【課題】本発明は、所定の伝送品質をそれぞれ満たすアンドープ層の層厚値の条件を満たす層厚値を有するアンドープ層を積層させた電界吸収型変調器を作製することで、所定の高速動作時において所定の長距離伝送が可能となる電界吸収型変調器集積レーザ素子の製造方法を提供することにある。
【解決手段】アンドープ層の層厚が異なる複数の電界吸収型変調器を作製し、帯域及びチャープ特性を測定し、これら特性とアンドープ層の層厚の相関図を作成することで、これら特性の層厚依存性が求まり、当該層厚値の条件を得る。 （もっと読む）

【課題】化合物半導体を利用した光変調素子を含む変調器では、適切な結晶成長を確保するため、屈折率変化量が大きい方向、すなわち屈折率変調効率が高い方向にレーザおよび変調素子のメサストライプを形成し、高効率な屈折率変調を実現することができない課題があった。より低バイアス電圧で変調素子の制御駆動が可能であって、光損失変動が小さく、大きな屈折率制御量を得ることができる構造の実現が望まれていた。
【解決手段】電圧制御を用いて屈折率変調を行う半導体光制御装置において、ｐクラッド、ｎクラッド層に挟まれた単層または複数層からなる屈折率制御層の少なくとも一部がドーピング層を持っている。層構造は、バルク層、単層または多重量子井戸層とすることができる。素子ストライプの結晶方位は［１１０］に準ずる方向または［１−１０］に準ずる方向とする。 （もっと読む）

【課題】時間ジッタが小さいパルスレーザ光を出力できるモード同期半導体レーザを提供すること。
【解決手段】化合物半導体からなる基板上に、ささやき回廊モード共振器が外周部を有し、該外周部の内側を光が周回するように構成した化合物半導体製のささやき回廊モード共振器と、前記ささやき回廊モード共振器に直接、もしくは間接的に接続し、光増幅利得を有する化合物半導体製の光増幅部と、前記ささやき回廊モード共振器に直接、もしくは間接的に接続し、該ささやき回廊モード共振器に光を入出力する化合物半導体製の光導波路とを有し、前記ささやき回廊モード共振器と前記光増幅部と光導波路がモノリシックに集積され、モード同期によりパルスレーザ光を発振するモード同期の手段を有する。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、動作可能波長帯域が広く、光ファイバによる分散に対しても波形劣化がすくない、小型の光変調器を実現することを目的としている。
【解決手段】 レーザー光に信号を重畳する光変調器であって、レーザー光を導波するための光導波層と、光導波層を間に挟んで設けられ、光導波層より屈折率が小さい第１クラッド層および第２クラッド層と、光導波層を伝搬するレーザー光を多重反射させるために、対向して設けられた２つの反射器と、２つの反射器の間に配置されて、光導波層の屈折率を変化させるための変調信号が印加される電極と、を備え、電極に印加された変調信号によって光導波層の屈折率が相対的に高くなる方向に変化する条件において、対向して設けられた２つの反射器の外側に出力される信号光の強度が高くなる動作点に設定されることを特徴とする光変調器。 （もっと読む）

【課題】本発明は、導波路の狭メサ化及び側壁円滑化が図れる導波路の作製方法を提供することを課題とする。
【解決手段】スラブ導波路層を有する第１の基板を用意する工程と、該第１の基板の上にシリコン酸化膜を堆積する工程と、その上に所定のパターン開口を有するマスク層を形成する工程と、該マスク層をマスクとして開口部のシリコン酸化膜及びこれに隣接するマスク層下のシリコン酸化膜の一部を除去する工程と、マスク層及びスラブ導波路層上に第１の金属及びスラブ導波路層よりエッチング選択性の小さい第２の金属との積層構造を形成する工程と、該マスク層及びシリコン酸化膜を除去する工程と、第２の金属をマスクにスラブ導波路層をパターニングしてメサ導波路とする工程と、第１の金属とともに第２の金属をリフトオフする工程とを含む導波路の作製方法である。 （もっと読む）

