【課題】ブラックマトリクスの分光反射率をバックライトの発光スペクトルを考慮してａ
−Ｓｉの吸収スペクトルのピーク波長で最も低い値となるようにし、ＴＦＴの光リーク電
流を減少させた液晶表示装置を提供すること。
【解決手段】本発明の液晶表示装置は、各画素領域に半導体膜を有するＴＦＴ形成された
アレイ基板と、カラーフィルタ基板と、バックライトとを備え、前記カラーフィルタ基板
のブラックマトリクスは、金属製の遮光膜と、前記金属製の遮光膜の両面に形成された反
射防止膜とを備え、前記反射防止膜のアレイ基板側の膜厚を、前記バックライトからの光
による前記アレイ基板側の反射防止膜の分光反射のボトム波長が前記半導体膜の光リーク
電流の分光感度のピーク波長と重なる厚さとする。 （もっと読む）

【課題】 液晶表示装置において、共通電極の電位が不安定になることに起因する画質の劣化を容易に低減する。
【解決手段】 ＴＦＴ基板および対向基板を有する液晶表示パネルと、液晶表示パネルの外周部に設置される導電性のフレーム部材とを有し、ＴＦＴ基板は、表示領域の外周部に環状に配線され、かつ、共通電極に接続しているコモン給電線を有し、当該コモン給電線の信号入力端は、ＴＦＴ基板の第１の辺に沿って配置されている液晶表示装置であって、前記コモン給電線は、ＴＦＴ基板の前記第１の辺の反対側に位置する第２の辺の近傍に端子を有し、前記フレーム部材は、前記液晶表示パネルと対向する面に、絶縁層、第１の導電層、および第２の導電層が、この順番で積層されており、かつ、前記第２の導電層の上に、当該第２の導電層と前記コモン給電線の前記端子とを接続する柱状の導電部材を有する液晶表示装置。 （もっと読む）

【課題】例えば、液晶装置等の半導体装置について、製造プロセスを煩雑化させることなく、且つコンタクト抵抗の上昇を低減する。
【解決手段】凹部２２１ａ及び２２１ｂは、絶縁膜２１３上にレジスト膜２２２を形成した後、半導体製造プロセスで汎用される回折法或いはハーフトーン法を用いてレジスト膜２２２を部分的に除去することによって形成されている。したがって、レジスト膜２２１は、レジスト膜２２２を部分的に除去することによって形成された凹部２２１ａ及び２２１ｂの底部を構成するレジスト膜２２２の一部を含んで構成されている。凹部２２１ｂの深さｄ２は、凹部２２１ａの深さｄ１より浅い。言い換えれば、凹部２２１ｂの底部の厚みは、凹部２２１ａの底部の厚みより厚くなっている。 （もっと読む）

【課題】面状の第１の電極と、第１の電極上に絶縁膜を挟んで形成される第２の電極とを有する液晶表示装置において、液晶の応答時間を従来よりも高速化する。
【解決手段】第１の基板と、第２の基板と、前記第１の基板と前記第２の基板との間に挟持された液晶とを有し、前記第１の基板は、第１の電極と、前記第１の電極よりも上層に設けられた絶縁膜と、前記絶縁膜よりも上層に設けられた第２の電極とを有し、前記第１の電極と前記第２の電極とによって電界を発生させて前記液晶を駆動する液晶表示装置であって、前記第２の電極は、両端が閉じた複数のスリットを有し、前記第１の電極は、前記複数のスリットと重畳する面状の電極であり、前記各スリットの長さをＬｓとするとき、前記各スリットの長さＬｓは、１２μｍ≦Ｌｓ≦３０μｍを、より好ましくは、１２μｍ≦Ｌｓ≦２０μｍを満足する。 （もっと読む）

【課題】レーザアニールでラテラル結晶成長を引き起し、均一な結晶構造の半導体薄膜を形成する。
【解決手段】基板上に光吸収層１０２を形成する工程と、光吸収層を所定の形状にパターニングする工程と、パターニングされた光吸収層を絶縁膜１０３で覆う工程と、絶縁膜上に半導体薄膜１０４を形成する工程と、パルス発振されたレーザ光を照射し半導体薄膜を結晶化するレーザアニール工程とを行う。絶縁膜１０３の厚さを１５０ｎｍ以下とすることにより、レーザアニール工程において、光吸収層１０２のパターンより内側に位置する半導体薄膜１０４の内部領域１０６においては、光吸収層からの熱伝導により半導体薄膜が融解するようにレーザ光でパルス加熱する加熱過程と、内部領域が融解した後、外部領域１０７との境界から内側に向かってラテラル成長が進行し、多結晶粒Ｌが生成する冷却過程が行われる。 （もっと読む）

