レジストパターン形成方法

【課題】溶出が抑制された高解像性のネガ型パターンを形成できるレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する基材成分と、露光により塩基を発生する光塩基発生剤成分とを含有するレジスト組成物を、支持体上に塗布してレジスト膜を形成する工程（１）と、液浸媒体を介して浸漬露光する工程（２）と、工程（２）の後にベークを行い、露光部において露光により光塩基発生剤成分から発生した塩基と、レジスト膜に予め供給された酸とを中和させ、未露光部において、レジスト膜に予め供給された酸の作用により、基材成分のアルカリ現像液に対する溶解性を増大させる工程（３）と、アルカリ現像し、未露光部が溶解除去されたネガ型レジストパターンを形成する工程（４）とを含むレジストパターン形成方法であって、レジスト膜の水に対する後退角が６５°以上であることを特徴とするレジストパターン形成方法。

【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する基材成分と、露光により塩基を発生する光塩基発生剤成分とを含有するレジスト組成物を、支持体上に塗布してレジスト膜を形成する工程（１）と、
前記レジスト膜を、液浸媒体を介して浸漬露光する工程（２）と、
前記工程（２）の後にベークを行い、前記レジスト膜の露光部において、前記露光により前記光塩基発生剤成分から発生した塩基と、前記レジスト膜に予め供給された酸とを中和させ、前記レジスト膜の未露光部において、前記レジスト膜に予め供給された酸の作用により、前記基材成分のアルカリ現像液に対する溶解性を増大させる工程（３）と、
前記レジスト膜をアルカリ現像し、前記レジスト膜の未露光部が溶解除去されたネガ型レジストパターンを形成する工程（４）と
を含むレジストパターン形成方法であって、
前記レジスト膜の水に対する後退角が６５°以上であることを特徴とするレジストパターン形成方法。
【請求項２】
前記レジスト組成物が、含フッ素化合物または含ケイ素化合物を含有する請求項１に記載のレジストパターン形成方法。
【請求項３】
前記レジスト組成物が、前記含フッ素化合物または含ケイ素化合物を、前記基材成分１００質量部に対して１．０質量部以上含有する請求項２に記載のレジストパターン形成方法。
【請求項４】
前記含フッ素化合物が、下記一般式（ｆ１）で表される構成単位を含有する高分子化合物である請求項２又は３に記載のレジストパターン形成方法。
【化１】

［式中、Ｒは水素原子、炭素数１〜５のアルキル基、又は炭素数１〜５のハロゲン化アルキル基であり、Ａは−Ｏ−又は−ＮＨ−であり、Ｘ^０は単結合又は２価の連結基であり、Ｒｆ^０は有機基であり、Ｘ^０、Ｒｆ^０の少なくともいずれか一方がフッ素原子を有し、ｖは０又は１である。］
【請求項５】
前記レジスト組成物が、酸性化合物成分又は酸発生剤成分を含有する請求項１〜４のいずれか一項に記載のレジストパターン形成方法。

【図１】