【課題】温度調節手段を用いることなく比較的長波長帯でも長距離伝送が可能な半導体レーザモジュールを提供すること。
【解決手段】半導体レーザ部と、該半導体レーザ部の出力側に配置される電界吸収型変調部と、が形成されるレーザ素子と、該レーザ素子を内部に収容する筒状の筐体と、を含む半導体光モジュールであって、前記電界吸収型変調部は、光導波路層を含むとともに上下に電極が配置されるメサ構造と、該光導波路の両側部に隣接して配置される半絶縁半導体からなる埋め込み層と、を含み、前記埋め込み層は、鉄が不純物として添加されたインジウム燐により構成され、リン酸トリブチルを燐の原料とした埋め込み成長法により形成されたり、不純物としてルテニウムが添加されたりする。或いは、前記メサ構造の最上層は、炭素が不純物として添加された半導体により構成され、上側の前記電極に接触する。 （もっと読む）

【課題】半導体マッハツェンダ型光回路の２つの電極間に発生するリーク電流を防止する手段を提供する。
【解決手段】光導波路を２方向に分岐する２つの分岐部と、分岐された光導波路の間を接続する第１および第２のアーム部とで形成された光回路を備え、光導波路を、第１導電型半導体からなる第１のクラッド層と、第１のクラッド層上に形成されたウェル層と、ウェル層上に形成された、第１導電型とは逆型の第２導電型半導体からなる第２のクラッド層とを積層して形成し、第１および第２のアーム部の第２のクラッド層に電気的に接続する第１および第２の電極を形成した半導体マッハツェンダ型光回路において、第１および第２の電極の両側の領域の、第１および第２のアーム部と、それらの両端をそれぞれ接続する分岐部とで形成される、第１の電極から第２の電極に至るそれぞれの第２のクラッド層の電極直下を除く少なくとも一部に、第１導電型半導体からなる第３のクラッド層を形成する。 （もっと読む）

【課題】２次の電気光学効果を有する半導体光導波路を備えた干渉型光強度変調器のチャープが少ない駆動方法を提供する。
【解決手段】 第１及び第２の半導体光導波路１２、１３にそれぞれ印可される第１及び第２の変調電圧Ｖ１、Ｖ２を、第１の定常状態と第２の定常状態の間を推移する間、Ｖ１Ｖ１’＋Ｖ２Ｖ２’＝０となるように制御する。ここで、Ｖ１’、Ｖ２’はＶ１、Ｖ２の時間微分である。かかる制御により、チャープパラメータαの２次の電気光学効果に由来する項が小さくなる。 （もっと読む）

【課題】変調振幅電圧を一定とすることで、回路、調整のコストを低減し、波形品質も一定に保つことを可能とする半導体光変調器及びその制御方法を提供すること。
【解決手段】制御演算装置２１は、温度制御とレーザ電流制御により、半導体波長可変レーザ１２が所望の波長の光を出力するよう制御を行う。Ｖ_Ｄａｔａをスイープさせ、半導体光変調器１４を通って出力される光パワーをパワーモニタＰＤ１６、もしくは、光パワーメータ２４にて測定し、出力光パワーのＶ_Ｄａｔａ依存性を測定する。ｃ_０＋ｃ_１×Ｖ_Ｄａｔａ＋ｃ_２×Ｖ_Ｄａｔａ^２に対してカーブフィッティングを行い、得られた１次と２次の係数ｃ_１、ｃ_２、所望とする変調振幅電圧Ｖ_ｍ、及び式６から設定すべきＶ_Ｄａｔａが求められる。これらの値を用いて、式７からＶ_Ｂａｒを求める。これらの操作を半導体波長可変レーザ１２が出力する全波長に対して行い半導体光変調器１４に求めたＤＣバイアス電圧Ｖ_Ｄａｔａ、Ｖ_Ｂａｒを印加することで、全波長領域で一定Ｖ_ｍでの変調が実現される。 （もっと読む）

【課題】 マッハツェンダ型光変調器の２本の変調導波路の間に配置された接地電極が変調導波路と交差する部分の作製のために、製造工程が複雑になる。
【解決手段】 半導体基板の上に、相互に間隔を隔てて第１及び第２の変調導波路(28,29)が配置される。さらに、第１及び変調導波路に接続される分波器(25)及び合波器(30)が配置される。第１の変調導波路の上に第１の信号電極(35)が配置され、第２の変調導波路の上に第２の信号電極(36)が配置される。第１の信号電極の両側の基板表面のうち、第２の信号電極側に第１の内側接地電極(39)が配置され、その反対側に第１の外側接地電極(37)が配置される。第２の信号電極の両側の基板表面のうち、第１の信号電極側に第２の内側接地電極(39)が配置され、その反対側に第２の外側接地電極(38)が配置される。第１の及び第２の内側接地電極は、第１の変調導波路及び前記第２の変調導波路のいずれとも重ならない。 （もっと読む）