【課題】低容量化と高い変換効率とを両立し得る半導体光素子を提供する。
【解決手段】半導体光素子１０は、基板上に形成された活性層を含むメサ構造の光導波路と、このメサ構造の両側面を被覆する高抵抗半導体からなる埋め込み層とを備える。メサ構造の光導波路は、複数のシングルモード光導波路１１Ｓと、これらシングルモード光導波路１１Ｓを介して光学的に直列で結合された１個以上のマルチモード干渉光導波路１１Ｍとを含む。光導波路全体の光伝搬方向の断面積は、光導波路の全長とシングルモード光導波路１１Ｓの幅との積の１．４倍以上３倍以下の範囲内である。 （もっと読む）

【課題】 本願発明の課題は、変調器集積レーザのモジュール消費電力を低減することにある。
【解決手段】 レーザ活性層領域を構成する多重量子井戸をＩｎＧａＡｌＡｓ／ＩｎＧａＡｌＡｓで構成することによって、高温に素子を保っても信頼性および光出力レベルをたもつ。このとき変調器とレーザの波長の発振波長とバンドギャップ波長の差は上記素子設定温度上昇に比例した分だけ大きくとることが伝送特性を維持するために必要である。このことによってモジュールケース温度と素子設定温度差が小さくなり、モジュール消費電力を低減することができる。 （もっと読む）

【課題】素子抵抗を小さくすることができ、低反射率を得ることが可能な半導体光機能素子とその製造方法および電界吸収型光変調器集積半導体レーザを提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体光機能素子１０では、所定波長の光を射出する半導体レーザ部１１と、半導体レーザ部と同一基板上に形成され、側面が所定の曲率で湾曲した逆メサ形状の光導波路１７を有する電界吸収型変調部１３と、を設けた。本発明によれば、逆メサ形状を有する導波路を形成することにより素子抵抗を小さくすることができ、かつ、逆メサ形状を有する導波路の側面が湾曲しているため、端面での反射戻り光が導波路に再入射しなくなり、反射率の低減が可能となる。 （もっと読む）

【課題】太陽光エネルギーを電力に変換する際の変換効率を低コストでしかも低労力で向上させる。
【解決手段】太陽光エネルギーを電力に変換する太陽電池用の波長変換素子において、供給される太陽光のうち太陽電池２の吸収帯域に対応する光を透過可能な基板１１と、供給される太陽光における紫外光に応じて励起子が励起される第１のエネルギー準位を有する複数の量子ドット１１からなる入力側量子ドットグループ１３と、第１のエネルギー準位との共鳴に応じて入力側量子ドットグループ１３を構成する各量子ドット１２から基板１１を介して励起子が注入される共鳴エネルギー準位を有し、当該共鳴エネルギー準位から放出されたエネルギーに応じて紫外光より長波長である、太陽電池２の吸収帯域の出力光を生成する出力側の量子ドット１４とを備える。 （もっと読む）

【課題】領域選択成長技術を適用して、均一性のある微細構造を生産できる微細構造素子製造装置及び微細構造素子生産方法を提供すること。
【解決手段】基板が搭載される試料ホルダ４０と、基板３０に選択的に結晶を成長させるため基板の温度を所定の範囲に加熱する加熱器５０と、基板３０に選択的に結晶を成長させるための少なくとも１つ以上の第１の開口部と、当該１つ以上の第１の開口部の外側に複数の第２の開口部を有するマスク１０と、マスク１０が搭載されるマスクホルダ２０と、を備える微細構造素子製造装置。 （もっと読む）

【課題】単一のデバイスで負チャープ特性及びゼロチャープ特性のいずれでも動作させることが可能なＭＺ変調装置を提供する。
【解決手段】ＭＺ変調器１０は、強度の等しい２つの分岐光をそれぞれ第１及び第２の変調電圧信号の印加によって光位相変調を行う第１及び第２導波路２０ａ、２０ｂを有し、当該第１及び第２の導波路の上記変調電界が印加されるコア層の厚さは互いに異なり、第１及び第２の変調電圧信号は互いに逆相のプッシュ・プル信号であって、中心電圧が互いに異なる。 （もっと読む）

【課題】レーザーと光変調器のマルチチップモジュールを作製する際に、光ファイバと光変調器の結合損失を補償すると共に、半導体ＩｎＰ マッハツェンダ変調器での損失を補償し、デバイスからの出力パワーを増加させた半導体装置を提供することにある。
【解決手段】同一半導体基板１上にて光λ１が導波する方向に半導体光増幅器５０とマッハツェンダ変調器６０とが集積されている。 （もっと読む）

【課題】第１及び第２の光半導体装置が混在する集積化光半導体装置において、夫々の光半導体装置を形成する光導波路層の中心軸を一致させた状態で、第１及び第２の光半導体装置を異なった構造の埋め込み層で埋め込むこと。
【解決手段】直線状の第１のマスクを、第１及び第２の半導体積層構造双方に亘って形成する工程と、前記第１及び第２の半導体積層構造をエッチングして、前記第１のマスクによって保護された領域に、前記第１及び第２の光導波路層を形成する工程と、前記第１のマスクを残存させたままの状態で、前記第２の光導波路層を覆う第２のマスクを形成する工程と、露出する前記第１の光導波路層の両側面に、第１の埋め込み層を成長する工程と、前記第１のマスクを残存させたまま、前記第２のマスクを除去する工程と、露出する前記第２の光導波路層の両側面に前記第２の埋め込み層を形成する工程を具備すること。 （もっと読む）

【課題】ハイメサ型導波路における基本モードの曲げ伝播損失が抑制された光集積素子および光集積素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】基板と、前記基板上に突出しながら該基板表面に沿って延設され、下部クラッド層と、前記下部クラッド層上に形成され該下部クラッド層よりも大きい屈折率を有するコア層と、前記コア層上に形成され該コア層よりも小さい屈折率を有する上部クラッド層とを有する導波路と、を備え、前記導波路は、直線導波路部と前記基板の表面と平行な面内において曲げを有する曲げ導波路部とを含み、前記曲げ導波路部における下部クラッド層の前記基板からの突出高さは、前記直線導波路部における下部クラッド層の前記基板からの突出高さよりも大きい。 （もっと読む）

【課題】CS光パルス列の光パルス幅並びにデューティー比、及び中心波長が可変である。
【解決手段】第1電気変調信号生成器10と、第2電気変調信号生成器14と、2モードビート光源18と、光強度変調器20とを具えて構成されるCS光パルス列生成装置である。第1電気変調信号生成器は、第1電気変調信号13を生成して出力する。第2電気変調信号生成器は、第1電気変調信号と同一の周波数であって、かつδラジアン（δは0≦δ≦πを満たす実数である。）の位相差が与えられた第2電気変調信号15を生成して出力する。2モードビート光源は、第1電気変調信号によって駆動され2モードビート光19を生成して出力する。光強度変調器は、2モードビート光が入力されてCS光パルス列21を生成し出力する。光強度変調器の光透過率は、第2電気変調信号によって変調される。 （もっと読む）