【課題】本発明は、ヘリウムガス雰囲気中で金属材料表面をレーザー照射して発光する水素の発光強度により金属材料中の水素を精度よく分析することができる水素分析装置及び方法を提供することを目的とするものである。
【解決手段】ヘリウムガスをガスボンベ８から密閉容器２内に供給して金属材料Ｓ表面の測定部位をヘリウムガス雰囲気に設定する。測定部位に向かってレーザー照射部５よりレーザーを照射して測定部位にアブレーションが生じないようにヘリウムガスをプラズマ化する。レーザー照射中においてプラズマ化したヘリウムガスの内部で発生する光を光ファイバ１５から分析部１６に伝送し、水素の発光波長の発光強度に基づいて測定部位に含まれる水素を定量的に分析する。 （もっと読む）

【課題】迅速な乾式法による分析を適用しても、亜鉛めっき浴の組成を正確かつ簡便に分析できる溶融亜鉛の分析用サンプル容器およびそれを用いた分析方法を提供する。
【解決手段】側壁部と、前記側壁部から分離可能な平坦な底部とからなり、前記底部には冷却機構が備えられ、かつ少なくとも前記底部の溶融亜鉛と接する面がステンレス鋼、銅、グラッシーカーボン、窒化ホウ素のいずれかよりなる溶融亜鉛の分析用サンプル容器。 （もっと読む）

【課題】種々の試料について、共存元素による分光干渉の影響を考慮した分析を迅速且つ適切に行うことができる発光分光分析装置を提供する。
【解決手段】試料を励起して該試料に含まれる元素に固有の波長を有する光を放出させ、その光を分光測定してスペクトルデータを取得する発光分光分析装置において、種々の目的元素毎に少なくとも該目的元素の発光スペクトル線の情報を収録した基本データベース２０３と、種々の干渉元素毎に該干渉元素が他の元素に及ぼす分光干渉の情報を収録した干渉データベース２０４と、干渉データベース２０４から一部の干渉元素に関する情報を取得して基本データベース２０３に追加するデータ追加手段２０５と、データ追加後の基本データベース２０３を参照し、測定試料のスペクトルデータに基づいて所定の目的元素に対する干渉元素の干渉量を算出する干渉量算出手段２０２とを設ける。 （もっと読む）

【課題】
プロセス後の光半導体装置の偏波特性の予測を可能とする、半導体積層構造の非破壊的な評価方法及び光半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】
半導体基板の上に形成された、活性層となる第１の半導体層と、前記第１の半導体層の上に形成された、クラッド層となる第２の半導体層とを備えた半導体積層構造に、ｓ偏光した第１の光を異なった第１の入射角から順次入射させて第１の発光波長を測定し、更に、前記半導体積層構造に、ｐ偏光した第２の光を異なった第２の入射角から順次入射させて第２の発光波長を測定する第１の工程と、前記第１の入射角に対する前記第１の波長の関係と、前記第２の入射角に対する前記第２の波長の関係に基づいて、前記第１の半導体層を活性層として形成される光半導体装置の偏波依存性を予測する第２の工程とを具備すること。 （もっと読む）

【課題】 分光器内で発生する迷光の影響を低減することが可能な分光測定装置、測定方法、及び測定プログラムを提供する。
【解決手段】 試料Ｓが内部に配置される積分球２０と、試料Ｓからの被測定光を分光して波長スペクトルを取得する分光分析装置３０と、データ解析装置５０とを備えて分光測定装置１Ａを構成する。解析装置５０は、波長スペクトルにおいて励起光に対応する第１対象領域、及び試料Ｓからの発光に対応する第２対象領域を設定する対象領域設定部と、試料Ｓの発光量子収率を求める試料情報解析部とを有し、リファレンス測定及びサンプル測定の結果から発光量子収率の測定値Φ_０を求めるとともに、リファレンス測定での迷光に関する係数β、γを用い、Φ＝βΦ_０＋γによって迷光の影響を低減した発光量子収率の解析値Φを求める。 （もっと読む）

