【課題】改善されたイメージ品質を有するエピタキシャル被覆されたシリコンウェハ並びにエピタキシャル被覆されたシリコンウェハの適切な製造方法の提供
【解決手段】丸められたエッジを備えたシリコンウェハのグループを準備する工程、前記シリコンウェハのエッジをポリシングする工程、前記シリコンウェハを洗浄する工程、欠陥及びエッジラフネスに関してシリコンウェハのグループのエッジ領域を調査し、前記シリコンウェハのグループから、１０〜８０μｍの空間波長領域に関して１ｎｍ ＲＭＳよりも低い表面粗さを有するシリコンウェハを選択する工程、選択されたシリコンウェハを枚葉型エピタキシー反応器中で前処理し、その際、第１の工程で水素雰囲気中で１〜１００ｓｌｍの流量で処理を行い、更に第２の工程でエッチング媒体を０．５〜５ｓｌｍの流量で前記水素雰囲気に添加し、ガス分配装置を用いて反応室中で分配する工程、前記シリコンウェハをエピタキシャル被覆する工程を有するエピタキシャル被覆されたシリコンウェハの製造方法 （もっと読む）

【課題】ＩＩＩ族窒化物半導体の結晶体を成長させる際におけるクラックの発生を低減する。
【解決手段】半導体基板の製造方法は、下地基板の上に金属層を形成する金属層形成工程と、前記金属層をそれぞれ露出する複数の開口と前記金属層を露出しない非開口部とを含むマスクを形成するマスク形成工程と、前記金属層において前記複数の開口により露出された複数の領域を窒化することにより、金属窒化物の複数の第１バッファー層を形成する窒化工程と、前記複数の第１バッファー層の上に、ＩＩＩ族窒化物半導体の複数の第２バッファー層を形成する第２バッファー層形成工程と、前記複数の第２バッファー層の上に、ＩＩＩ族窒化物半導体の結晶体を成長させる成長工程とを備え、前記複数の開口のそれぞれは、六角形に沿った形状を有しており、前記マスク形成工程では、前記複数の開口における各開口の最小幅が５μｍ以上２５μｍ以下となり隣接する前記開口の間における前記非開口部の幅が１．５μｍ以上８μｍ以下になるように、前記マスクを形成する。 （もっと読む）

【課題】単結晶ナノ構造を基板の上に成長させる方法を提供する。
【解決手段】基板１の主表面上にパターン２を最初に形成する工程であって、パターン２は基板１の表面まで延びた開口部を有する工程と、パターン２の開口部中の、露出した主表面の上に、金属３を供給する工程と、開口部をアモルファス材料４で、少なくとも部分的に埋める工程と、アモルファス材料４と金属化合物３とを、３００℃と１０００℃の間の温度でアニールし、金属媒介結晶化により、アモルファス材料４を単結晶材料５に変える工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】高品質な窒化物半導体単結晶基板を簡易な方法で製造する方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、エピタキシャル成長によって形成された第１のＧａＮ層１２１および第２のＧａＮ層１４１を層内で分離し、分離したＧａＮ層のうち表面状態のよい成長最表面側の第２のＧａＮ層１４１を種結晶として新たなＧａＮ層をエピタキシャル成長によって形成するという簡易な方法によって高品質なＧａＮ単結晶基板を製造することができる。 （もっと読む）

【課題】熱膨張係数の差による応力発生のない良質の窒化物単結晶基板を製造可能な窒化物単結晶基板の製造方法を提供する。
【解決手段】反応チャンバー内に装着されたサセプタに予備基板５０を配置する段階（ａ）と、予備基板５０上に所定の厚さに窒化物単結晶膜５５を成長させる１次成長段階（ｂ）と、予備基板５０と窒化物単結晶層５５が部分的に分離されるようにレーザーを照射する段階（ｃ）と、窒化物単結晶膜５５上に窒化物単結晶５５’を追加成長させる２次成長段階（ｄ）と、予備基板５０を反応チャンバー内に維持しながら、予備基板５０と窒化物結晶５５’が分離されるようにレーザービームを照射する段階（ｅ）とを含む。 （もっと読む）

異なる、かつ非直角の成長方向に、膜を互いの上部に重ねて成長させることによって、複数の膜を積み重ねるステップを含む、増加した表面積を有する高品質で自立型の無極性および半極性の窒化物基板を産生するための方法である。この方法は、（ａ）ＩＩＩ族窒化物を自立型（ＦＳ）ＩＩＩ族基板の第一面の上に成長させることであって、該ＩＩＩ族窒化物は無極性または半極性であり、該第一面は無極性または半極性の面であり、該ＦＳＩＩＩ族基板は、５００ミクロンを超える厚さを有する、ことと、（ｂ）該ＩＩＩ族窒化物の頂面を得るために、第二面に沿って該ＩＩＩ族窒化物をスライス、または研磨することであって、該第二面は無極性または半極性の面であり、該ＩＩＩ族窒化物の該頂面は、該無極性または半極性のＩＩＩ族窒化物基板を備える、こととを含む。
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【課題】炭化ケイ素の表面に反応性イオンエッチングにより微細加工を施す際に、炭化ケイ素の表面を任意形状かつ高精細に微細加工することができ、特に、ナノメートル級の寸法公差による微細加工を行うことができる炭化ケイ素の表面処理方法を提供する。
【解決手段】単結晶炭化ケイ素基板の表面に反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）により微細加工を施す前に行う表面処理方法であって、単結晶炭化ケイ素基板の表面に、アンモニア及び過酸化水素を含む水溶液、塩酸及び過酸化水素を含む水溶液、硫酸及び過酸化水素を含む水溶液、フッ酸及び過酸化水素を含む水溶液の群から選択される１種または２種以上を順次用いてケミカル洗浄を施し、次いで、この表面に酸素プラズマ処理を施す。 （もっと読む）

【課題】ウエハの反りを低減可能な半導体装置の構造及び、その製造方法を提供する。
【解決手段】炭化珪素(ＳｉＣ)膜を有する半導体基板を用いて製造される半導体装置の製造方法において、半導体ウエハ１０上に炭化珪素膜を形成する工程と；半導体ウエハ１０の変形状態を確認する工程と；半導体ウエハ１０の変形状態に応じて定められる形状の溝１０７を炭化珪素膜に形成する工程とを含む。また、半導体ウエハ１０に一方向に延びる隆起状の反りがある場合には、溝１０７は、反りの延びる長手方向と略垂直に延びるスリット状の複数の溝１０７とする。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣエピタキシャル膜中の結晶欠陥を減少させて結晶品質を改善させたＳｉＣエピタキシャル膜付き単結晶基板の製造方法を提供する。
【解決手段】オフカットされたＳｉＣ単結晶基板１上にＳｉＣエピタキシャル膜２を成膜する成膜工程と、ＳｉＣエピタキシャル膜２を加熱することでＳｉＣエピタキシャル膜２の表面にステップバンチング３を発生させて結晶欠陥を減少させる加熱工程とからなる。また、デバイスを作製するために、このＳｉＣエピタキシャル膜２の表面に発生させたステップバンチング３をＣＭＰ（化学的機械研磨）あるいは水素雰囲気中でのガスエッチング等により除去する平坦化工程を追加しても良い。 （もっと読む）

層状半導体デバイスの製造方法であって、（ａ）複数の半導体ナノ構造を含む基体を用意する工程と、（ｂ）エピタキシャル成長法によって前記ナノ構造上に半導体材料を成長させる工程と、（ｃ）エピタキシャル成長法によって前記半導体材料上に前記半導体デバイスの層を成長させる工程と、を含む方法。
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