【課題】 接合に伴う面内歪みの低減がなされた圧力センサを提供すること。
【解決手段】 受圧基板１０に形成されたダイアフラム１１の対向面１０ａ側に可動電極１３が、対向基板２０における可動電極１３と対向する領域に対向電極２１が形成され、両基板１０，２０は、受圧基板１０の対向面１０ａに形成された導電膜１４ａ，１４ｃを介して陽極接合される。対向基板２０の対向面２０ａには導電膜１４ａとの接合領域に沿って、スリット２４が形成されている。スリット２４の周辺部は、変形のしやすい変形容易部として機能し、この変形容易部の変形によって対向基板２０側の面内歪みは吸収される。また、スリット２４によって接合面における受圧基板１０に対する追従性も良くなるので、受圧基板１０側の面内歪みも緩和される。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、上述の課題を解決するためになされたもので、基準圧力の安定性が良く、外
圧の絶対値の検出精度に対する信頼性に優れた圧力センサ、およびその製造方法を提供す
ること。
【解決手段】 受圧基板１０に形成されたダイアフラム１１の対向面１０ａ側に可動電極
１３が、対向基板２０における可動電極１３と対向する領域に対向電極２１が形成され、
両基板１０，２０は、受圧基板１０の対向面１０ａに塗布された接合材１４ａ，１４ｂを
介して接合される。また、対向基板２０の底面２０ｂには、上面３０ａ側に凹部３１を有
するケース体３０が接合され、底面２０ｂと凹部３１とで囲まれた空間が封止されて気密
室３２が形成される。気密室３２と対向面１０ａ，２０ａ間の狭小空間とは連通口２４に
よって連通されており、共に圧力基準室を構成する。 （もっと読む）

【課題】共晶接合を行う際に発生する接合不良を解決する静電容量型圧力センサを提供する。
【解決手段】絶縁材料から成る固定基板３と、固定基板の上面中央部に順次積層されたＡｕ固定電極膜４及び誘電体膜５と、該固定基板の上面外周縁に積層されたＡｕ接合膜２３ａと、誘電体膜と対向する位置に薄肉部２１を備えるとともにＡｕ接合膜２３ａと対向する位置にＡｕ接合膜６ａを備え、Ａｕ接合膜２３ａとの間をＡｕ−Ｓｎ接合膜２３ｃを介して溶融接合される可動基板２１と、該薄肉部の少なくとも一部に形成され且つ固定電極膜と対向する位置関係にある可動電極膜２２と、を備え、該可動電極膜と該誘電体膜との間に微小ギャップの気密空間Ｓを備えた圧力センサ１において、固定基板側のＡｕ接合膜面、或いは可動基板側のＡｕ接合膜面にバリアメタルとしてのＮｉ接合膜２３ｂを介在させて、可動基板側或いは固定基板側のＡｕ接合膜と溶融接合させた。 （もっと読む）

センサハウジングと、センサハウジング内に配置されたヒータ殻体と、ヒータ殻体に作用可能に連結されたヒータと、ヒータ殻体内に受容されたセンサと、ヒータ殻体の外側にてセンサハウジング内に配置され且つ、センサから信号を受け取り得るようにされたエレクトロニクス組立体とを含む変換器組立体である。組立体は、また、ヒータ殻体の外側にてセンサハウジング内に配置された取り付け板４００も含む。取り付け板４００は、該取り付け板から伸びるアーム４０２と、エレクトロニクス組立体が取り付け板４００に固定される箇所である少なくとも１つの取り付け箇所４０４とを有している。アーム４０２は、センサハウジングに固定され、また、取り付け板４００は、アーム４０２と取り付け箇所４０４との間の熱伝導を妨害し得るようアーム４０２に隣接する開口４０６を含む。
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センサコンデンサ（ＣＰ）を外付けし、基準コンデンサ（ＣＲ）、サンブリングコンデンサ（Ｃ_Ｓ）、およびサンブリング増幅器（２２）を含み、センサコンデンサ（ＣＰ）が接続された入力端子（１６）をそなえる集積化された読み出し回路上に静電容量−電圧変換器（１４）を実現した静電容量−電圧変換方法。この方法は、ａ）直列接続されたセンサコンデンサ（ＣＰ）と基準コンデンサ（ＣＲ）に基準電圧（Ｖ_ｒｅｆ）を印加し、センサコンデンサ（ＣＰ）と基準コンデンサ（ＣＲ）の間の相互接続ノード（Ａ）の電位にサンブリングコンデンサ（Ｃ_Ｓ）を充電するステップと、ｂ）サンブリングコンデンサ（Ｃ_Ｓ）をサンブリング増幅器（２２）の入力に接続するステップとを含む。この方法は更に、ｃ）直列接続されたセンサコンデンサ（ＣＰ）と基準コンデンサ（ＣＲ）にステップａ）と逆の極性で基準電圧（Ｖ_ｒｅｆ）を印加し、センサコンデンサ（ＣＰ）と基準コンデンサ（ＣＲ）の間の相互接続ノード（Ａ）の電位にサンブリングコンデンサ（Ｃ_Ｓ）を充電するステップと、ｄ）サンブリングコンデンサ（Ｃ_Ｓ）をステップｂ）と逆の極性でサンブリング増幅器（２２）の入力に接続するステップとを含む。
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【課題】精度や信頼性がより高い、絶対圧測定用の静電容量型圧力センサ及びその真空室の真空度を評価する評価方法を提供する。
【解決手段】 ダイヤフラム３の圧力により変位する可動電極６と、該可動電極６に対向して設けられた固定電極５とを真空室内４に備え、該可動電極６と該固定電極５との間の静電容量を計測することにより、ダイヤフラム内の圧力を計測する静電容量型圧力センサにおいて、前記真空室内４に外部に端子が引き出される一対の真空度計測用端子７ｃ、７ｄを設けた。真空度計測用端子７ｃ、７ｄの一方に高電圧を印可し、他方の電極から放電電流を計測することにより、真空室４内の真空度を計測して真空度を評価する。 （もっと読む）