【課題】バリアメタル層を省略しても優れたＴＦＴ特性を発揮し得、ソース−ドレイン電極をＴＦＴの半導体層に直接かつ確実に接続することができる技術を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタの半導体層３３と、ソース−ドレイン電極２８，２９とを有する薄膜トランジスタ基板において、ソース−ドレイン電極２８，２９は、酸素を含有する酸素含有層２８ａ、２９ａと、純ＣｕまたはＣｕ合金の薄膜２８ｂ、２９ｂとからなっている。酸素含有層を構成する酸素の一部若しくは全部は、薄膜トランジスタの半導体層３３のＳｉと結合している。また、純ＣｕまたはＣｕ合金の薄膜２８ｂ、２９ｂは、酸素含有層２８ａ、２９ａを介して薄膜トランジスタの半導体層３３と接続している。 （もっと読む）

【課題】酸化物を含むチャネル層を有し、信頼性のある薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】酸化物を含むチャネル層を有する薄膜トランジスタ表示板及びその製造方法に関し、絶縁基板、絶縁基板上に形成され、酸化物を含むチャネル層、チャネル層上に形成されているゲート絶縁膜、ゲート絶縁膜上に形成されているゲート電極、ゲート電極上に形成されている層間絶縁膜、層間絶縁膜上に形成され、第１導電層と第２導電層を含んでソース電極を有するデータ線、層間絶縁膜上に形成され、第１導電層と第２導電層を含むドレイン電極、ドレイン電極の第１導電層から延長された画素電極、データ線及びドレイン電極上に形成されている保護膜、並びに保護膜上に形成されている間隔材を含む。 （もっと読む）

【課題】透過領域および反射領域のいずれについても良好な表示品質が得られるとともに製造プロセスを容易にしうる液晶表示装置を提供する。
【解決手段】液晶表示装置５０は、一対の基板１１０，２１０間に液晶が挟持され透過領域６２および反射領域６４を有する。一対の基板１１０，２１０のうちの一方の基板１１０は、透過領域６２に設けられた透過表示用画素電極１８２および透過表示用共通電極１７８と、反射領域６４に設けられた反射表示用画素電極１９０と、を備える。一対の基板１１０，２１０のうちの他方の基板２１０は、反射領域６４に設けられた反射表示用共通電極２２２を備える。一対の基板１１０，２１０のそれぞれは、外側に偏光層１０６，２０６および１以上の位相差層１０８，２０８を備える。 （もっと読む）

【課題】単結晶半導体層及びガラス基板の形状の変形及び膜剥がれなどの不良を防ぎ、高信頼性及び高性能な半導体素子、及び集積回路を歩留まり良く作製することを目的とする。
【解決手段】ガラス基板に低温の加熱処理により接合した単結晶半導体層を形成する工程において、単結晶半導体層を接合するガラス基板を接合剥離工程の前に、接合剥離工程における加熱処理の加熱温度よりも高い温度で加熱しておく。単結晶半導体層は、ガラス基板との接合工程において、ガラス基板の歪み点近傍、具体的には歪み点±５０℃の範囲における温度で加熱する。従って、ガラス基板は、歪み点近傍、具体的には歪み点±５０℃の範囲における温度より高い温度で加熱処理を行っておく。 （もっと読む）

【課題】 １つの画素が２つのスイッチング素子および２つの画素電極を有する液晶表示装置において、駆動回路の発熱量を低く抑え、かつ、画質の劣化を防ぐ。
【解決手段】 第１のスイッチング素子および前記第１のスイッチング素子に接続された第１の画素電極と、第２のスイッチング素子および前記第２のスイッチング素子に接続された第２の画素電極とを有する画素の集合により表示領域が設定されている液晶表示装置であって、１つの画素における前記第１のスイッチング素子と前記第２のスイッチング素子とは、それぞれ、異なる映像信号線に接続されており、１フレーム期間中の、１つの画素の前記第１の画素電極に加わる信号の電位と対向電極に加わる信号の電位との関係と、当該１つの画素の前記第２の画素電極に加わる信号の電位と対向電極に加わる信号の電位との関係とは、一方が正極性の関係であり、他方が負極性の関係である液晶表示装置。 （もっと読む）