【課題】高速繰り返し動作に適したフォトニック結晶光導波路と光非線形媒質を有する光制御素子を提供すること。
【解決手段】 フォトニック結晶光導波路と、前記フォトニック結晶光導波路内を伝搬する電磁波の電磁界が及ぶ範囲内に設けられた光非線形媒質と、を備え、前記フォトニック結晶光導波路のフォトニック結晶部を、当該フォトニック結晶光導波路特有の伝搬モードにおける高フォトン状態密度領域波長を、前記光非線形媒質内の電子準位間のエネルギーに共鳴させるようフォトニックバンドを設定したことを特徴とする光制御素子。 （もっと読む）

【課題】製造が容易で安定した所望の負チャープ特性が得られるマッハツェンダー型の光変調器を提供する。
【解決手段】入射光ＩＮは光分波器１３で２分岐され、アーム導波路２０ａ，２０ｂでそれぞれ変調電圧Ｖａ，Ｖｂによってプッシュ−プル駆動された後、光合波器１４で合波されて変調された出射光ＯＵＴが出力される。出射光ＯＵＴは、変調電圧Ｖａ，Ｖｂに応じて強度が変調されると同時に、アーム導波路２０ａ，２０ｂの等価屈折率の変化により、波長が変化する。これをチャープ現象といい、光ファイバによる長距離伝送では、ファイヤの材質や光の波長に応じて最適なチャープ特性が求められる。アーム導波路２０ａ，２０ｂは、それぞれ層数の異なるＭＱＷ導波路層２２ａ，２２ｂで構成しているので、この層数を変えることにより、容易に安定した所望の負チャープ特性を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】何らかの与えられた周波数を境界に、それ以上の周波数成分とそれ以下の周波数成分とに分波する光学フィルタを、簡単な構成で実現する。例えば、テラヘルツ光発生時に、励起光とテラヘルツ光とを分離する際に用いる。
【解決手段】１）ププラズマ周波数をもち平坦な表面の分波素子と、２）分波素子に、プラズマ周波数よりも高い周波数成分と低い周波数成分の線状あるいは面状の電磁波ビームを入射する入射手段と、３）分波素子の反射電磁波として生成され、電磁波ビームの分波素子への入射点から離れた位置で反射しプラズマ周波数より低い周波数の第１電磁ビームと、上記入射点から反射しプラズマ周波数より高い周波数の第２電磁ビームと、から一方の電磁ビームを選択する選択手段と、を備える。また、入射点のキャリア密度を、電界、磁界、光、圧力、温度などで変化させる。 （もっと読む）

本発明に従う電界吸収型光変調器は、少なくとも一層のｐドープ半導体(６)と少なくとも一層のｎドープ半導体(８)との間に吸収層(７)を具え、これら層はリッジ型導波路構造を形成し、吸収層の厚さが９〜６０ｎｍの範囲であり、かつリッジ部の幅が４．５〜１２μｍの範囲であることを特徴とする。
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【課題】 制御が容易であって、出力する光の波長を変更可能な半導体発光素子及び半導体光源装置を提供する。
【解決手段】 半導体発光素子１１Ａは、出力端部４７から出力される光の波長を変更可能な半導体発光素子であって、キャリヤが注入されることで光を発生可能な半導体層５７ａを有する発光ダイオード部１３と、発光ダイオード部から出力される光から所定の波長λｒの光を選択して出力端部４７側に出力すると共に、所定の波長を変更可能な波長可変フィルタ部１５と、発光ダイオード部及び波長可変フィルタ部を設ける基板Ｓと、を備え、出力端部は、波長可変フィルタ部から出力される光の反射を抑制する低反射膜Ｒ１を有しており、波長可変フィルタ部は、光路長が互いに異なっており光学的に結合された複数のリング状導波路２９，３１と、複数のリング状導波路の少なくとも一つに信号を印加するための電極２５，２７と、を有する。 （もっと読む）

【課題】電気サージによる変調領域の破壊を防止し、サージ耐性を向上した半導体光変調器を提供する。
【解決手段】半導体基板上に形成され、電圧もしくは電流により光変調を行う半導体光変調器において、前記光変調に供する電極３，５間を電気的に接続しかつ電気抵抗として機能する高抵抗領域６（電気的接続機能部）を備える。あるいは、前記光変調に供する電極間を電気的に接続しかつ直列接続された電気抵抗体と電気容量体として機能する高抵抗領域及び電気容量領域（電気的接続機能部）を備える。 （もっと読む）

光論理デバイス（１）であって、第２の鏡（Ｍ２)に対面する第１の鏡（Ｍ１）と、該鏡の間に位置する可飽和吸収体と、該デバイスから出力される光は第１の鏡（Ｍ１）を経由して出力されるような光と、使用時に、特定の値より大きい強度をもつ入射光に対しては出射光の強度は閾値より下であり、該特定の値より下の強度をもつ入射光に対しては出射光の強度は該閾値より上であるように第１の鏡（Ｍ１）の反射率を備えた光論理デバイス。該光論理デバイスは、ＮＡＮＤゲートおよびＮＯＲゲートとして用いられるようになっている。
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【課題】多層化しても直径が均一な量子ドットを有する半導体量子ドット素子、およびその製造方法を提供することを可能にする。
【解決手段】III族元素を含む窒化物半導体層１０、１６ａ、１６ｂ、１６ｃ、１６ｄ、１６ｅと、前記窒化物半導体層上に形成されたＳｉがドープされたIII族元素を含む窒化物半導体からなる複数の量子ドットを有する量子ドット層１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄ、１２ｅとが交互に積層された多層構造を備え、前記Ｓｉのドープ量が前記量子ドット層毎で異なっていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 レーザ発振波長を変更可能であって、光処理素子を同一基板上に集積可能な半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】 半導体レーザ素子１１は、利得導波路５７と、透過波長を変更可能な多重リング共振器１７と、多重リング共振器の透過波長の変更範囲に応じた第１の反射波長帯域を有する第１の反射手段１９と、第１の反射手段とレーザキャビティを構成しており第２の反射波長帯域を有する第２の反射手段２１と、利得導波路及び多重リング共振器が設けられる基板Ｓとを備え、利得導波路及び多重リング共振器はレーザーキャビティ内に直列に配置されて光学的に結合されており、第１の反射手段は、基板上に設けられ利得導波路及び多重リング共振器の何れか一方に光学的に結合される導波路型回折格子１９を含み、その回折格子１９はチャープトグレーティングである。 （もっと読む）

【課題】高温環境下で（広い温度範囲で）動作し、且つ、長距離伝送が可能な電界吸収型光変調器と、これを備えた半導体光集積素子及びこれらの制御方法を提供する。
【解決手段】ＩｎとＧａとＡｓを有する井戸層と、ＡｌとＩｎとＧａとＡｓを有する障壁層とからなる量子井戸構造３を有し、この量子井戸構造３の伝導帯オフセット値を、電界吸収型光変調器を高温で動作させるために１２０ｍｅＶ以上とし、電界吸収型光変調器により変調された光信号を長距離伝送させるために２５０ｍｅＶ以下とする。 （もっと読む）