【課題】チップサイズの増大、電極数の増加、消費電力の増加を招くことなく、また、半導体レーザ及び変調器に対する制御以外の制御を行なうことなく、さらに、素子端面における残留反射による戻り光によって半導体レーザの特性に影響を与えないようにしながら、光出力を増大させる。
【解決手段】半導体基板１上にモノリシック集積された半導体レーザ２及び変調器３を備え、両端面に無反射コート５，６が施されている光半導体素子４において、半導体レーザ１を、位相シフト７を有する回折格子８が形成されている回折格子形成領域９と、回折格子形成領域９と同一の活性層１５を有し、回折格子８が形成されていない回折格子非形成領域１０と、回折格子形成領域９及び回折格子非形成領域１０の活性層１５に電流注入を行なうための１つの電極１４とを備えるものとし、回折格子非形成領域１０を回折格子形成領域９に対して変調器３側に設ける。 （もっと読む）

【課題】入力波長の揺らぎまたは、環境温度変動に対する消光特性の変動を緩和し、安定した変調特性を実現することができる光変調器、光源装置及び前記光変調器の駆動方法を提供する。
【解決手段】本発明の光変調器は、入力された光波を変調して光波信号として出力する光変調器において、縦列接続された、共振波長が互いに異なる第１の光共振器３５及び第２の光共振器３６と、第１の光共振器３５及び第２の光共振器３６の光学損失または屈折率を同期させて互いに逆向きに変調させる変調装置１５とを有する。 （もっと読む）

【課題】不純物の不要な拡散を抑制しながら抵抗を低減することができる半導体光デバイス及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ｐ型クラッド層６には、ｐ型のドーパントであるＺｎだけでなく、Ｆｅもドーピングされている。Ｚｎ濃度は１．５×１０¹⁸ｃｍ^-3であり、Ｆｅ濃度は１．８×１０¹⁷ｃｍ^-3である。半絶縁性の埋め込み層１０には、深いアクセプタ準位を形成する不純物としてＦｅが添加されており、その濃度は、６．０×１０¹⁶ｃｍ^-3である。従って、ｐ型クラッド層６中のＦｅ濃度は、埋め込み層１０中のＦｅ濃度の３倍である。 （もっと読む）

【課題】段差領域における被り成長を抑制しながら、段差領域から一定の距離以上離れた領域でも十分な厚さを有する平坦性の良い埋込層が形成されるようにして、その後のプロセスを容易にし、歩留まりを良くすることができるようにする。
【解決手段】ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体結晶の（１００）面上に存在する段差領域Ｍ１を、酸素を供給しながらＩＩＩ族元素としてＩｎ又はＧａを含む半導体結晶を成長させて埋込層１４を形成する埋込工程を含む。 （もっと読む）

【課題】２次元フォトニック結晶共振器の作製誤差に起因する偏光モード分裂を微細に調整する。
【解決手段】２次元スラブ型フォトニック結晶に点欠陥を生成することで構成した共振器において、点欠陥に最も近接する格子点では無い格子点の屈折率の周期構造を、第１の光閉じ込め方向（Ｘ偏光方向）及びこれと直交する第２の光閉じ込め方向（Ｙ偏光方向）に関して非対称に変化させることにより、共振器のＸ偏光モードとＹ偏光モードの共鳴波長の差を解消する。 （もっと読む）

【課題】従来の電界吸収型光変調素子における低反射窓構造では，寄生容量の増加と，パイルアップのトレードオフが問題であった。これは，窓構造におけるｐｎ接合の容量密度が，光吸収領域となるｐｉｎ接合に比べて大きいこと，また，電極構造を光吸収領域と窓構造の接合部より遠ざけた場合，光吸収領域への電界印加が不充分となり，光吸収領域において発生したフォトキャリヤの排出が困難になるためである。
【解決手段】光吸収領域と低光反射窓構造との間に，その導波路構造を構成する各多層の組成波長が信号光より十分短く，かつ平均的な屈折率が光吸収領域と同程度の組成波長・膜厚構造からなるアンドープの導波路構造を設ける。電極構造を，光吸収領域とアンドープ導波路の接合界面は横断し，かつ，アンドープ導波路と窓構造の接合界面には架からないように形成すれば，窓構造のｐｎ接合による寄生容量の増加と，パイルアップの両者を同時に抑制できる。 （もっと読む）

【課題】半導体変調器において、高温動作特性を向上する。
【解決手段】半導体変調器を、３元混晶の半導体結晶ＩｎＧａＡｓ基板１上に、光吸収層として、ＩｎＧａＡｓ圧縮歪量子井戸層の両側に、基板に格子整合するＩｎＡｌＡｓ障壁層を配したＩｎＧａＡｓ／ＩｎＡｌＡｓ量子井戸層３を形成する構成とした。 （もっと読む）

【課題】ＩｎＧａＡｓ基板上の歪量子井戸構造における、歪補償をすると共に、結晶性の向上と熱抵抗を低減する。
【解決手段】 ＩｎＧａＡｓ基板１の上に、歪量子井戸構造αを構成する。この歪量子井戸構造αの量子井戸層４，６，８は、圧縮歪となっている。この圧縮歪を歪補償するため、引っ張り歪となるＧａＡｓ層を含むＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ障壁層３，５，７，９を、量子井戸層４，６，８の間に積層形成する。これにより、歪によるミスフィット転位や欠陥の発生が緩和される。また２元結晶であるＧａＡｓは熱抵抗が低減し温度上昇を抑制することができる。なお、引っ張り歪となるＧａＡｓの代わりに、ＡｌＡｓ、ＡｌＧａＡｓ、またはＩｎＧａＡｓを用いることもできる。 （もっと読む）

本発明の種々の実施の形態は、電磁搬送波内にデータを符号化すると共に電磁搬送波の伝達を調整するために用いることができるフォトニックシステム及び方法に関する。本発明の１つの実施の形態では、フォトニックシステム（１０００、１５００）は、多数の電磁波を伝送するように構成される第１の導波路１００２を備える。フォトニックシステム（１０００、１５００）は共振空胴１０１４、１５０４を有するフォトニック結晶（１００４、１５０２）を備え、第１の導波路１００２からの電磁波のうちの１つ又は複数を共振空胴（１０１４、１５０４）の中に選択的にエバネッセント結合するように構成される。フォトニックシステム（１０００、１５００）はエバネッセント結合を介して、共振空胴（１０１４、１５０４）から１つ又は複数の電磁波を伝送及び抽出するように配置される第２の導波路（１００６）も備える。
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【課題】チャープを低減可能な電界吸収型光変調半導体素子が提供される。
【解決手段】井戸層２３ａのｎ側の障壁層２３ｃとの間に中間層２３ｂが位置するので、逆バイアスの印加により伝導帯の電子の井戸層２３ａへの閉じ込めが弱くなって、電子の波動関数φ_Ｅのピークが中間層２３ｂへ向けてシフトする。このため、電子の波動関数φ_Ｅが井戸層２３ａおよび中間層２３ｂに広がり、電子の波動関数φ_Ｅのピーク値が小さくなる。一方、井戸層２３ａのｐ側の障壁層２３ｃとの間には中間層２３ｂがないので、重い正孔の波動関数φ_ＨＨは、逆バイアスの印加により重い正孔が中間層２３ｂとは反対側の向きにシフトして、重い正孔の波動関数φ_ＨＨが局在し、この波動関数φ_ＨＨのピーク値が大きくなる。これ故に、電子の波動関数と正孔の波動関数との重なりは全体として小さくなる。圧縮歪みの井戸層２３ａにより、αパラメータの値が更に負にシフトする。 （もっと読む）