タッチモード容量型圧力センサにおいて、水晶を圧力センサの検出片として利用することにより、シリコン製の検出片を用いた圧力センサの欠点であったエッチング精度が低いことによるダイヤフラムの厚みコントロールの困難化、それによる検出精度の低下、及び弾性変形における繰り返し再現性の悪さ、を夫々解消することができる水晶式圧力センサを提供する。絶縁材料から成る底板と、該底板の面上に順次積層された下部電極膜及び誘電体膜と、該誘電体膜と対向する位置に薄肉部を備えるとともに底板の面上に固定された検出片と、該薄肉部の少なくとも一部に形成され且つ下部電極膜と対向する位置関係にある上部電極膜と、を備え、該検出片の下面と該誘電体膜との間に微小ギャップの気密空間を備えた圧力センサにおいて、前記検出片は、水晶材料から成ることを特徴とする。
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圧力を測定するためのキャパシタンスダイアフラムゲージ（１００）は、シム（１２２）または他の隆起外周部分を介して本体構造体（１１０）に設置された、フラッシュダイアフラム（１２０）を備える。本発明に従う実施形態は、低いヒステリシス特徴を有するフラッシュダイアフラムを有する、キャパシタンスダイアフラムゲージ（ＣＤＧ）を提供する。このＣＤＧは、利用可能な様式で再現性よく製造され得る、単純な構造体を有する。
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【課題】 力検出センサにおいて、変位部と変形部の複合構造によって決定される２次モードの固有振動数を高くする。
【解決手段】 マイクロホン１０は、平行平型ダイアフラム部２００と、支持部６００、表面側変形部２０２と、裏面側変形部２０３を備えている。平行平型ダイアフラム部２００は、扁平な形状で形成されている。支持部６００は、平行平型ダイアフラム部２００の外側に位置している。表面側変形部２０２は、平行平型ダイアフラム部２００の厚み方向で相対的に表面側の周辺を支持部６００に接続しており、裏面側変形部２０３は、平行平型ダイアフラム部２００の厚み方向で相対的に裏面側の周辺を支持部６００に接続している。平行平型ダイアフラム部２００に力が作用すると、表面側変形部２０２と裏面側変形部２０３は、平行平型ダイアフラム部２００が支持部６００に対して平行平型ダイアフラム部２００の厚み方向に変位する。 （もっと読む）

【課題】チップ自体の製造、およびその搭載に係る生産性を更に効果的に向上することのできる半導体センサチップの製造方法を提供する。
【解決手段】貫通孔２７およびスルーホール３４の同時エッチング形成に際して、貫通孔２７についてはシリコンウェハ３２の下面側から、スルーホール３４についてはシリコンウェハ３２の上面側からエッチングを行う。これにより、貫通孔２７とスルーホール３４とをシリコンウェハ３２の異なった面にそれぞれ開口させた後、シリコンウェハ３２の上面側にめっき処理を行い、貫通孔２７内を中空としたまま、スルーホール３４のみに導電体を埋め込んで、貫通電極を形成する。 （もっと読む）