特に、光通信リンクを有する相互接続用のデジタルの並列の電子文字およびデジタルの直列の光文字との変換が提供される。 （もっと読む）

【課題】発生する迷光の伝搬を抑えることができる光半導体素子および光半導体素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体レーザ２およびＭＺ干渉型光変調器４を分岐カプラ３、合波カプラ５および光導波路１１〜１６によって接続し、モノリシック集積した光半導体素子１であって、半導体レーザ２から発する動作光に対応するバンドギャップ波長に比して長いバンドギャップ波長をもつ吸収層６を、少なくとも合波カプラ５の出力端および光導波路１６に隣接させて設けている。 （もっと読む）

【課題】集光径を小さくすることにより、励起密度および集光密度を向上させて、動作エネルギーの低減を図り、雑音の少ない信号成分を得ることができる面型光−光スイッチを得る。
【解決手段】屈折率の異なる複数種類の半導体層が交互に積層された半導体周期構造薄膜１を有し、制御光のオン／オフによって信号光のオン／オフを制御する面型光−光スイッチであって、複数種類の半導体層の各膜厚を、複数種類の半導体層のうちの小さいバンド間遷移エネルギーを有する半導体層のバンド間遷移波長と複数種類の半導体層の屈折率とで決まるブラッグ反射条件を満たすようにそれぞれ設定し、ブラッグ反射条件の複数の透過バンドのうちのいずれか１つに制御光の波長を設定するとともに、複数の透過バンドのうちの他のいずれか１つに信号光の波長を設定し、信号光と制御光の光軸を同一光軸とする。 （もっと読む）

【課題】 小型化かつ低コスト化が可能であり、更に高速な波長動作を実現することができる光変調器を提供する。
【解決手段】 光導波路型の第一のグレーティング領域２と、グレーティング領域２に光学的に接続された光導波路型の第二のグレーティング領域３と、グレーティング領域３に光学的に接続された光導波路型の光変調領域４とを同一基板６上に集積した光変調器であって、グレーティング領域２は複数の波長を有するＣＷ入力光１から特定の波長範囲である第一の波長範囲の入力光を反射し、かつ第一の波長範囲以外の入力光を透過する性質を有し、グレーティング領域３は第一の波長範囲とは異なる特定の波長範囲である第二の波長範囲の入力光を反射し、かつ第二の波長範囲以外の入力光を透過する性質を有し、光変調領域４はグレーティング領域２及び３を透過した、第一の波長範囲と第二の波長範囲の間の波長の光を符号化する構成とした。 （もっと読む）

【課題】 増大した消光比を有する電界吸収型変調器を提供する。
【解決手段】 本発明の電界吸収型変調器は、基板と、基板上に形成されている複数の半導体層とからなり、複数の半導体層の１つが、第１の組成を有する第１の量子井戸領域及び第２の組成を有する第２の量子井戸領域からなり、第２の量子井戸領域が第１の量子井戸領域に埋め込まれていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 大きな光出力において早い応答を維持し、飽和を最小とするとともに、高い吸収係数を示し、大きな光電流を発生する光変調器を提供する。
【解決手段】 本発明の光変調気は、第１の導波路層及び障壁層と、第１の導波路層と障壁層の間に挟まれている量子井戸層とからなり、量子井戸層が、最小のバンドギャップエネルギーと、第１の導波路層及び障壁層の少なくとも一つのバンドギャップエネルギーとの間で、バンドギャップエネルギーが変化する傾斜組成層を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 入射光として波長可変レーザーを用いて、最適な光周波数コムを効率よく発生する。
【解決手段】
波長可変レーサ光源１入射されるレーザー光Ｌ_ｉｎをファブリ・ペロー共振器１３内で変調周波数ｆｍの変調信号で変調することにより、上記変調周波数の周波数間隔の光周波数コムＯＦＣを生成するにあたり、波長可変レーサ光源１から入射されるレーザー光Ｌ_ｉｎをマイクロ波変調信号発生器１１により与えられる変調周波数ｆｍの変調信号で変調して光周波数コムＯＦＣを生成するにあたり、入射レーザー光Ｌ_ｉｎの波長を波長検出器１７で検出し、その検出出力に基づいてＦＳＲ調整部１８により上記ファブリ・ペロー共振器１３の共振器長さを制御して自由スペクトル域(FSR:Free spectral range)調整を行い、上記波長検出器１７により検出された入射レーザー光Ｌ_ｉｎの波長にＦＳＲを合わせる。 （もっと読む）

結晶成長装置内で、半導体ウエハ表面に、エッチング作用のある原料と結晶成長原料を同時に供給し、エッチング速度と結晶成長速度をバランスさせることで、効率良く残留不純物を除去する。
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【課題】V族構成原子が異なるIII-V族化合物半導体層の積層構造を含む半導体素子は、所謂タイプII型のバンドラインナップを形成するため、そのヘテロ構造におけるバンド不連続がキャリアの良好な伝導を阻害し、素子特性の劣化を招いていた。
【解決手段】本発明によれば、タイプIIのバンドラインナップを形成するヘテロ界面でのキャリアの伝導特性を改善するために、一方のエネルギー帯（例えば価電子帯）ではエネルギー不連続を傾斜的、或いは階段的に接続してキャリア（例えば正孔）を良好に伝導させつつ、他方のエネルギー帯（例えば伝導帯）では、エネルギー不連続を保持して、もう一方のキャリア（例えば電子）に対する障壁効果を維持し得るエネルギーバンド構造を実現できる。 （もっと読む）

【課題】 ナノスケールサイズの光ゲート素子を提供する。
【解決手段】 入射される信号光を第１の量子ドット６１２により励起子に変換してこれを第２の量子ドット６１３へ注入する。またスイッチ制御手段より第２の量子ドット６１３における基底準位に対して励起子を注入することにより、２つの準位間で反転分布を形成して励起子を基底準位へ自然放出遷移させて光として放出させ、第３の量子ドット６１４へ移動する励起子数を減らし、当該第３の量子ドット６１４から放出される信号光の強度を抑える光ゲートとして作用させる。 （もっと読む）