【課題】半導体製造プロセスを用いてフォトニック結晶構造を有する各種光デバイスを容易に形成することができるフォトニック結晶半導体デバイスおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】ｎ−ＩｎＰ基板１１上に下部ＤＢＲ層１、コア層２、上部ＤＢＲ層３、誘電体多層膜６が順次積層される。コア層２及び上部ＤＢＲ層３には膜厚方向に延びる複数の空孔９が形成され、これによりフォトニック結晶構造が実現される。このフォトニック結晶構造は、複数の空孔９に挟まれて空孔９が存在しない線欠陥部１０を有し、線欠陥部１０が光導波路として機能する。 （もっと読む）

【課題】小型で高速、かつ信頼性の高い吸収型半導体光変調器を提供する。
【解決手段】半導体基板上に、少なくとも光を吸収する機能を有するコア層を含む光導波路を形成し、光導波路は光入射端面を有し、光導波路の上方に光導波路に電気信号を印加する上部電極を形成しており、光入射端面から入射した光が光導波路を伝搬する過程でコア層に吸収されることにより光電流が生成される吸収型半導体光変調器において、コア層は、生成された光電流に起因するジュール熱による熱破壊を避けるために、ジュール熱を半導体基板に逃がすように、光入射端面側の幅が広く形成されているとともに光の伝搬方向に向かって狭くなって形成され、光入射端面側の光導波路がマルチモード光導波路を構成し、さらに、電気的なキャパシタンスが小さくなるように、光入射端面側において上部電極の幅がコア層の幅よりも狭く形成されている。 （もっと読む）

【課題】 小型で、正確にプッシュプル駆動し、低損失な半導体マッハツェンダ型光変調器を提供する。
【解決手段】
分波器１１ａと、合波器１１ｂと、半導体光導波路１３および１４と、信号電極１５と、正バイアス電極１７と、負バイアス電極１８とを有し、
分波器１１ａと合波器１１ｂとは、２本の半導体光導波路１３および１４により連結され、
信号電極１５は、２本の半導体光導波路１３および１４の上部に接続され、かつ、２本の半導体光導波路１３および１４の上部に共通の高周波信号を入力可能であり、
正バイアス電極１７は、半導体光導波路１３の下部に接続され、負バイアス電極１８は、他方の半導体光導波路１４の下部に接続されていることを特徴とする半導体マッハツェンダ型光変調器。 （もっと読む）

【課題】複数の段差を有する導波路構造において、簡易かつ精度よく、コア層と上部クラッド層におけるメサ中心のずれを小さくする。
【解決手段】下部クラッド層１０３とコア層１０２と上部クラッド層１０１とを積層し、上部クラッド層１０１上に、互いに並行に配置される第一及び第二のストライプ状マスク１０５ａ、１０５ｂと、第一のストライプ状マスク１０５ａと第二のストライプ状マスク１０５ｂとの間に配置される第三のストライプ状マスク１０６とからなる３本のストライプ状マスク１０７を形成し、第一、第二のストライプ状マスク１０５ａ、１０５ｂ及び第三のストライプ状マスク１０６をマスクとして第一メサを形成し、第一及び第二のストライプ状マスク１０５ａ、１０５ｂをそれぞれ除去し、第一及び第二のストライプ状マスク１０５ａ、１０５ｂを除去した後に、第三のストライプ状マスク１０６をマスクとして、第一メサの上部に位置し、第一メサよりも幅の狭い第二メサを形成する。 （もっと読む）

【課題】チャーピングを低減可能な、変調光を生成する方法、マッハツェンダ型光変調半導体素子、及び、光変調装置を提供する。
【解決手段】入射光Ｌ０を分波して第１及び第２の分岐光（Ｌ１、Ｌ２）を生成しそれぞれを第１及び第２の導波路（３、４）に提供し、第１及び第２の導波路に第１及び第２の信号電圧をそれぞれ印加して第３及び第４の分岐光（Ｌ３、Ｌ４）を生成し、第３及び第４の分岐光を合成して変調光Ｌ５を生成し、当該素子２０への印加電圧の範囲は、第１及び第２の電圧範囲を含み、第２の電圧範囲は、第１電圧範囲とゼロ電圧との間にあり、第１の信号電圧は第１の電圧範囲内にあり、第２の信号電圧は第１の信号電圧と同位相であり且つ第２の電圧範囲内にあり、第１及び第２の導波路の活性層３２の屈折率の電圧依存性は、第１の電圧範囲では負の傾きを有すると共に、第２の電圧範囲では正の傾きを有することを特徴とする方法。 （もっと読む）

