【解決手段】酸不安定基で置換されたビニルアルコールと無水マレイン酸及び／又はマレイミドを繰り返し単位として有する高分子化合物と、酸発生剤と、有機溶剤とを含むレジスト組成物を基板上に塗布し、加熱処理後に高エネルギー線で上記レジスト膜を露光し、加熱処理後に有機溶剤による現像液を用いて未露光部を溶解させ、露光部が溶解しないネガ型パターンを得るパターン形成方法。
【効果】酸不安定基で置換されたビニルアルコールと無水マレイン酸及び／又はマレイミドを繰り返し単位として有する高分子化合物と酸発生剤を含むフォトレジスト膜は、有機溶剤による現像におけるポジネガ反転の画像形成において、未露光部分の溶解性が高く、露光部分の溶解性が低く、溶解コントラストが高い特徴を有する。このフォトレジスト膜を用いて露光し、有機溶剤現像を行うことによって、微細なホールパターンを寸法制御よくかつ高感度で形成することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】ネガ型パターンを高解像性で、かつ、良好な形状で形成できるレジストパターン形成方法及びレジスト組成物の提供。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する基材成分と、一般式（Ｃ１）で表される化合物とを含有するレジスト組成物を、支持体上に塗布してレジスト膜を形成する工程（１）と、前記レジスト膜を露光する工程（２）と、前記工程（２）の後にベークを行う工程（３）と、前記レジスト膜をアルカリ現像し、前記レジスト膜の未露光部が溶解除去されたネガ型レジストパターンを形成する工程（４）とを含むレジストパターン形成方法、及び前記工程（１）で用いる前記レジスト組成物。式中、Ｒ^１、Ｒ^２の少なくともいずれか一方はアルキル基又はフェニル基である。
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【課題】リソグラフィー特性、塗布性及び引き置き安定性に優れたレジスト組成物、及びレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】構成単位（ａ０−１）と、酸分解性基を含む構成単位（ａ１）とを有し、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化するる樹脂成分（Ａ１）を含有する基材成分（Ａ）、露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）、及び含窒素有機溶剤成分（Ｓ）を含有するレジスト組成物。
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【課題】溶出が抑制された高解像性のネガ型パターンを形成できるレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する基材成分と、露光により塩基を発生する光塩基発生剤成分とを含有するレジスト組成物を、支持体上に塗布してレジスト膜を形成する工程（１）と、液浸媒体を介して浸漬露光する工程（２）と、工程（２）の後にベークを行い、露光部において露光により光塩基発生剤成分から発生した塩基と、レジスト膜に予め供給された酸とを中和させ、未露光部において、レジスト膜に予め供給された酸の作用により、基材成分のアルカリ現像液に対する溶解性を増大させる工程（３）と、アルカリ現像し、未露光部が溶解除去されたネガ型レジストパターンを形成する工程（４）とを含むレジストパターン形成方法であって、レジスト膜の水に対する後退角が６５°以上であることを特徴とするレジストパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】ネガ型パターンを形成できるレジストパターン形成方法、及びこれに用いることができ、保存安定性に優れたレジスト組成物の提供。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する基材成分と、露光により塩基を発生する光塩基発生剤成分と、酸供給成分と、フッ素原子及びケイ素原子から選ばれる少なくとも１種を含み、かつ、酸の作用により極性が増大する酸分解性基を含まない化合物（Ｆ）とを含有するレジスト組成物を、支持体上に塗布してレジスト膜を形成する工程（１）と、前記レジスト膜を露光する工程（２）と、前記工程（２）の後にベークを行う工程（３）と、前記レジスト膜をアルカリ現像し、前記レジスト膜の未露光部が溶解除去されたネガ型レジストパターンを形成する工程（４）とを含むレジストパターン形成方法、及び前記工程（１）で用いる前記レジスト組成物。 （もっと読む）

