【課題】耐圧が高く、製作の容易なｎｐｉｎ型光変調器を提供する。
【解決手段】本発明の一実施例による半導体光増幅器１０は、基板側にカソード層１２−１を配置して順次積層されたｎｐｉｎ型の半導体光変調器であって、少なくとも第１のｎ型クラッド層１３−１、ｐ型クラッド層１４、コア層１７、および第２のｎ型クラッド層１３−２を含む半導体光変調器において、ｐ型クラッド層１４がカソード層の電極１８−１に電気的に接続されていることを特徴とする。これによって、ｎｐｉｎ型光変調器での光吸収に伴うｐ型クラッド層へのホールの蓄積をマイナス側の電極に吸収させることができる。このｎｐｉｎ型の半導体光変調器は、メサ型の導波路構造とすることにより、従来の半導体製造技術を用いて比較的容易に製作することができる。 （もっと読む）

【課題】光導波路層を含むメサストライプを、上面が平坦な平坦部、傾斜部及び微成長部からなる半絶縁性のＩｎＰ系埋込み層により埋め込み、埋込み層４上に電極パッドが形成された素子の電極パッドの寄生容量を小さくする。
【解決手段】メサストライプ２に沿って複数のメサストライプ２に平行するダミーメサストライプ８を形成し、ダミーメサストライプ８の間を埋込み層４の平坦部４ａで埋め込み、その上に電極パッド７を形成する。平坦部４ａは、ダミーメサストライプ８の厚さを有して平坦に形成されるから、電極パッド７と基板１間の距離が長くなり、この間の寄生容量が小さい。従って、高周波特性が優れた光半導体素子となる。 （もっと読む）

【課題】半導体レーザおよびＥＡ変調器を含む半導体光素子を基板上に作製する方法において、半導体の曲がりを小さくすること。
【解決手段】ＥＡ変調器のための活性層２７を成長するに先だって、第１半導体部１９のエッチング端面１９ａ上の堆積物、つまり第１光閉じ込め層２３の成長時に形成された異常成長部２５の少なくとも一部をエッチングによって除去する。これにより、ＥＡ変調器のための活性層２７が異常成長部２５のため曲がることを小さくできる。 （もっと読む）

【課題】部品点数の削減と歩留まりの向上及び半導体レーザと集積したモジュールの小型化を図ることができ、消光比の劣化を抑制できる光集積回路を提供する。
【解決手段】光集積回路１は半導体マッハツェンダ干渉計型変調器部（半導体ＭＺ変調器部）２と、フォトダイオード部３とを備える。半導体ＭＺ変調器部２は、入力側導波路４に接続された１×２ＭＭＩカプラ１０と、出力側導波路５に接続された１×２ＭＭＩカプラ１１と、１×２ＭＭＩカプラ１０，１１の間に接続された導波路８，９とを備える。入力側導波路４、１×２ＭＭＩカプラ１０，１１、導波路８，９、及び出力側導波路５は、InP基板７上に形成されている。フォトダイオード部３は半導体ＭＺ変調器部２の入力側導波路４にインラインに集積されている。 （もっと読む）

【課題】 コヒーレントフォノンからテラヘルツ電磁波を発生させる方法、特に高強度でテラヘルツ電磁波を発生させる方法を提供すること。
【解決手段】 量子構造におけるコヒーレントフォノンを用いてテラヘルツ電磁波を発生させる方法において、その量子構造において光パルスを励起子吸収ピークと共鳴させるか、或いは、量子構造に電場を印加し光パルスで量子構造内に電場遮蔽を瞬間的に起こさせることで、高振幅のコヒーレントフォノンを生成し、それによる分極の振動でテラヘルツ電磁波を発生させる。 （もっと読む）

