地膜４Ａ、４Ｂ、５を成膜する。下地膜が、成膜面上の種結晶膜と、側壁面および加工凹部の底面を被覆する多結晶膜とを有する。次いで、下地膜上にフラックス法によってIII 族金属窒化物単結晶６を育成する。 （もっと読む）