【課題】レジスト組成物用の酸発生剤として有用な新規な化合物およびその製造方法、該化合物の前駆体として有用な化合物、酸発生剤、レジスト組成物およびレジストパターン形成方法を提供する。
【解決手段】下記一般式（ｂ１−１）で表される化合物。Ａは、当該Ａが結合した硫黄原子とともに３〜７員環構造の環を形成する２価の基であり、前記環は置換基を有していてもよい。Ｒ^２はＲ^５３−Ｒ^５４−（式中、Ｒ^５３は炭素数２〜１０のアルケニル基またはアリール基であり、Ｒ^５４は炭素数１〜５の直鎖状または分岐鎖状のアルキレン基である。）で表される基であり、ｎは０であり、Ｙ^１はフッ素置換されていてもよい炭素数１〜４のアルキレン基である。
［化１］
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【課題】孔径について現像時間依存性を低く抑えながら、真円性に優れる微細な孔径（例えば、６０ｎｍ以下）のホールパターンを形成可能な感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びに、これを用いたレジスト膜、パターン形成方法、電子デバイスの製造方法、及び、電子デバイスを提供する。
【解決手段】（Ｐ）下記一般式（Ｉ）で表される繰り返し単位（ａ）を有する樹脂、（Ｂ）活性光線又は放射線の照射により有機酸を発生する化合物、及び、（Ｃ）窒素原子を有し、かつ活性光線又は放射線の照射により変化しない塩基性化合物を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物であって、前記感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物の全固形分に対する前記化合物（Ｃ）の含有量が１．０質量％以上であり、かつ前記化合物（Ｃ）の前記化合物（Ｂ）に対するモル比率［Ｃ］／［Ｂ］が０．４０以上である、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
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【課題】 高反射基板上でパターンを形成するための適度な吸収を有し、露光後のパターン形状と密着性と段差基板での埋め込み特性が良好で、また、イオンインプランテーションを行う際のイオンインプラント耐性を有するポジ型レジスト材料、及びパターン形成方法を提供する。
【解決手段】 （Ａ）カルボキシル基の水素原子が環構造を有する酸不安定基で置換された構造を有する繰り返し単位を含む、重量平均分子量が１，０００〜５００，０００の高分子化合物と、（Ｂ）置換又は非置換のフルオレセインのノボラック樹脂とをベース樹脂として含有し、更に、光酸発生剤を含有するものであることを特徴とするポジ型レジスト材料。 （もっと読む）

【課題】有機溶剤現像によるネガ型パターン形成において、現像後のパターン倒れ及びブリッジ欠陥の発生を抑え、残膜率も大きい感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びに、これを用いたレジスト膜、パターン形成方法、電子デバイスの製造方法、及び電子デバイスを提供する。
【解決手段】下記一般式（Ｉ）で表される繰り返し単位（ａ）を有する樹脂（Ｐ）、
特定の一般式（Ｂ−１）〜（Ｂ−３）のいずれかで表される化合物（Ｂ）、及び溶剤
を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。


上記一般式（Ｉ）中、Ｒ_０は、水素原子又はメチル基を表す。
Ｒ_１、Ｒ_２及びＲ_３は、各々独立に、直鎖状又は分岐状のアルキル基を表す。 （もっと読む）

【課題】現像欠陥が少なくかつ良好なパターン形状を有するレジストパターンを形成できるフォトレジスト組成物の提供を目的とする。
【解決手段】本発明は、［Ａ］酸解離性基を含む構造単位（Ｉ）を有するベース重合体、［Ｂ］塩基解離性基を含む構造単位（ＩＩ）を有し、［Ａ］重合体よりもフッ素原子含有率が高い重合体、及び［Ｃ］酸発生体を含有し、上記［Ａ］重合体のポリスチレン換算重量平均分子量が、１０，０００以上４０，０００以下であるフォトレジスト組成物である。上記塩基解離性基は、フッ素原子を有することが好ましい。上記塩基解離性基は、芳香族炭化水素基であることがさらに好ましい。構造単位（ＩＩ）が、下記式（２）で表されることが好ましい。
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