【課題】誘電体単結晶からなるスラブと、貫通孔によって形成されている格子列とを備えているスラブ型２次元フォトニック結晶構造を製造するのに際して、多数の貫通孔を精度良く高効率で形成できる方法を提供することである。
【解決手段】誘電体単結晶からなる誘電体単結晶基板１の一方の主面１ａをエッチングすることによって、誘電体単結晶基板１に凹部４を形成する凹部形成工程、および
誘電体単結晶基板１の他方の主面１ｂを機械加工することによって、スラブ１０を形成し、かつ凹部４を貫通させて貫通孔１１を形成する貫通孔形成工程を有する。 （もっと読む）

【課題】変調器構造の改良によって、優れたフォトニック結晶特性発現と共に高速動作が可能な光変調器を提供することである。
【解決手段】光機能素子１は、誘電体層４と、誘電体柱によって形成されている複数列の格子列５とを備えており、導波部６が形成されているスラブ型２次元フォトニック結晶層２９、誘電体層４上に形成されており、導波部６を伝搬する光に変調電圧を印加するための接地電極８および信号電極９、誘電体層に対して積層されている高誘電率層２、および、導波部６および導波部６から少なくとも３列目の格子列７Ｃが面する低誘電率部３を備えている。 （もっと読む）

【課題】小型化・集積化ができる半導体素子を用いて光強度に応じて光の位相を制御する遅い緩和を伴わない高速の光位相変調回路と、この光位相変調回路を用いた、光強度変調を位相変調に変換する回路と、強度変調を差動位相変調に変換する回路と、差動位相変調信号を再生する光信号再生回路と、干渉を利用する光ゲートスイッチ回路を提供することを目的とする。
【解決手段】光位相変調回路は、光位相変調素子と、光バンドパスフィルタと、光方向性結合器とからなり、波長λ_Cの制御光と、波長λ_Pのプローブ光とを、前記光方向性結合器により結合して前記光位相変調素子に入力し、該光位相変調素子で位相変調したプローブ光を前記光バンドパスフィルタにより抽出して、制御光の強度により、プローブ光の位相を変調することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＤＦＢ半導体レーザの発振波長とＥＡ変調器の吸収端波長との調整をとることが容易な、半導体光集積素子を作製する方法を提供する。
【解決手段】第１の半導体積層物２５のIII−Ｖ化合物半導体膜２１ａ上だけでなく第２の半導体積層物３１のIII−Ｖ化合物半導体膜２９上にも回折格子用マスク３３を形成する。回折格子用マスク３３を用いて第１の半導体積層物２５のIII−Ｖ化合物半導体膜２１ａをエッチングして、パターン形成された回折格子構造２１ｂを形成する。回折格子用マスク３３を除去した後に、第１の積層構造物２５内の回折格子構造２１ｂおよび第２の積層構造物３１内の半導体膜２９を覆うように、カバー層のためのIII−Ｖ化合物半導体膜３５を堆積する。回折格子構造２１ｂの屈折率とIII−Ｖ化合物半導体膜３５の屈折率との差により分布帰還のための周期構造が提供される。 （もっと読む）

【課題】製造が容易であり、表面プラズモン波の伝搬距離のより長い導波構造及び光学素子を提供する。
【解決手段】 導波構造は半導体基板１０上に積層される量子井戸構造２０を備えている。量子井戸構造内の量子井戸層２２は、半導体基板１０に対する量子井戸構造の配列方向に略直交する仮想平面と交差している交差領域２２ａを有し、量子井戸構造の誘電率の実数部は所定波長のＴＨｚ波に対して負である。この場合、交差領域２２ａ内で電子振動が生じた場合には常に上記配列方向の成分が存在し、量子井戸構造の誘電率の実数部が所定波長のＴＨｚ波に対して負であるため、交差領域２２ａを利用して表面プラズモン波を伝搬できる。量子井戸構造ではキャリア濃度を上げながらキャリア移動度を上げることができるため、表面プラズモン波をより長く伝搬できる。また、加工が容易な半導体からなる量子井戸構造を採用しているため導波構造の製造が容易である。 （もっと読む）