【課題】露光ラチチュード、及びＬＷＲなどのパターンラフネス特性に優れ、経時による性能の変動が少ない感放射線性樹脂組成物、それを用いた感放射線性膜及びパターン形成方法、並びに電子デバイスの製造方法及び電子デバイスを提供する。
【解決手段】放射線の照射により分解して酸を発生させる下記一般式（１）で表される化合物、及び酸の作用により分解してアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂を含有する感放射性樹脂組成物。一般式（１）中、Ｒ_１及びＲ_２は、各々独立に、アリールを表し、Ｒ_１とＲ_２が連結していてもよい。Ｒ_３及びＲ_４は、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、又はアリール基を表す。また、Ｒ_３とＲ_４が連結していてもよい。Ｒ_５は、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アリール基、アラルキル基、又はアルキルカルボニル基を表す。Ｒ_５は、Ｒ_３もしくはＲ_４と連結していてもよい。
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【課題】本発明の目的は、撥水性、耐溶出性及び溶解性についての特性を満たしつつ、剥がれ耐性及び露光余裕度をバランス良く両立することができる液浸上層膜形成用組成物及びレジストパターン形成方法を提供することである。
【解決手段】本発明は、［Ａ１］下記式（ｉ）で表される基を含む構造単位（Ｉ−１）を有する重合体、［Ａ２］上記［Ａ１］重合体と異なる重合体、及び［Ｂ］溶媒を含有する液浸上層膜形成用組成物である。下記式（ｉ）中、Ｒ^１は、炭素数１〜２０の（ｎ＋１）価の炭化水素基である。ｎは、１〜３の整数である。［Ａ２］重合体の成膜状態での水との後退接触角は、［Ａ１］重合体よりも大きいことが好ましい。
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【課題】多層レジストプロセスにおいて、有機溶媒現像の場合に、パターン倒れ耐性に優れるレジストパターンを形成させることができるレジストパターン形成方法の提供を目的とする。
【解決手段】本発明は、（１）レジスト下層膜形成用組成物を用い、基板上にレジスト下層膜を形成する工程、（２）フォトレジスト組成物を用い、上記レジスト下層膜上にレジスト膜を形成する工程、（３）上記レジスト膜を露光する工程、及び（４）上記露光されたレジスト膜を、有機溶媒を８０質量％以上含有する現像液を用いて現像する工程を有し、上記レジスト下層膜形成用組成物が、［Ａ］ポリシロキサン鎖を含み、カルボキシル基、酸の作用によりカルボキシル基を生じうる基及び酸無水物基からなる群より選ばれる少なくとも１種の基を有する成分を含有するレジストパターン形成方法である。 （もっと読む）

【課題】レジスト膜の環境からの影響を低減させ、ＯＯＢ光を効率よく遮断させ、レジストパターンの膜減りやパターン間のブリッジを低減させ、レジストを高感度化させるレジスト保護膜材料を提供する。
【解決手段】ウエハー３に形成したフォトレジスト膜２上にレジスト保護膜材料によりレジスト保護膜１を形成し、露光を行った後、レジスト保護膜の剥離及びフォトレジスト膜の現像を行うことで、フォトレジスト膜にパターンを形成する方法において用いるレジスト保護膜材料であって、下記一般式（１）に記載のフェノール基を含有するトルクセン化合物を含むレジスト保護膜材料。
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【課題】高屈折率を有する硬化物を得ることができる樹脂組成物を提供すること。また、前記樹脂組成物を硬化して得られた、高屈折率を有し、機械強度に優れた光学部材を提供すること。
【解決手段】（成分Ａ）（ａ−１）酸及び／又は熱によって脱離する基を有するモノマー単位と（ａ−２）架橋性基を有するモノマー単位とを有する重合体、（成分Ｂ）粒子、並びに、（成分Ｃ）溶剤、を含有することを特徴とする樹脂組成物、前記樹脂組成物を硬化して得られた硬化物及び光学部材。 （もっと読む）