特に医療用の、例えば内視鏡に含まれた、小型導管、例えば可撓性の管または蛇管、の内部を検査して管壁に内部汚染物質が存在するかどうかを調べる方法およびシステムであって、導管壁の屈折率より高い屈折率を有する液体を導管の内部に供給するステップと、波長ｗを有する信号を導管の一端に送り込むステップと、導管の他端で受信された信号のスペクトルと送り込まれた信号の波長ｗとを比較し、後者の信号が送り込まれた信号の波長ｗに等しくない何れかの波長ｗ’を含んでいるかどうかを、例えばスペクトル分析器によって、判定するステップと、何れの波長ｗ’もｗに等しくないと判定されなかった場合は導管は汚染されていないことを示し、何れかの波長ｗ’がｗに等しくないと判定された場合は導管は汚染されていることを示すステップと、を含む方法およびシステム。本システムは、屈折率を導管壁の屈折率より高くしうる。したがって洗浄用液体としても導光コアとしても使用される、液体によって導管内部を洗浄する手段を含みうる。 （もっと読む）

【課題】表面のダメージの程度を詳細に評価することができる化合物半導体部材のダメージ評価方法、並びに、ダメージの程度が小さい化合物半導体部材の製造方法、窒化ガリウム系化合物半導体部材及び窒化ガリウム系化合物半導体膜を提供する。
【解決手段】まず、化合物半導体基板１０の表面１０ａのフォトルミネッセンス測定を行う。次に、フォトルミネッセンス測定によって得られた発光スペクトルにおいて、化合物半導体基板１０のバンドギャップに対応する波長λ_１におけるピークＰ_１の半値幅Ｗ_１を用いて、化合物半導体基板１０の表面１０ａのダメージを評価する。 （もっと読む）

【課題】分析すべき気体をイオン化する装置（２、６）と、イオン化された気体を分析する装置（４、５）とを備えた、制御された圧力下でエンクロージャ（３）内の気体を分析するガス分析システムを提供すること。
【解決手段】本発明によれば、
分析すべき気体をイオン化する装置（２、６）は、エンクロージャ（３）内に含まれれた気体と接触しかつ分析すべき気体からプラズマを発生させる発生器（６）に結合された専用プラズマ源（２）を備え、
イオン化された気体を分析する装置（４、５）は、プラズマが発生する領域の近傍に位置しかつ発生したプラズマによって放出された放射スペクトルの変動を分析する分光計（５）に接続された放射センサ（４）を備える。 （もっと読む）

【課題】鋳片サンプル断面を研磨加工することなく偏析度の分析を行うこと可能であって、かつ、連続鋳造工程から圧延工程へ移行するまでの短時間（約２〜４時間）の間に偏析度の分析を可能とする技術の提供。
【解決手段】連続鋳造機出側で、鋳片の厚み方向中心付近に生じる中心偏析部４を含むように溶断された鋳片サンプル２を、表面研磨することなく、そのまま分析サンプルとし、この分析サンプルの表面に設定された各照射ポイント３に対して、同一ポイントにレーザー光を複数回繰り返して照射することにより、表面に形成されたスケールを溶融しながらレーザー発光分光分析を行う。 （もっと読む）

【課題】ポッケルス素子等を用いることなく、大気中の被測定領域の空間電界強度を正確に測定する。空間電界強度の遠隔計測を行う。
【解決手段】レーザー光１５を出力するレーザー装置１６と、レーザー光１５を大気中の被測定領域Ａに照射してプラズマを発生させる照射装置と、プラズマの発光を受光してプラズマの発光強度の測定値を得る受光装置と、プラズマ周囲の電界強度に対するプラズマの発光強度について予め求められた相関関係を利用して、プラズマの発光強度の測定値から被測定領域の電界強度を解析する解析装置２４とを備えるものとした。また、レーザー装置１６は超短パルスレーザー光１５を出力するレーザー装置であり、照射装置は超短パルスレーザー光１５を大気中の被測定領域Ａに照射してフィラメント１４を発生させる照射装置であり、プラズマはフィラメント１４の発生により生じるプラズマであることが好ましい。 （もっと読む）