本発明は、半導体ウェハ、光学薄膜、ディスプレイスクリーンなどの基体における欠陥の物理的特性を決定して、特定して位置を定める方法に関する。方法は、基体を撮像するためにＰＣスキャナの使用を伴う。特に、透過モード撮像において用いられるＰＣスキャナは、基体の体積に関する情報を決定することを可能にする。方法は、干渉法技術の使用により、層厚、曲率および光学定数などの特性の決定を可能にし、偏光撮像の使用により、複屈折率および歪みの決定を可能にする。方法はまた、例えば、光ルミネセンスおよびエレクトロルミネセンスなどの基体におけるルミネセンスに刺激を与え、ルミネセンスマッピングのために刺激を与えた基体を走査することに関する。
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【課題】エレクトロルミネッセンス法により半導体素子製造用の炭化珪素単結晶ウェハのエピタキシャル膜に存在する転位や積層欠陥の面内分布を検査する際に、低コストかつ短時間で検査可能な結晶欠陥検査方法および装置を提供する。
【解決手段】測定位置におけるエピタキシャル膜の上に、管部材の先端部から液体金属を押し出して接触させるか、あるいは、ウェハに対して接離可能な導電性フィルム電極を接触させて接地されたウェハ裏面との間に電圧を印加し、ウェハ面内の一括測定領域におけるアレイに対応した各位置からのＥＬ光の２次元情報をウェハ裏面側から２次元ＣＣＤアレイによって一括取得する。ウェハ面内の各一括測定領域を走査することにより、ウェハ面内における検査対象領域全体のＥＬ光に関するマッピングデータを得、該データに基づいてウェハ面内における結晶欠陥の位置を特定する。 （もっと読む）

本発明は、坑井内で地層流体の元素分析を行う方法及び装置を提供する。本発明は、分光分析法を用いて坑井内で地層流体の元素分析を行う。本発明の一面において、地層流体試料についてレーザー誘導分析を行うための方法と装置とが提供される。本発明の他の面において、スパーク誘導分光分析を行う方法と装置とが提供される。坑井内で被検流体にプラズマが誘導される。プラズマからの発光が分析されて、被検流体の元素組成が決定される。発光は、紫外、可視、及び近赤外のスペクトル領域の光を含むが、それらに限定されない。坑井内で流体の元素分析を行うために、分光器が与えられる。元素分析は流体についての情報と、その流体が生じた地層についての情報とを与える。 （もっと読む）

【課題】
半導体集積回路の不良箇所を精度よく特定できるようにする。
【解決手段】
表面に配線層が形成され半導体集積回路が構成されたシリコン基板を、以下の工程を備えて部分的に薄膜化する。
（Ａ）シリコン基板の配線層を残したままで機械的強度を維持できる範囲で裏面側を均一に薄膜化する工程、
（Ｂ）その後、前記シリコン基板の裏面側から不良箇所を特定する工程、
（Ｃ）前記シリコン基板を裏面側から加工して前記不良箇所を含む領域のシリコン基板を部分的にさらに薄膜化する工程、
（Ｄ）前記シリコン基板の裏面側から光を照射してそれによる干渉縞の生成により厚さを測定する工程を少なくとも含み、前記工程（Ｃ）で薄層化する部分のシリコン基板厚さを測定する工程。 （もっと読む）

【課題】積分球を使用することにより測定時間の短縮および測定精度の向上を図り、かつ測定装置全体の絶対感度校正において不確かな仮定を排除した校正方法を用いることにより、より簡便で高精度な発光材料のＰＬ量子収率測定方法および装置を提供する。
【解決手段】ポート１Ｐ１〜ポート４Ｐ４、バッフル７、アタッチメント６を備えた積分球５と、励起光源１と、発光スペクトル検出部８と、励起光照射に伴う試料３からの透過光および反射光を検出する光パワーメータ９ａ、９ｂと、制御用コンピュータ１０とを備える。有機ＥＬ材料薄膜からなる測定試料３を積分球５の略中央位置にアタッチメント６を用いて設置する。制御用コンピュータ１０は、光検出器８ｂおよび各光パワーメータ９ａ、９ｂの各測定器と接続されており、これら各測定器の設定を制御するとともに、これら各測定器で得られた測定データを演算解析する機能を備えている。 （もっと読む）

【課題】材料表面近傍における微小な同一領域における材料の電気的・光学的特性を測定する方法として、光励起による発光、または電流励起による発光を測定する方法等が知られているが、同一微小領域に対してこれら両測定を実施することは極めて困難であった。このため、同一装置でプローブ位置を変えることなくこれらの測定を可能にする装置の実現を目的とした。
【解決手段】先端が光透過性と導電性とを有するプローブと、照射光と試料が発光した光とを導光する光伝送路を有し、照射光の試料への入射系と反射系および試料が発光した光をこれら照射系の光から分離し光検出器に導光する光学系と不要光波長成分を除去する光バンドパス・フィルタとを有する光分波器を上記光伝送路の途中に挿入した構成とした。 （もっと読む）

【課題】20ｋΩ・ｃｍ程度以上の高い抵抗率を有する半導体の伝導型を簡易かつ迅速に判定し得る伝導型判定方法および装置を提供する。
【解決手段】伝導型判定装置１は、パルス波形発生装置２と、増幅器３と、１対の対向電極４と、半導体被検体からの発光を検出する光検出器７と、信号増幅器８と、光検出器７からの発光出力波形およびパルス波形発生装置２からのパルス波形を同一時間軸上に表示するオシロスコープ９とからなる。１対の対向電極４および上記光検出器７は発光測定部１０を構成する。１対の対向電極４は、金属電極部からなる第１電極４ａと、金属電極部が絶縁層薄膜５により被覆されてなる第２電極４ｂとからなる。 （もっと読む）

【課題】
比較的僅かの装置費用で実施できる事項により、試料の組織を立体的に解像する結像方法を提供すること。
【解決手段】
次の工程によって試料の物質のマークを付けられた組織を立体的に高解像する結像方法では：光学的切換え信号を繰り返して第一光学特性をもつ第一状態から第二光学特性をもつ第二状態へ変換でき、第二状態から第一状態へ戻されることができる一グループの物質から物質を選定し、試料の領域の物質を変換信号によって第二状態へ変換し、この際に定義された領域が適切に放出され、物質が第二状態へ移送される領域の他に適切に放出される領域を包含する記録領域用の第二状態の物質に付属される光学測定信号を記録し、物質が下位グループの物質から選定され、両状態（１、２）が少なくとも次の判断基準の一つに関して区別される：分子の立体配座状態、分子の構造式、分子内部の原子の立体的配列、分子内部の結合の立体的配列、一分子に別の原子或いは分子の付加、原子及び／又は分子のグループ化、分子の立体的配向、互いに隣接した分子の配向、多数の分子及び／又は原子により形成された配列。
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