本発明は、コンパクト性が高く且つ光波及び電波の適合性に利するように改良された電気光学変調の素子、デバイス及びシステム、並びに製造方法に関する。本発明によれば、前記素子は、導波路（６９０）のアーキテクチャを備えており、そして、制御電気信号の進む経路の長さ（Ｌ６０９）に対して、光束の進む経路の長さ（Ｌ６１１）が、光束と電気信号との伝播速度（Ｖ６０９，Ｖ６１１）の差を低減又は補正するように決定された差を有するように、前記導波路を配置する。特に、変調領域は光束の経路を含み、前記光束は、これらの制御要素の少なくとも２つから出ている少なくとも２つの欠刻を連続的に通過し、そして、それ自体巻かれている。このようにして、前記光束経路は、例えば、この制御信号とこの光束との間の相互作用の第一領域（Ｒ１ａ）と第二領域（Ｒ２ａ）との間で、電気信号が進む長さより大きい長さを備えている。
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【課題】本発明は、結合量子井戸構造において、結合量子井戸の二つの井戸層の組成x及び厚さの範囲、結合層の組成y及び厚さの範囲を提供することを課題とする。
【解決手段】結合量子井戸に形成される第１〜第４準位のサブバンド間遷移エネルギー及びバンド間遷移の第１バンド準位エネルギーが通信波長帯のエネルギー（0.8eV:1550nm帯）に制御された結合量子井戸構造であって、上記結合量子井戸構造の量子井戸層及び結合層はそれぞれIn_xGa_1-xAs及びAl_ｙGa_1-ｙAsからなり、量子井戸層・結合層の組成x、yの範囲は0.205≦x≦0.85、0≦y≦0.6であり、量子井戸層の膜厚は2nm以上4nm以下、結合層の膜厚は２原子層以上５原子層以下であることを特徴とする結合量子井戸構造。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイスにおいて、光信号を変調する方法を提供する。
【解決手段】ワイヤレス無線周波数変調信号は半導体ナノ構造領域における時間依存電界を提供し、それは半導体デバイスにおいて吸収を変化させる。半導体デバイスにおいて伝搬する光信号はワイヤレス無線周波数変調信号の特性に従って変調され、そして情報をワイヤレス無線周波数信号から光キャリアへと符号化する方法を提供する。 （もっと読む）

本発明は、２種類のＩＩＩ族元素の窒化物材料間の量子閉じ込めによる、典型的には、ＧａＮ／ＡｌＮによる、サブバンド間遷移を備えた電気光学素子に関する。本発明は、前記素子を包含するデバイス又はシステム、並びに前記素子の製造方法にも関する。本発明によれば、前記素子（２）は１つ以上のＮドープされた量子井戸構造（ＱＷ１，ＱＷ２，ＱＷ３）を囲む少なくとも２つのいわゆる外側障壁層（ＢＬ０，ＢＬ３）を包含する少なくとも１つの活性領域（２３）を含み、前記量子井戸（１つ以上）は、各々が、少なくとも５単原子層の厚さの非意図的にドープされた２つの障壁領域（ＢＬ０，ＢＬ１，ＢＬ２，ＢＬ３）によって囲まれていることを特徴とする。
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【課題】ＥＡＤＦＢレーザにおいて、モニタ用ＥＡ変調器の吸収電流をもとに、モジュール温度を検出する。
【解決手段】分布帰還型レーザ１０１と、分布帰還型レーザ１０１の一方の端面１０１ａから出射された光が入射されてこの光を変調して光信号Ｓを出力する光変調用の電界吸収型変調器１０２と、分布帰還型レーザ１０１の他方の端面１０１ｂから出射された光が入射されるモニタ用の電界吸収型変調器１０３と、電気的分離部１０４，０１５とが、同一の半導体基板上にモノリシック集積して光送信モジュール１００が形成されている。モニタ用のＥＡ変調器１０３に吸収される吸収電流を検出することにより、モジュール温度を検出でき、光信号Ｓを予め決めた規定パワーとするのに必要な制御をすることができる。 （もっと読む）