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国際特許分類[G02F1/1362]の内容

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【課題】優れた信頼性を有するとともに、開口率を向上させることができるアクティブマトリクス装置、電気光学表示装置、および電子機器を提供すること。
【解決手段】本発明のアクティブマトリクス装置10は、基板50の一方の面側に設けられた複数の画素電極8と、各画素電極8に対応して設けられ、画素電極8に接続された固定電極3と、固定電極3に対向して設けられ、固定電極3側へ変位可能な可動電極5と、可動電極5に静電ギャップを介して対向して設けられた駆動電極2とを備えるスイッチング素子1と、各可動電極5に接続された第1の配線11と、各駆動電極2に接続された第2の配線12とを有し、可動電極5は、シリコンを主材料として構成されている。 (もっと読む)


【課題】ランニングコストや生産性を向上した高温媒体CVD法を行う化学蒸着装置を提供する。
【解決手段】減圧状態の処理チャンバー内のガス導入ヘッド31から導入された原料ガスが、エネルギー印加機構5により所定の高温に維持された高温媒体4の表面に接触するか表面付近を通過する際に生じた生成物が、基板ホルダーにより保持された基板9の表面に到達して薄膜が作成される化学蒸着装置において、ガス導入ヘッド31を高温媒体4に沿って配置することで、原料ガスの使用効率を向上させる。 (もっと読む)


【課題】ランニングコストや生産性を向上した高温媒体CVD法を行う化学蒸着装置を提供する。
【解決手段】減圧状態の処理チャンバー内のガス導入ヘッド31から導入された原料ガスが、エネルギー印加機構5により所定の高温に維持された高温媒体4の表面に接触するか表面付近を通過する際に生じた生成物が、基板ホルダーにより保持された基板9の表面に到達して薄膜が作成される化学蒸着装置において、複数のガス導入ヘッド31を介して処理チャンバー内に原料ガスを導入すると共に、各ガス導入ヘッド31からの原料ガスの導入量を独立して制御する。 (もっと読む)


【課題】半導体基板(SOI基板)の大面積化を課題とする。また、効率のよい半導体基板の作製方法を提案することを課題とする。また、上記の半導体基板の特性を向上することを課題とする。また、上記の半導体基板を用いた半導体装置及び電子機器を提供することを課題とする。
【解決手段】半導体基板(SOI基板)の大面積化及び作製効率の向上を図るために、複数の単結晶半導体基板を同時に処理して、半導体基板を作製する。具体的には、複数の単結晶半導体基板の処理を同時に可能とするトレイを用いて、一連の工程を行う。また、ベース基板に形成した単結晶半導体層に対してエッチング処理又はエッチバック処理を施すことにより、単結晶半導体層に存在する損傷領域を除去すると共に、隣接する単結晶半導体層の間隙におけるベース基板の表面の一部を除去して、ベース基板に凹部を形成する。 (もっと読む)


【課題】ディスクリネーションの発生を制御し、良好な透過率を得る液晶装置及びそれを備えた電子機器を提供する。
【解決手段】液晶装置は、第1基板14と、第1基板14上に形成されたゲート配線46と、ゲート配線46と交差して矩形状の画素40の領域を定義するデータ配線44と、ゲート配線46及びデータ配線44に連結されている薄膜トランジスタ42と、画素40の領域と対応し、複数のスリット状の開口部50を有する共通電極38と、薄膜トランジスタ42に連結され共通電極38と重なる画素電極34と、第1基板14と向かい合うように配置された第2基板12と、第1基板14と第2基板12との間に設けられた液晶層30と、を含み、共通電極38は屈曲部51を有し、屈曲部51は液晶配向の不連続点によるディスクリネーションの発生を抑制する曲線部51Aを備えた。 (もっと読む)


【課題】表示品位を改善することが可能な表示装置及びこの製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】複数の画素によって構成されたアクティブエリアを備えた表示装置であって、記アクティブエリアにおいて各画素に配置された画素電極8と、互いに絶縁層を介して交差するように配置されたゲート線G及びソース線Sと、画素電極8に印加する信号を選択するスイッチング素子7と、を備え、スイッチング素子7のドレイン電極7Dは、ゲート電極7G上においてソース電極7Sと対向するとともに矩形状のエッジを有する対向部7DAと、電極部にコンタクトするとともに曲線状のエッジを有するコンタクト部7DBとを有する。 (もっと読む)


【課題】本発明は、液晶表示装置及び液晶表示装置の画像表示方法に関し、例えばアナログ駆動方式とメモリ方式とで動作を切り換える液晶表示装置に適用して、保持容量を配置可能な面積が小さい場合であっても、必要とする保持容量を十分に確保することができるようにする。
【解決手段】本発明は、画素電極11の下層にシールド層31を間に挟んで隣接液晶セルの保持容量Csを作成し、又は画素電極の下層に3層以上の対向電極の積層により液晶セルに保持容量を作成する。 (もっと読む)


【課題】工程数を増やすことなく、素子基板に対して対向基板との隙間寸法を制御する柱状突起を光反射層の間に形成することのできる反射型液晶装置の製造方法、反射型液晶装置、電子機器、および投射型表示装置を提供すること。
【解決手段】反射型液晶装置100の素子基板10に柱状突起11を形成するにあたって、樹脂塗布工程でネガタイプの感光性樹脂13を塗布した後、露光工程で第2面10y側から感光性樹脂13を露光すると、素子基板10の透光領域10tの感光性樹脂13のみが露光されるので、現像後、画素電極9aの上層には感光性樹脂層13aが形成されない。従って、現像後の感光性樹脂層13aをエッチングマスクとして用いて下層側の絶縁膜12をエッチングして柱状突起11を形成した場合、柱状突起11が画素電極9aの上層に形成されない。 (もっと読む)


【課題】マスク使用時のハンドリング中に起こり得るパターンの静電破壊の発生を抑制できるグレートーンマスクを提供する。
【解決手段】透明基板上に遮光部と、透光部と、マスク使用時に用いられる露光光の透過量を所定量低減する半透光部からなるマスクパターンを有し、被転写体に対する露光光の照射量を部位によって選択的に低減し、被転写体上に残膜値の異なる部分を含む所望の転写パターンを形成するためのグレートーンマスクである。透明基板上の全面に導電膜が形成され、その上にマスクパターンが形成されており、基板面内の少なくともマスクパターンが形成された領域内における各マスクパターンの前記遮光部又は半透光部が、導電膜を介して電気的に等電位となっている。 (もっと読む)


【課題】
下地との優れた密着性を有し、銅やシリコンの拡散を防止し低抵抗銅配線を備えた液晶画像表示装置を提供する。
【解決手段】
アモルファスシリコン等を形成した基板上に、窒化物の生成自由エネルギが負の金属を添加した銅−金属合金ターゲットを用いて窒素+アルゴン雰囲気で金属元素と窒素とを含有する銅を主成分とする合金層を形成する。次にアルゴンのみで銅と金属の合金膜を成膜することで拡散バリアを有する金属元素を含有する銅を主成分とする合金膜と、金属元素と窒素とを含有する銅を主成分とする合金膜との積層配線を形成する。 (もっと読む)


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