【課題】ＣＶＤ装置の反応室部材に付着したパーティクルのみを選択的に除去することで、ＳｉＣエピタキシャル膜の品質を改善することのできるＳｉＣエピタキシャル膜付き基板の製造方法を提供する。
【解決手段】ＳｉＣ基板を載置するステージと当該ＳｉＣ基板に対向する天板を昇温する工程、ＳｉＣエピタキシャル膜の成膜工程前に天板温度をエピタキシャル成長工程時の温度より一定時間高く保持する加熱工程、当該加熱工程中の高温保持時間内のクリーニング工程、前記ＳｉＣ基板が設置されたステージと天板との間の空間を水素ガスと成膜原料ガスを導入して該ＳｉＣ基板上にＳｉＣエピタキシャル膜を成膜する工程、とを有し、前記クリーニング工程は、水素ガスによるエッチング工程であるＣＶＤ（化学的気相成長）法を用いるＳｉＣ単結晶の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】単結晶ＳｉＣ基板の炭素面のみならずケイ素面の平坦化を行うことが可能で、かつ環境への負荷も低い表面改質方法を熱エッチングで提供する。
【解決手段】タンタル金属からなるとともに炭化タンタル層を内部空間に露出させるように上下が勘合した収納容器１６に単結晶ＳｉＣ基板１５を収納する。それとともに、加熱室を予め減圧下で１５００℃以上２３００℃以下の温度に調整しておく。そして、収納容器１６を加熱室へ移動することにより、収納容器１６の内部をシリコンの飽和蒸気圧下の真空に保った状態で１５００℃以上２３００℃以下の温度で加熱処理し、単結晶ＳｉＣ基板１５の表面を分子レベルに平坦化熱エッチングする。 （もっと読む）

【課題】 フッ化物強誘電体単結晶における特定の分極面を有する領域のみを選択的にエッチングする方法を提供すること。
【解決手段】 フッ化物強誘電体単結晶における負の分極面を有する領域をエッチングする方法は、塩酸を加熱するステップと、塩酸をフッ化物強誘電体単結晶に付与するステップとを包含する。 （もっと読む）

【課題】 単結晶ダイヤモンドを有するダイヤモンド製品を製造する場合に、ダイヤモンドの形状が複雑であっても、表面欠陥の少ないダイヤモンド製品の製造方法を提案する。
【解決手段】 ダイヤモンド研磨するにあたり、ダイヤモンドを機械研磨し、その後、大気中で加熱されて酸化銅が形成された銅板を前記ダイヤモンドに静的に接触させ、所定時間その状態を保持してダイヤモンドを摩耗させることにより、ダイヤモンド表面のマイクロクラックを除去して高品位なダイヤモンド製品を製造する。銅板の表面粗さは、機械研磨されたダイヤモンドの表面粗さ以下とするのが好ましい。 （もっと読む）

【課題】 半導体基板、特に太陽電池に用いられるシリコン基板表面の凹凸形成を効率よく、高タクトで行う方法を提供する。
【解決手段】 Ｈ_２Ｏを含む第一のエッチングガスを用いた反応性イオンエッチング法によって、多結晶シリコン基板の表面に凹凸を形成する工程を備えてなる太陽電池の製造方法とする。 （もっと読む）

【課題】結晶成長面上に結晶性のよい半導体層を成長させることが可能な、裏面の反りの小さいＧａＮ結晶基板およびその製造方法、ならびに半導体デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】本ＧａＮ結晶基板は、結晶成長面１０ｃの反対側の面である裏面１０ｒの反りｗ_(R)が−５０μｍ≦ｗ≦５０μｍであり、裏面１０ｒの面粗さＲａ_(R)をＲａ_(R)≦１０μｍ、裏面１０ｒの面粗さＲｙ_(R)をＲｙ_(R)≦７５μｍとすることができる。また、本半導体デバイスの製造方法は、基板として上記ＧａＮ結晶基板１０を選択し、このＧａＮ結晶基板１０の結晶成長面１０ｃ側に少なくとも１層のＩＩＩ族窒化物結晶層２０を成長させる工程を含む。 （もっと読む）

【課題】本発明は、固形物の物質除去方法、特に、液体ジェット誘導レーザーエッチングによる微細構造化あるいは切削に関する。
【解決手段】反応していないエッチング成分としての除去された物質は、高度に再循環される。このように、高純度のシリコンが、同じ処理連鎖内で、基板上に多結晶の態様で回収されるか、あるいはエピタキシャルに蒸着され得る。 （もっと読む）

【課題】 水晶板などの圧電素板をエッチング加工する際に使用する湿式のエッチング装置で、被加工物である水晶板などの圧電素板が均一にムラが無くエッチング処理ができる装置を実現することを目的とする。
【解決手段】 課題を解決するために本発明は、エッチング溶液を蓄える容器の中に、圧電素板を格納し揺動する受皿を配置し、前記受皿の下方から前記エッチング溶液を噴射する噴射口を有し、前記受皿の上部には一定間隔で細線を配置した構造を有するもので、従来の回転式のエッチング装置の欠点を改善したもので、エッチング溶液中に圧電素板を格納する受皿を設けて、前記受皿の下方からエッチング溶液を受皿に向けて噴射することで、受皿の中の圧電素板が水流により浮き上がり、受皿の上部に配置する細線で圧電素板の向きを変え、上述の動作を連続的に行うことで、受皿に格納する圧電素板を効率よく回転させることにより課題を解決する。 （もっと読む）