【課題】高感度、高解像性（高解像力など）、高ラインウィズスラフネス（ＬＷＲ）性能を極めて高次元で同時に満足するパターン形成方法、感電子線性又は感極紫外線性樹脂組成物、及び、レジスト膜、並びに、これらを用いた電子デバイスの製造方法、及び、電子デバイスを提供する。
【解決手段】本発明に係るパターン形成方法は、（１）感電子線性又は感極紫外線性樹脂組成物を用いて膜を形成することと、（２）前記膜を電子線または極紫外線で露光することと、（３）有機溶剤を含んだ現像液を用いて前記露光された膜を現像することとを含み、前記感電子線性又は感極紫外線性樹脂組成物は、（Ａ）電子線又は極紫外線の照射により分解して酸を発生する構造部位を備えた繰り返し単位（Ｒ）を有する樹脂と、（Ｂ）溶剤とを含有している。 （もっと読む）

【課題】リソグラフィー特性及びパターン形状に優れたレジスト組成物、レジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】露光により酸を発生し、且つ酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分（Ａ）と、露光によりｐＫａが０以上である酸を発生する酸発生剤成分（Ｃ）（但し、前記基材成分（Ａ）を除く）と、露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）（但し、前記基材成分（Ａ）及び前記酸発生剤成分（Ｃ）を除く）と、を含み、前記基材成分（Ａ）が、主鎖の少なくとも一方の末端に露光により酸を発生するアニオン部位を有する重合体（Ａ１）を含有することを特徴とするレジスト組成物。 （もっと読む）

【課題】レジストパターンのラインエッジラフネスに優れた酸発生剤を含むレジスト組成物の提供。
【解決手段】式（Ｉ）で表される塩。


［式中、Ｑ^１〜Ｑ^４はフッ素原子又は炭素数１〜６のペルフルオロアルキル基を表す。Ｌ^１及びＬ^２は炭素数１〜１７の２価の飽和炭化水素基等を表す。Ｗは式（Ｗ−Ｉ）


（式中、ｎは０〜５の整数を表す。Ｒ^１は炭素数１〜１２の炭化水素基等を表す。ｍは０〜４の整数を表す。２つの＊はＬ^１及びＬ^２との結合手である。）で表される基を表す。Ｚ^ａ＋及びＺ^ｂ＋は有機対イオンを表す。］ （もっと読む）

【解決手段】カルボキシル基の水素原子が一般式（１）で示される酸不安定基によって置換されている樹脂をベース樹脂にしているポジ型レジスト材料。


（Ｒ¹はメチレン基又はエチレン基、Ｒ²は炭素数１〜８の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、炭素数６〜１０のアリール基、又は炭素数２〜１０のアルケニル基で、酸素原子又は硫黄原子を有していてもよい。Ｒ³はフッ素原子又はトリフルオロメチル基、ｍは１〜４の整数。）
【効果】本発明のポジ型レジスト材料は、露光前後のアルカリ溶解速度コントラストが大幅に高く、高解像性を有し、露光後のパターン形状とエッジラフネスが良好で、特に酸拡散速度を抑制し、優れたエッチング耐性を示す。従って、特に超ＬＳＩ製造用あるいはフォトマスクの微細パターン形成材料、ＥＵＶ露光用のパターン形成材料として好適なポジ型レジスト材料、特には化学増幅ポジ型レジスト材料を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】レジストパターンの裾引き形状改善に効果が有り、ＬＥＲ性能が良好なパターンを形成することが可能である感活性光線又は感放射線樹脂組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】（Ａ）酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂及び（Ｂ）活性光線または放射線の照射により酸を発生する化合物を含有し、（Ｂ）活性光線または放射線の照射により酸を発生する化合物を、感活性光線性または感放射線性樹脂組成物の全固形分を基準として、１０〜３０質量％含有する感活性光線性または感放射線性樹脂組成物及びそれを用いたパターン形成方法。 （もっと読む）