【課題】単結晶銀ナノワイヤを利用した光学ナノアンテナ及びその製造方法、単結晶金属ナノワイヤを利用した光学ナノアンテナを提供すること。
【解決手段】光学ナノアンテナは、単結晶銀ナノワイヤを含む。前記単結晶銀ナノワイヤは可視光線領域の全波長帯域の入射光に基づいて複数のローブが前記単結晶銀ナノワイヤを中心に放射状に配置されるマルチローブ形態の放射パターンを含む光学アンテナ放射パターンを出力することによって、可視光線領域内の全波長範囲で作動することができ、多重共鳴及び広いスペクトル範囲を有することができる。 （もっと読む）

【課題】亀裂等の欠陥を生じることなく、チタン酸ストロンチウムの膜をウェットエッチングすることのできるチタン酸ストロンチウム用のエッチング液組成物、並びに、そのエッチング液組成物を利用した、形状加工されたチタン酸ストロンチウム膜の製造方法及びチタン酸ストロンチウム膜の加工方法を提供すること。
【解決手段】フッ化水素酸及び硝酸を含有する水溶液からなるチタン酸ストロンチウム用のエッチング液組成物を使用する。 （もっと読む）

【課題】触媒金属の混入を抑えることの可能な窒化ガリウム柱状構造の形成方法、及び該方法を用いる窒化ガリウム柱状構造の形成装置を提供する。
【解決手段】
窒化ガリウム柱状構造を下地層上に反応性スパッタによって形成する。このとき、真空槽１１内に供給されるアルゴンガス及び窒素ガスの総流量に占める窒素ガスの流量の割合である窒素濃度を窒化ガリウム膜の成長速度が窒素供給によって律速され、且つ、窒化ガリウムの成長速度における極大値の９１％以上１００％以下の窒化ガリウムの成長速度となるような窒素濃度とする。また、基板Ｓの温度Ｔ、ガリウムのターゲット１４に供給される周波数が１３．５６ＭＨｚであるバイアス電力Ｐが、６００≦Ｔ≦１２００、０＜Ｐ≦４．６３、Ｐ＜０．００８８Ｔ−６．６０、Ｐ≧０．０１１６Ｔ−１１．３７を満たす条件にて窒化ガリウム柱状構造を形成する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、色素増感型太陽電池の電極材料として好適な新規な酸化亜鉛半導体材料およびその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】化学浴堆積法を用いて酸化亜鉛半導体ナノロッド結晶を析出させる方法において、析出反応液におけるアルミニウム原子と亜鉛原子のモル比(Ａｌ／Ｚｎ)を０.０００１×１０^−２ 〜 １０×１０^−２の範囲に調整する。その結果、アルミニウムドープ酸化亜鉛ナノロッド構造は、ロッド径が太くなり、結晶内の電子伝導性が向上する。さらに、アルミニウムドープ酸化亜鉛ナノロッドの高い電子伝導性を維持した状態で結晶構造を伸長させることよって、低電気抵抗と高い開放電圧が同時に実現される。 （もっと読む）

【課題】シリコンの針状構造物を得る。
【解決手段】金属基板上にＬＰＣＶＤ法により結晶性シリコン領域を形成すると、｛１１１｝面を双晶面とし、＜１１０＞方向、もしくは＜２１１＞方向に成長する多結晶体よりなるウィスカ状結晶性シリコンが得られる。ウィスカ状結晶性シリコンは、双晶を形成しながら（積層欠陥を導入しながら）成長し、ウィスカ状結晶性シリコン成長方向と垂直な面内（輪切り面内）に双晶面の法線方向＜１１１＞が必ず含まれるように初期核が配置される。このような材料をリチウムイオン二次電池の負極活物質や太陽電池等の光電変換装置として用いる。 （もっと読む）

【課題】亜鉛が有する物性を生かした用途への適用可能な、純亜鉛を多く含んだ亜鉛柱状構造体を提供することを課題とする。本発明により、従来存在する酸化亜鉛の微細構造体の用途とは異なった適用可能性が広がる。具体的には、超伝導体への応用、高感度熱電素子展開、半導体前駆体としてのエレクトロニクス、光エレクトロニクス、フォトニクスへの用途が考えられる。
【解決手段】平均長さが５μｍ以上、３００μｍ以下であり、アスペクト比が５以上、３００以下である亜鉛柱状構造体であって、亜鉛柱状構造体における純亜鉛の含有量が１０重量％以上、１００重量％以下である亜鉛柱状構造体。 （もっと読む）

【課題】より放電容量を高めることが可能な負極活物質を提供すること、さらに、該負極活物質を用いた高性能な蓄電装置を提供するである。
【解決手段】複数の結晶領域を含むシリコン結晶体であって、前記シリコン結晶体は一方向の伸張方向を有し、前記複数の結晶領域は略一致する一の結晶方位（優先方位ともいう）をそれぞれ有し、前記伸張方向と前記優先方位は略一致するシリコン結晶体を形成することである。さらに、当該シリコン結晶体を負極活物質として適用し、蓄電装置を作製することである。 （もっと読む）

【課題】フラックス法によるＧａＮ製造で、ＧａＮ自立基板の窒素面への雑晶の付着と原料の浪費を抑制する。
【解決手段】坩堝２６−１〜４とＧａＮ自立基板の配置方法を４例示す。図１．Ａ：坩堝２６−１の斜め上を向いた平面状の内壁に自立基板１０の窒素面を密着させる。図１．Ｂ：坩堝２６−２の水平方向を向いた平面状の内壁に自立基板１０の窒素面を密着させ治具ＳＴ−２で固定。図１．Ｃ：坩堝２６−３の平らな底部に治具ＳＴ−３を配置し、自立基板１０−１、１０−２を互いの窒素面を密着させて固定。図１．Ｄ：坩堝２６−４の平らな底部に治具ＳＴ−４を配置し、ＧａＮ自立基板１０を固定。自立基板１０は、窒素面が治具ＳＴ−４により覆われる。ガリウムとナトリウムとが溶融した混合フラックスを満たし、加圧窒素下に置いて、ガリウム面Ｆ_GaにＧａＮ単結晶を成長させる。 （もっと読む）

【課題】複雑な形態に基づく大きな表面積を維持しつつ、分散や高密度充填に有利な形態のフラーレンを提供する。
【解決手段】複数のウィスカー状構造が放射状に伸びた構造、あるいは、複数のウィスカー状構造が放射状に伸び、該ウィスカー状構造がさらに分枝してフラクタル的構造を形成したフラーレン結晶である。このようなフラーレン結晶は、フラーレンを第１の溶媒に溶解した溶液に、前記第１の溶媒よりもフラーレンを溶解する能力が低く、かつ、前記第１の溶媒よりも沸点が高い第２の溶媒を、フラーレンが析出しない範囲で添加し、得られた溶液から前記第１の溶媒および前記第２の溶媒を蒸発させて結晶を析出させることで得られる。 （もっと読む）

【課題】光電変換装置の半導体層の形成に好適に使用できる酸化チタン構造体及びその製造方法、並びに高い光電変換効率を有する光電変換装置を提供すること。
【解決手段】酸化チタン構造体の製造方法は、Ｔｉ基板の面に酸化チタンナノワイヤを作製する工程と、オキシ硫酸チタン、尿素を溶解させた溶液中に酸化チタンナノワイヤを浸漬させて、酸化チタンナノワイヤ３ａの表面に酸化チタン微粒子３ｂを形成する工程と、酸化チタン微粒子が形成された酸化チタンナノワイヤを回収し、乾燥させる工程とを有する。 （もっと読む）