【課題】 可動電極と固定電極との絶縁を確保できるとともに十分な接合強度が得られ、容易に製造できる静電容量型トランスデューサの製造方法および静電容量型トランスデューサを提供すること。
【解決手段】 基板３０と、この基板３０に対して変位可能に空隙を介して対向配置された可動電極２０と、基板３０の可動電極２０と対向する検出面３０Ａに設けられた固定電極３１，３２とを備えた静電容量型トランスデューサ１０を、基板３０の検出面３０Ａの固定電極３１，３２を含むほぼ全面に絶縁膜１１を形成した後に、この絶縁膜１１を介して基板３０と可動電極２０とを互いに陽極接合して製造する。 （もっと読む）

【目的】 出力電圧が印加圧力に比例し、かつ、高精度の静電容量型圧力センサを提供する。
【構成】 周波数ｆ0 の出力信号を発振する発振回路１と、これに接続され発振回路１からの出力信号の周波数ｆ0 を１／ｎ（ｎは偶数）にする分周器１０と、これに接続されているスイッチトキャパシタ回路１１と、これに接続されているサンプルホールド回路１２と、分周器１０からの出力に基いてタイミングパルスを生成してサンプルホールド回路１２に与えるデコーダー１３とを具備する。スイッチトキャパシタ回路１１は、オペアンプ４と、このオペアンプ４の反転入力端子と発振回路１との間に接続されている基準コンデンサ８と、オペアンプ４の反転入力端子と出力端子の間に接続されている感圧コンデンサ５と、これに並列に接続されていると共に分周器１０に接続されているアナログスイッチ７とを有する。 （もっと読む）

【目的】センサのなどに用いられるわずかな容量の微少な変化を読みとる検出回路のオフセットを軽減する。
【構成】スイッチングトランジスタ１３のゲートに遅延回路２１を接続し、このトランジスタのスイッチング速度を遅らせることにより、スイッチングトランジスタ１３のチャネルが完全に消滅する前にゲート直下で蓄積された電荷を出力側へ追出し、オフセットを減少させる。 （もっと読む）