【課題】ハイメサ光導波路によって形成され、しかも製造上の歩留まりが高い光半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体光変調器２４は光導波層４を内部に有し、半導体によって形成された帯状のメサ２６を具備している。また光導波路の両脇に配置された一対の半導体層２８、３０と、この一対の半導体層の夫々と光導波路の間に形成された溝３２、３４を埋め込む樹脂層３６、３８とを具備する。さらにメサの頂上に形成された上部電極１２、および基板４２の裏面に形成された下部電極１４を備える。 （もっと読む）

【課題】従来の半導体発光装置では一定動作電流での光出力が小さい上、それをマッハーツェンダ型光変調器などの光素子と集積する際にリッジ幅に制限ができ、本来得られるはずの特性を低くして集積しなくてはならず、低コストかつ低消費電力化ができなかった。
【解決手段】リッジを有する半導体発光装置において、リッジとそれ以外の構成要素との屈折率差を低くすることにより単一横モードのままリッジ幅の拡大を可能にし、かつリッジ両側に沿ってほぼ垂直の溝を形成することにより、拡散電流防止と屈折率差増大を防ぎ、かつリッジに回折格子を形成することにより、再成長による特性劣化を防ぎ、かつそれらをマッハーツェンダ型光変調器などの光素子と集積する際、成長回数を増大させることなく、テーパー状の導波路を用いることによりリッジ幅に制限なくマッハーツェンダ型光変調器などの光素子と上記発光装置とを集積する。 （もっと読む）

【課題】電極が頂上に形成された帯状の半導体積層構造を、有機絶縁体で埋め込んだ光半導体装置の歩留まりを向上させること。
【解決手段】
凸状の半導体積層構造からなる光導波路構造と、前記光導波路構造を埋め込み、前記光導波路構造の頂上に達する複数の開口部を有する有機絶縁体と、前記複数の開口部に形成された電極を具備すること。 （もっと読む）

【課題】
ＳＯＡの温度制御や補助光源のフィードバック制御を行わずに、温度変化による光利得の変動を抑制する光増幅装置を提供すること。
【解決手段】
半導体光増幅器と、前記半導体光増幅器の光利得を制御する補助光を発生する補助光源と、前記補助光と信号光を合波し、前記半導体光増幅器に入射させる合波器を具備し、前記補助光源が、単一縦モードでレーザ発振する半導体レーザと、前記半導体レーザが発生するレーザ光を部分的に吸収し、前記レーザ光を前記補助光として出力する光吸収体とを有し、第１の温度に於いて前記光吸収体によって前記レーザ光が受ける第１の損失が、前記第１の温度より高い第２の温度に於いて前記光吸収体によって前記レーザ光が受ける第２の損失より小さい光増幅装置。 （もっと読む）

【課題】
透過率を高速に変更可能な光フィルタを実現する。
【解決手段】
光導波路（１８）は、サブバンド間遷移によりＴＭ波を吸収しＴＥ波に相互位相変調を起こす量子井戸サブバンド間遷移光導波路構造からなる。光導波路（１８）の入射側と出射側に反射膜（２０，２２）を設け、ファブリペロー共振器を構成する。偏光合波器（２４）は、ＴＥ波の信号光（２８）とＴＭ波の制御光（３０）を合波し、合波光を反射手段（２０）を介して光導波路（１８）に入射する。出射側の偏光ビームスプリッタ（２６）は、光導波路（１８）の出射光から、信号光（３２）と制御光（３４）を分離する。 （もっと読む）

【課題】高精度の微細加工をしなくても容易に作製することが可能な半導体光集積素子を提供すること。
【解決手段】本発明に係る半導体光集積素子は、半導体基板上に下部クラッド層３、下部コア層４、中間クラッド層５、上部コア層６、及び上部クラッド層７がこの順に積層されており、第一領域、第二領域、及び第三領域に亘って、下部クラッド層３、下部コア層４、中間クラッド層５、上部コア層６、及び上部クラッド層７がそれぞれ形成されており、第一領域及び第三領域における中間クラッド層５の厚みＤ１が、第二領域における中間クラッド層５の厚みＤ２と異なることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】外部共振器型レーザのモードホップノイズを小さくして、精密な温度制御を必要としない、低価格且つ低ノイズの光送信装置を提供すること。
【解決手段】光増幅ユニットと、回折格子が設けられた第２のコア層を含み、前記光増幅ユニットに光学的に結合した光導波路を備えた光導波路ユニットとを有するレーザ光生成装置と、前記光増幅ユニットに電気信号を印加して、前記電流を前記半導体層に注入する電気信号源を具備し、前記レーザ光生成装置は、前記電気信号に従って、前記光反射面と前記回折格子が形成する光共振器の複数の共振器モードでレーザ発振する第１の状態と、前記第１の状態より発光強度が小さい第２の状態の間を往復して光信号を発生し、更に、前記共振器モードの間隔に相当する周波数が、前記電気信号のビットレートに対応する周波数より高いこと。 （もっと読む）

【課題】電流制御を容易にすることが可能な波長可変レーザを提供することを目的とする。
【解決手段】一端Ｓ１に設けられた高反射膜ＨＲと、一端Ｓ１側に設けられ、電流注入により光が生成される２以上の並列された光素子Ｌ１〜Ｌ４を有する利得領域３と、利得領域３で生成された光を合波する合波器５と、一端Ｓ１と対向する他端Ｓ２側に設けられ、当該合波された光に対して周期的な反射ピークを有する反射器７と、を備え、合波器５は利得領域３と反射器７との間に設けられている波長可変レーザ１。 （もっと読む）

【課題】０チャープ動作及び正又は負チャープ動作を行なう光モジュールを、同じ構造のＭＺ型変調素子を用いて実現する。
【解決手段】光モジュールを、マッハツェンダ干渉計を構成する第１光カプラ１６、第２光カプラ１７、第１光導波路１２及び第２光導波路１３と、第１光導波路１２及び第２光導波路１３のそれぞれに設けられた電極１４，１５と、第１光導波路１２及び第２光導波路１３の少なくとも一方に設けられ、電極１４，１５よりも短い短電極１８，１９とを備えるマッハツェンダ型変調素子７と、第１及び第２の高周波コネクタ１，２とを備えるものとし、一方の第２光導波路１３に設けられた短電極１９を、一方の第２高周波コネクタ２に接続し、他方の第１光導波路１２に設けられた電極１４を、他方の第１高周波コネクタ１に接続する。 （もっと読む）

【課題】トータルのデバイス長が短い集積型光デバイスを搭載することで小型な光モジュールを実現する。
【解決手段】第１導波路型光素子部と第２導波路型光素子部とを、基板に垂直な方向に集積することで素子長の短い集積型光デバイスを実現する。第１導波路型光素子部と第２導波路型光素子部の光学的な結合には、それぞれに集積形成した４５°傾斜全反射ミラーを用いる。即ち、第１導波路型光素子部で生成した光は第１導波路型光素子部の端部に形成された全反射ミラーで上方に折れ曲がり、この光を第２導波路型光素子部の端部に形成された４５°傾斜全反射ミラーで全反射して第２導波路型光素子部に結合する。また、第１導波路型光素子部は、基板面に垂直な方向に光を出射する光出射部分に出射光を集束するレンズ素子を有し、第２導波路型光素子部は、基板面に垂直な方向から光が入射する光入射部分に入射光を集光するレンズ素子を有する。 （もっと読む）