【課題】熱処理において、基板の反りを抑制し、基板の局部的な温度変化によって生じる品質不良を抑制することを目的の一とする。
【解決手段】処理室と、処理室内に設けられた支持台と、支持台上に設けられ、被処理基板を支持する複数の支持体と、被処理基板を加熱する加熱手段とを設け、支持台に支持体を脱着可能な固定部を複数設け、複数の支持体を複数の固定部に選択的に取り付けることにより、複数の支持体の位置を可変可能とする。 （もっと読む）

【課題】ポジ型液晶を用いライン反転駆動を行うＩＰＳ方式の液晶表示装置において、表示品質の向上を図る。
【解決手段】対向電極は１表示ライン毎に分割されており、一の表示ラインの前記対向電極と隣接する表示ラインの前記対向電極との間の間隙は、局所的に屈曲しながら全体として前記表示ラインの方向に延在し、前記間隙は、映像線の延在方向に沿って延在する第１の部分と、前記第１の部分から映像線と交差する方向に沿って延在する第２の部分とを有し、前記液晶層の初期配向軸は、前記映像線に対して時計回りで＋５°〜＋２０°、または、−５°〜−２０°の範囲内の方向であり、前記液晶層の前記初期配向軸から前記間隙の前記第２の部分まで時計回りに測った角度をθ１とするとき、８８°≦θ１≦９２°を満足し、前記映像線は、遮光性の材料で形成されており、前記間隙の前記第１の部分は、前記映像線と平面的に重なっている。 （もっと読む）

【課題】画像品質、位置検出精度の向上を実現する。
【解決手段】液晶パネル２００の正面の側から入射する光を受光し光電変換することによって受光データを生成する半導体層４７が、液晶パネル２００の面の法線方向ｚにおいて電流が流れる縦型構造になるように、フォトセンサ素子３２ａを形成する。 （もっと読む）

【課題】 １つの領域を複数の露光領域に分割して露光するステップを複数回行って製造したＴＦＴ基板を有する液晶表示装置における画質むらの発生を抑制する。
【解決手段】 絶縁基板の表面のうちのあらかじめ定められた１つの領域に対して、成膜された感光性材料の膜を露光するステップおよび露光した前記感光性材料の膜を現像するステップを有する露光／現像工程を複数回行う表示装置の製造方法であって、それぞれの前記露光するステップは、前記１つの領域を、互いに重畳する部分がなく、かつ、他の前記露光するステップのうちの少なくとも１回の前記露光するステップにおける前記露光領域の境界線と一致しない境界線により複数の露光領域に分割し、それぞれの露光領域を個別に露光することで前記１つの領域全体を露光する表示装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】本発明は、有機半導体層のパターンを制御すると共に、ゲート電極とソース・ドレイン電極とのオーバーラップを低減することが可能な有機トランジスタ、該有機トランジスタを複数有する有機トランジスタアレイ及び該有機トランジスタアレイを有する表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】有機トランジスタ１０は、基板１上に、ゲート電極２及びゲート絶縁膜３が順次形成され、少なくともゲート絶縁膜３上に、ソース電極４及びドレイン電極５並びに有機半導体層６が順次形成されており、ドレイン電極５は、ゲート電極２上に形成されている第一の領域５ａと、第二の領域５ｂと、第一の領域５ａと第二の領域５ｂを第一の領域５ａの幅よりも短い幅で連結する連結領域とを有し、有機半導体層６は、印刷法により形成されている。 （もっと読む）

【課題】窒化シリコン膜等を接合層として用いる場合であっても、ベース基板と半導体基板との接合不良の発生を低減することを目的の一とする。又は、プロセスの増加を抑制することができるＳＯＩ基板の製造方法を提供することを目的の一とする。
【解決手段】半導体基板と、ベース基板とを用意し、半導体基板に酸化膜を形成し、半導体基板に酸化膜を介して加速されたイオンを照射することにより、半導体基板の表面から所定の深さに剥離層を形成し、イオンを照射した後に、酸化膜上に窒素含有層を形成し、半導体基板とベース基板とを対向させ、窒素含有層の表面とベース基板の表面とを接合させ、半導体基板を加熱して剥離層を境として分離することにより、ベース基板上に酸化膜及び窒素含有層を介して単結晶半導体層を形成する。 （もっと読む）

【課題】省電力化を図りつつ、開口率をより向上させることができるアクティブマトリクス装置、スイッチング素子の製造方法、電気光学表示装置、および電子機器を提供すること。
【解決手段】本発明のアクティブマトリクス装置１０は、基板５０の一方の面側に設けられた複数の画素電極８と、各画素電極８に対応して設けられ、画素電極８に接続された固定電極３と、固定電極３に対向して設けられ、固定電極３側へ変位可能な可動電極５と、可動電極５に静電ギャップを介して対向して設けられた駆動電極２とを備えるスイッチング素子１と、各可動電極５に接続された第１の配線１１と、各駆動電極２に接続された第２の配線１２とを有し、固定電極３、可動電極５および駆動電極２は、基板５０の板面に沿った方向で互いに異なる位置に配置され、可動電極５は、基板５０の板面に沿った方向で固定電極３側に変位するように構成されている。 （もっと読む）

【課題】安定した素子特性および良好な信頼性を実現する薄膜トランジスタおよびその製造方法、並びにそれらを用いた液晶表示装置を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタ１４は、透光性基板１上において、多結晶シリコンの半導体層３上に積層するゲート絶縁膜４およびゲート電極６、及び、上記半導体層３のソース領域８、ドレイン領域９およびチャネル領域１０を有する。そして、前記ゲート絶縁膜４は酸化シリコン膜４ａからなり、ゲート電極６の底面と接する上記酸化シリコン膜４ａの少なくとも表面は酸窒化シリコン層４ｂから成っている。ここで、ゲート電極６は、例えば５００℃程度の比較的に低温で酸化シリコン膜と化学反応する高融点金属材料を含んで構成されている。 （もっと読む）

【課題】優れた信頼性を有するとともに、開口率を向上させることができるアクティブマトリクス装置、電気光学表示装置、および電子機器を提供すること。
【解決手段】本発明のアクティブマトリクス装置１０は、基板５０の一方の面側に設けられた複数の画素電極８と、各画素電極８に対応して設けられ、画素電極８に接続された固定電極３と、固定電極３に対向して設けられ、固定電極３側へ変位可能な可動電極５と、可動電極５に静電ギャップを介して対向して設けられた駆動電極２とを備えるスイッチング素子１と、各可動電極５に接続された第１の配線１１と、各駆動電極２に接続された第２の配線１２とを有し、可動電極５は、シリコンを主材料として構成されている。 （もっと読む）

【課題】画素の開口率の向上を図った液晶表示装置の提供。
【解決手段】液晶を介して対向配置される一方の基板の前記液晶の側の面の、一対のゲート信号線と隣接する一対のドレイン信号線で囲まれる画素領域に、前記ゲート信号線及び前記ドレイン信号線に接続される薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタを介して前記ドレイン信号線からの映像信号が供給される画素電極と、対向電圧信号線を介して前記映像信号に対して基準となる基準信号が供給される対向電極を備え、前記画素電極は絶縁膜を介して前記対向電極よりも前記液晶側に形成され、前記対向電圧信号線は、前記ゲート信号線の走行方向に沿って形成され、且つ前記絶縁膜を介して前記ゲート信号線に重畳して形成され、前記絶縁膜に形成したコンタクトホールを介して前記対向電極に電気的に接続されている。 （もっと読む）