国際特許分類［G02F1/017］の内容
物理学 (1,541,580) | 光学 (228,178) | 光の強度，色，位相，偏光または方向の制御，例．スイッチング，ゲーテイング，変調または復調のための装置または配置の媒体の光学的性質の変化により，光学的作用が変化する装置または配置；そのための技法または手順；周波数変換；非線形光学；光学的論理素子；光学的アナログ／デジタル変換器 (92,458) | 独立の光源から到達する光の強度，色，位相，偏光または方向の制御のための装置または配置，例．スィッチング，ゲーテイングまたは変調；非線形光学 (92,146) | 強度，位相，偏光または色の制御のためのもの (89,922) | 少なくとも１つの電位障壁を有する半導体素子に基いたもの，例．ＰＮ，ＰＩＮ接合 (450) | 周期的または準周期的なポテンシャル変化を持つ構造，例．超格子，多重量子井戸 (127)
国際特許分類［G02F1/017］に分類される特許
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半導体マッハツェンダ型光変調器及びその製造方法
【課題】 ＩｎＰ系材料からなる容量装荷型の半導体マッハツェンダ型光変調器において、低チャーピング（ゼロチャーピングを含む）を実現できるようにする。
【解決手段】 半導体マッハツェンダ型光変調器を、ＩｎＰ系材料からなり、マッハツェンダ光干渉計を構成する第１及び第２光導波路と、第１光導波路の側方の第１ライン電極と、第２光導波路の側方の第１ライン電極よりも幅の広い第２ライン電極と、第１光導波路上に形成され、第１ライン電極に接続される複数の第１離散電極と、第２光導波路上に形成され、第２ライン電極に接続される複数の第２離散電極と、複数の第１離散電極及びその下方の第１光導波路からなる複数の第１位相変調器と、第２離散電極及びその下方の第２光導波路からなる複数の第２位相変調器とを備えるものとし、複数の第２位相変調器の合計作用長を、複数の第１位相変調器の合計作用長よりも長くする。
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フォトニック結晶半導体デバイス及び半導体レーザ集積デバイス
【課題】 低チャーピングで、高入力時にも高速動作が可能であり、かつ、十分な消光比を有し、半導体レーザとの集積も可能な光変調器を実現することを課題とする。
【解決手段】 半導体基板上に形成され、二次元的な屈折率の周期構造を光の波長オーダで有するフォトニック結晶を用いたフォトニック結晶半導体デバイスにおいて、前記フォトニック結晶（１２）に光を所定の方向から入射させる光入射部（１３）と、前記フォトニック結晶から光を取り出す光出射部（１４）と、前記フォトニック結晶に電圧あるいは電流を印加する電極（１５）とを有し、かつ、前記フォトニック結晶（１２）中に多重量子井戸構造（２４）が形成されており、前記電圧あるいは電流の印加により前記フォトニック結晶（１２）中の光の伝搬方向が変化することを特徴とする。特に、光の入射方向と周期構造のいずれか一つの対称軸とのなす角度を０°より大きく１５°より小さくする。
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電界吸収変調型ファブリーペローレーザ及びその製作方法
電界吸収変調型ファブリーペローレーザ及びその製作方法が開示される。一態様において、光源(10)は、多モードレーザ光を生成するように動作可能なファブリーペロー(FP)レーザ(14)、通過するレーザ光を選択的に吸収及び伝達するように構成された電界吸収型光変調器(EAM)(18)、及び光アイソレータ(16)を含む。光アイソレータ(16)は、FPレーザ(14)とEAM(18)との間の光路上にある。光アイソレータ(16)は、FPレーザ(14)からEAM(18)までの光路に沿って進むレーザ光を伝達するように構成される。 
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光変調器および特性制御方法
【課題】光変調器のＥ／Ｏ応答特性を光変調器の製造後に容易に調整できる光変調器および特性制御方法を提供する。
【解決手段】可変容量５は、第２の電気信号線４に対して並列に接続されている。このような可変容量５の容量値を調整することにより光変調器のＥ／Ｏ応答の周波数特性を調整する。これにより、光変調素子１０自体に特性ばらつきが存在しても、その特性ばらつきを光変調器の製造後であっても吸収または抑制することが可能となる。
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半導体量子井戸素子
半導体量子井戸素子及びその製造方法を開示する。一態様では、素子は、半導体層（40-52）を含む量子井戸構造（38）からなり、半導体層（40-52）は交互に配置されている重い正孔と軽い正孔の価電子帯量子井戸を画定する。量子井戸のそれぞれは、障壁層の間に介在する量子井戸層を含む。軽い正孔の量子井戸（60、62）の一つの障壁層として機能する半導体層の一つは、重い正孔の量子井戸（54、56、58）の一つの量子井戸層としても機能する。重い正孔の量子井戸（54、56、58）の一つの障壁層として機能する他の半導体層は、軽い正孔の量子井戸（60、62）の一つの量子井戸層としても機能する。 （もっと読む）
単一のステップＭＯＣＶＤによって製造される埋め込みヘテロ構造デバイス
デバイスが、成長面（１２２）、成長マスク（１３２）、成長導波コアメサ（１４０）およびクラッド層（１６０）を有する光電子デバイスまたは透明な導波デバイスである。成長マスクは、成長面上に配置されており、細長い成長窓を画定する。光導波コアメサは、成長窓内に配置されており、台形の断面形状を有している。クラッド層は、光導波コアメサを覆い、成長マスクの少なくとも一部上に延びている。このようなデバイスは、成長面（１２２）を有するウェハ（１１０）を設け、光導波コアメサ（１４０）をマイクロ選択領域成長によって第１の温度で成長面上に成長させ、さらに、光導波コアメサを、第１の温度より低い第２の温度でクラッド材料（１６０）で覆うことによって製造する。 
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光デバイスにおける光ビームをフォトニック結晶格子により調整するための装置および方法
【課題】フォトニック結晶格子のフォトニックバンドギャップを調整することにより、光ビームを調整する装置および方法を提供する。
【解決手段】本発明の一実施例によれば、装置は、第１の半導体材料１０３内にフォトニック結晶格子を含む。第１の半導体材料１０３は、その内部で定義される複数のホール１０７を有する。複数のホールは、フォトニック結晶格子を定義するホールピッチおよびホール半径により、第１の半導体材料１０３内に周期的に配列される。装置は、また、第１の半導体材料１０３内で定義される複数のホール１０７のそれぞれの内面の直近に配置され、かつ、そこから絶縁される第２の半導体材料領域４１９と、この半導体材料領域４１９内で調整される電荷調整領域とを含む。光ビームは、フォトニック結晶格子を介し導かれ、かつ、フォトニック結晶格子の調整された有効フォトニックバンドギャップに応答して調整される。有効フォトニックバンドギャップは、電荷調整領域に応答して調整される。
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