【課題】デバイスサイズの縮小、シリーズ抵抗の低減、及びリーク電流の抑制を可能とする半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、デバイス動作にとって、本来は不要な電位段差を発生させる層をデバイスの構造内にあえて挿入したものである。この電位段差は、バンドギャップの小さな半導体がメサ側面に露出しても、その部分の電位降下量を抑制し、デバイス動作に不都合なリーク電流を低減できる、という機能をもたらす。この効果は、ヘテロ構造バイポーラトランジスタ、フォトダイオード、及び電界吸収形光変調器などに共通して得られる。また、フォトダイオードにおいては、リーク電流が緩和されるのでデバイスのサイズを縮小することが可能となり、シリーズ抵抗の低減による動作速度の改善のみならず、デバイスを高密度にアレイ状に配置できるという利点も生まれる。 （もっと読む）

【課題】変調電圧を大きくしなくても周波数特性の劣化を防ぐことができる光半導体装置を得る。
【解決手段】半導体レーザ１からの光をマッハツェンダ型光変調器２が変調する。マッハツェンダ型光変調器２の出力光をマッハツェンダ型光変調器３が変調する。マッハツェンダ型光変調器２，３の各々は、活性層１２を含むアンドープ層２０と、アンドープ層２０を挟むｎ型ＩｎＰクラッド層１１及びｐ型ＩｎＰクラッド層１４とを有する。マッハツェンダ型光変調器２の活性層１２のバンドギャップ波長が、マッハツェンダ型光変調器３の活性層１２のバンドギャップ波長よりも短い。 （もっと読む）

【課題】メサ部上の樹脂領域の開口が狭い場合であっても、ＡｕＺｎ膜を含む金属膜をメサ部上に容易に形成することが可能な半導体光変調素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】メサ部３２を保護膜２２によって覆う第１の絶縁膜形成工程と、メサ部３２を樹脂領域２０によって埋め込むとともに、メサ部３２上の該樹脂領域２０の部分に開口２０ｃを形成する工程と、開口２０ｃにおいて露出した保護膜２２、及び樹脂領域２０を保護膜２４によって覆う第２の絶縁膜形成工程と、メサ部３２上の保護膜２２，２４の部分に開口を形成する工程と、Ｔｉ膜を含む金属膜２６ａを、該Ｔｉ膜と保護膜２４とが互いに接触するように開口２０ｃ内を除く樹脂領域２０上に形成する工程と、Ａｕ膜を含む金属膜２６ｂを、該Ａｕ膜とメサ部３２とが互いに接触するようにメサ部３２上から金属膜２６ａ上に亘って形成する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】サブバンド間遷移素子とシリコン細線によるハイブリット集積化において、シリコン細線との結合効率の向上、及び光路長増大による位相変調効果の増大を実現させ、光ゲートスイッチのＳＮ比改善と低エネルギー動作化等の高性能化を実現する。
【解決手段】ＩｎＧａＡｓやＡｌＡｓＳｂなどの量子井戸構造を形成可能な半導体材料を用い、その量子井戸構造でのサブバンド間遷移によって引き起こされる位相変調効果を有するサブバンド間遷移導波路に、ＴＥ光信号に対する反射構造（Ｒ１）を設けてサブバンド間遷移スイッチ導波路１０を構成する。導波路端面（Ｐ１）から入力された信号光５は、導波路で位相変調効果を受け、光導波路に設けた反射構造（Ｒ１）にて反射され、再び、導波路内で位相変調効果を受けて、導波路端面（Ｐ１）から出力されるので、シリコン細線導波路との入出力端の同一化および光路長増大を実現できる。 （もっと読む）

