サンプル混合物内のサンプルの濃度を検出するサンプルセンサ２００であって、光源１０１、検出器素子、処理セクション１０６及びパラメータ測定手段を含む。光源１０１は、サンプルの分子を励起させる光ビーム１１３を生成する。検出器素子は、サンプルの励起された分子の量を検出し、前記量を指示する検出器電流を供給する。処理セクション１０６は、検出器素子１０３に接続され、濃度を表す出力信号１０９を生成するために前記検出器電流を処理する。処理セクション１０６は、出力波長以外の、光源１０１の温度依存パラメータの少なくとも１つの測定値に基づいて、光源１０１の温度依存波長シフトを補償するよう構成された温度補償モジュール１１２を含む。パラメータ測定手段は、前記少なくとも１つの測定値を得る。
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【課題】 検出器に充分な光量が到達しない場合でも、センターバースト位置を適確に決定することができるフーリエ変換型赤外分光光度計を提供する。
【解決手段】 フーリエ変換型赤外分光光度計１００であって、コントロール干渉計部からの干渉信号と、主干渉計部からのインターフェログラムとが複数個入力され、各インターフェログラムにおける移動鏡４の位置のずれを補正して、インターフェログラムの強度の加算処理を実行した積算インターフェログラムに基づいて、積算インターフェログラムの強度が最大値となるセンターバースト位置を検出するセンターバースト位置検出部１０６と、センターバースト位置を記憶するセンターバースト位置記憶部１０８と、測定処理時には、センターバースト位置記憶部１０８に記憶されたセンターバースト位置に基づいて、移動鏡４の測定開始位置を決定する測定開始位置決定部１０７とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】オリフラに対する結晶面のずれを測定する際に、ばらつきを減少するとともに、容易に測定できる半導体ウエハの結晶方位測定方法および半導体ウエハの結晶方位測定装置を提供する。
【解決手段】半導体ウエハの結晶方位測定方法は、特定方向の結晶面に沿って割れるへき開性を有するとともに、オリエンテーションフラット１１が形成された半導体ウエハ１０を準備する準備工程を実施する。そして、オリエンテーションフラット１１に現れる段差の数を測定する測定工程を実施する。そして、段差の数により、オリエンテーションフラット１１と結晶面とのずれを判断する判断工程を実施する。準備工程では、化合物半導体ウエハを準備することが好ましい。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、光計測に関し、より具体的には光計測装置のドリフト補償に関する。
【解決手段】 光計測装置のドリフトは、光計測装置上に設けられた第１校正用構造の第１測定回折信号及び第２測定回折信号を得ることによって補償される。第１及び第２測定回折信号は、光計測装置を用いて測定される。第２測定回折信号は、第１測定回折信号が測定された後に測定される。第１ドリフト関数は、第１測定回折信号と第２測定回折信号との差異に基づいて生成される。第１ウエハ上に形成された第１構造での第３測定回折信号は、光計測装置を用いて測定される。第１調節回折信号は、第１ドリフト関数を用いて第３測定回折信号を調節することによって生成される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、偏波依存性による測定誤差を抑制し、被測定物の成分濃度を高精度に測定可能な成分濃度測定装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係る成分濃度測定装置１００は、光変調手段で変調された２波の光の偏波状態を保持しつつ光変調手段１１０で変調された２波の光を合波する偏波保持光合波手段１２０と、光変調手段１１０と偏波保持光合波手段１２０とを接続し、２波の光の偏波状態を保持しつつ２波の光のそれぞれを伝搬する偏波保持光伝搬手段１３０と、偏波保持光合波手段１２０で合波された光の偏波状態を保持しつつ偏波保持光合波手段１２０で合波された光を被測定物１９９に出射する偏波保持光出射手段１４０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】化合物半導体ウエハの表裏面を迅速かつ正確に判別することのできる化合物半導体ウエハ表裏面の検査方法および検査装置を提供する。
【解決手段】表面および裏面の両方にメサが形成された化合物半導体ウエハ表裏面の検査方法である。まず、化合物半導体ウエハ１の表面および裏面におけるメサ４ａの延びる方向に対して−４５°を超えて４５°未満の方向に、第１の光１２ａをそれぞれ照射する。そして、化合物半導体ウエハ１の表面および裏面におけるメサ４ａの延びる方向と垂直の方向に対して−４５°を超えて４５°未満の方向に第２の光１３ａをそれぞれ照射する。そして、化合物半導体ウエハ１の表面および裏面に形成されたメサ４ａの形状を反映した反射光を受光して、反射光量値をそれぞれ測定する。そして、反射光量値に基づいて、化合物半導体ウエハ１の表面および裏面を判断する。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、光計測に関し、より具体的にはスペクトルの改善を利用して光計測装置を一致させる方法に関する。
【解決手段】 第１光計測装置を用いて測定された第１組の測定回折信号、及び第２光計測装置を用いて測定された第２組の測定回折信号を得ることによって、複数の光計測装置を一致させる。第１スペクトルシフト補正値は、第１組の測定回折信号と第２組の測定回折信号との差異に基づいて生成される。第１光計測装置の第１ノイズ重み付け関数は、第１光計測装置を用いて測定された測定回折信号に基づいて生成される。第１光計測装置を用いて測定された第１測定回折信号が得られる。第１調節回折信号は、第１スペクトルシフト補正値及び第１ノイズ重み付け関数を用いて第１測定回折信号を調節することによって生成される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、温度依存性による測定精度の低下を防止し、被測定物の成分濃度を高精度に測定可能な成分濃度測定装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係る成分濃度測定装置１００は、異なる波長の２波の光を同一周波数で逆位相の信号によりそれぞれ電気的に強度変調する光変調手段１１０と、光変調手段１１０で変調された２波の光を合波する光合波手段１２０と、光合波手段で合波された光を被測定物１９９に出射する光出射手段１４０と、被測定物１９９の温度を測定する温度測定手段２００と、光出射手段１４０からの光によって被測定物１９９から発生する光音響信号を検出し、温度測定手段２００が測定する被測定物１９９の温度から被測定物１９９の温度変化を求め、温度変化に基づいて補正を行う音波検出手段１５０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】下地膜について正確な光学定数を算出することができ、もって基板の表面構造を正確に特定することができる光学定数算出方法を提供する。
【解決手段】ウエハＷにおいて各膜の積層後に有機絶縁膜３２が下方に成膜された酸化膜３３の反射率を測定し、酸化膜３３がプラズマによって除去された後に露出した有機絶縁膜３２の反射率を測定し、これらの反射率に基づいて加熱処理によって変質した有機絶縁膜３２の光学定数及びプラズマによって変質した有機絶縁膜３２の光学定数を算出する。 （もっと読む）

光音響検出器２００は、サンプル混合物内のサンプルの濃度を検出する。光音響検出器２００は、前記サンプルの分子を励起する光ビームを生成する光源１０１と、前記サンプル混合物において圧力変化を生成するように前記光ビームを変調する光変調器１０２とを有し、前記圧力変化の振幅は、前記濃度の尺度である。光音響検出器２００は、前記圧力変化を検出器電流に変換する検出器素子１０３と、前記検出器電流を処理して前記濃度を表す出力信号を生成する処理セクション１０６とを更に有する。処理セクション１０６は、ホールドスイッチを介して検出器素子１０３に結合され、前記検出器電流を積分する積分増幅器と、前記検出器電流の周期の所定の間隔中に前記積分増幅器を検出器素子１０３に結合するために前記ホールドスイッチを動作するホールド信号SW_HOLDを生成するタイミング回路とを有する。
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