【課題】埋め込みヘテロ構造を有する半導体光素子において、寄生容量が軽減される構造にすることにより、特性がさらに向上される半導体光素子の製造方法、レーザモジュール、及び、光伝送装置の提供。
【解決手段】 出射方向に沿って入力される光を変調して出射する変調器部、を備える半導体光素子の製造方法であって、前記変調器部は、アルミニウムを含む量子井戸層を備えるとともに、メサストライプ構造を有する半導体多層と、前記半導体多層の両側にそれぞれ隣接して配置されるとともに、不純物が添加される半導体埋め込み層と、を備え、前記半導体多層の所定の領域を除去して、メサストライプ構造とする工程と、 前記半導体多層の両側の表面を、塩素系ガスを用いてクリーニングする工程と、前記半導体多層の両側に、前記半導体埋め込み層を形成する工程と、を、順に含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】マッハツェンダ型変調器の出力特性の向上を図る。
【解決手段】マッハツェンダ型変調器１０は、第１光導波路１３ａ及び第２光導波路１３ｂと、第１光導波路１３ａに設けられた第１変調電極１６ａ及び第１調整電極１７ａと、第２光導波路１３ｂに設けられた第２変調電極１６ｂ及び第２調整電極１７ｂとを備える。このマッハツェンダ型変調器１０において、第１光導波路１３ａと第２光導波路１３ｂの間の位相差を維持しながら、第１調整電極１７ａと第２調整電極１７ｂにそれぞれ電気信号を供給し、第１光導波路１３ａと第２光導波路１３ｂの間の損失差を調整する。このような方法で位相差及び損失差を適切に調整することにより、消光比、チャープ特性の向上を図ることが可能になる。 （もっと読む）

【課題】異方的なプラズモン共鳴を利用することにより、動作波長より小さい厚さの極小な偏光制御素子を提供する。
【解決手段】光の入射方向をＺ方向とし、入射光の偏光方向を、前記Ｚ方向に直交するＸＹ平面とする偏光体よりなる偏光制御素子であって、前記偏光体が、ＸＹ平面において、異方な形状の単位胞を、ＸＹ平面上に一定周期で配置して、ＸＹ平面で異なる方向に対して異なるプラズモン共鳴波長を有する周期層により前記偏光体を構成する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、高速かつ波長分散耐性の高い伝送を行うための光変調信号生成方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る光変調信号生成方法は、周波数変調信号を生成して出力する周波数変調光源と、強度変調信号を生成し、前記周波数変調信号を入力して、前記強度変調信号によって周波数変調信号に強度変調を付加する強度変調器とから構成される光変調信号生成装置を利用して光変調信号を生成する光変調信号生成方法であり、前記光変調信号生成装置は、前記周波数変調光源と前記強度変調器とを同一のビットパターンを用いて駆動することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】井戸層数、変調器長を変化させないまま消光比を増大する光半導体装置を提供することにある。
【解決手段】半導体混晶からなる基板１１と、基板１１の上に形成される、量子井戸層、バリア層を含む多重量子井戸構造の活性部１２と、活性部１２の上下をそれぞれ覆う上下クラッド部１３，１４とからなる電界吸収型光変調器を有し、上クラッド部１３の一部をエッチングし、光波長程度の幅のリッジメサ部１５をもつ、リッジ導波路構造を作製し、リッジメサ部１５の両脇を熱伝導率の小さい有機材料で埋め込んだ埋め込み部１６を設けた。 （もっと読む）

【課題】ファブリー・ペロー共振反射に基づいた広い帯域幅を有する光変調器を提供する。
【解決手段】下部ＤＢＲ層１１０と、少なくとも一つの層及び変形された層を備える上部ＤＢＲ層１３０と、下部ＤＢＲ層と上部ＤＢＲ層との間に配置された活性層１２０と、を備え、上部ＤＢＲ層の少なくとも一つの層は、第１屈折率を有する第１屈折率層及び第２屈折率を有する第２屈折率層の少なくとも一つの対を備え、上部ＤＢＲ層の変形された層は、第３屈折率を有する第３屈折率層及び第４屈折率を有する第４屈折率層の少なくとも一つの対を備え、第３屈折率と第４屈折率とは異なり、第３及び第４屈折率層のうち少なくとも一つは、λ／４またはその奇数倍とは異なる第２光学的厚さを有する。 （もっと読む）