【課題】ＥＵＶ用またはＥＢ用として有用なレジスト組成物、該レジスト組成物を用いるレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】露光により酸を発生し、且つ、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分（Ａ）を含有するＥＵＶ用又はＥＢ用レジスト組成物であって、前記基材成分（Ａ）が、下記一般式（ａ０−１）又は（ａ０−２）で表される基を含む構成単位（ａ０）を有する高分子化合物（Ａ１）を含有し、前記基材成分（Ａ）に加えて、光反応型クエンチャー（Ｃ）を含有することを特徴とするＥＵＶ用又はＥＢ用レジスト組成物。式中の基−Ｒ^３−Ｓ^＋（Ｒ^４）（Ｒ^５）は、全体で芳香環を１個のみ有するか又は芳香環を有さない。Ｍ^ｍ＋は、芳香環を１個のみ有するか又は芳香環を有さない。
（もっと読む）

【課題】レジスト組成物用の酸発生剤として有用な新規な化合物、該化合物からなる酸発生剤、該酸発生剤を含有するレジスト組成物および該レジスト組成物を用いたレジストパターン形成方法を提供する。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が変化する基材成分、および露光により酸を発生する酸発生剤成分を含有するレジスト組成物であって、酸発生剤成分が、一般式（ｂ１−１１）で表される化合物からなる酸発生剤を含むことを特徴とするレジスト組成物。式（ｂ１−１１）中、Ｒ^７”〜Ｒ^９”のうち少なくとも１つは、置換基として式（Ｉ）で表される基を有する置換アリール基であり、式（Ｉ）中のＷは２価の連結基である。Ｘ⁻は、式（ｂ−３）または（ｂ−４）で表されるアニオンである。
（もっと読む）

【課題】レジストパターン製造時のフォーカスマージンが広いレジスト組成物に用いられる樹脂を提供する。
【解決手段】式（ａａ）で表される構造単位を含む樹脂。


［Ｔ^１は、環骨格中に−Ｏ−ＳＯ_２−を有する炭素数３〜３４の脂環式炭化水素基を表し、置換基を有してもよい。Ｘ^１は、酸素原子又は−Ｎ（Ｒ^ｃ）−；Ｒ^ｃは、水素原子又は炭素数１〜６のアルキル基；Ｚ^１は、−Ｘ^２−又は−Ｘ^３−Ｘ^４−ＣＯ−Ｘ^５−；Ｘ^２、Ｘ^３及びＸ^５は、それぞれ独立に炭素数１〜６のアルカンジイル基；Ｘ^４は、酸素原子又は−Ｎ（Ｒ^ｄ）−；Ｒ^ｄは、水素原子又は炭素数１〜６のアルキル基；Ｒ^１は、ハロゲン原子を有してもよい炭素数１〜６のアルキル基、水素原子又はハロゲン原子を表す。］ （もっと読む）

【課題】半導体素子のバンプ形成などに用いられる厚膜レジストパターンなどの製造に有用であり、当該レジストパターンが裾引きの発生が極めて抑制されたものである化学増幅型フォトレジスト組成物を提供する。
【解決手段】樹脂（Ａ）、酸発生剤（Ｂ）及び
式（Ｘ）


（式（Ｘ）中、
Ｒは、水素原子、アルキル基、アリール基などを表す。
２つのＲ^'は、水素原子、アルキル基、アリール基などを表すが、２つのＲ^'が互いに結合し、これらが結合する炭素原子とともに環を形成する。）
で表される化合物（Ｘ）を含有する化学増幅型フォトレジスト組成物。 （もっと読む）

【課題】優れたラインエッジラフネス（ＬＥＲ）を有するレジストパターンを得ることができる化合物、樹脂、レジスト組成物等を提供することを目的とする。
【解決手段】式（Ｉ）で表される化合物、この化合物に由来する構造単位を有する樹脂及びこれを含むレジスト組成物。


［式中、Ｒ^２はエチレン性二重結合を含む基；Ｗは２価の脂環式炭化水素基；Ｔ^１は、単結合、２価の脂肪族炭化水素基等；Ｔ^２は２価の脂肪族炭化水素基等］ （もっと読む）

【課題】ＬＷＲ等のラフネス性能、局所的なパターン寸法の均一性及び露光ラチチュードに優れ、かつ良好なドライエッチング耐性を有するパターン形成方法、それに用いられる感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を提供すること。
【解決手段】（ア）下記一般式（ｂ１）で表される非酸分解性の繰り返し単位（ｂ１）、および、酸によって分解し極性基を生じる基を有する繰り返し単位を含む樹脂（Ｐ）、及び、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物（Ｂ）を含有する感活性光線性又は感放線性樹脂組成物を用いて膜を形成する工程、（イ）該膜を波長が２００ｎｍ以下の活性光線又は放射線により露光する工程、及び（ウ）ヘテロ原子及び炭素原子を含み、且つ、炭素原子数が７以上の有機溶剤を含む現像液を用いて現像してネガ型のパターンを形成する工程、を含むパターン形成方法。（式中、Ａは酸素原子を含まない、置換基を有していてもよい脂環式炭化水素基を表し、Ｘ_０は水素原子又はアルキル基を表す。）
【化１】
（もっと読む）

【課題】極端紫外光リソグラフィーにおいて、ラフネスの低減を実現できる材料を提供する。
【解決手段】下記式（Ａ）で表される環状化合物。（式中、Ｒはカルボン酸誘導体基置換フェニル等、Ｒ^１は水酸基、アルコキシ基、又はＯＲ^Ｌ（Ｒ^Ｌは光反応性基を含む基）等、Ｒ^２は水素原子等を表す。）
（もっと読む）

【課題】高感度かつ露光後焼成が不要で、アルカリ水溶液で現像することにより得られるパターニングされた透明膜の形成に有用なポジ型感光性組成物を提供する。
【解決手段】アルコキシシリルを有するラジカル重合性モノマー（ａ１）と、酸性基を有するラジカル重合性モノマー（ａ２）と、（ａ１）と（ａ２）以外のラジカル重合性モノマー（ａ３）とをラジカル共重合してなるポリマー（Ａ）、光酸発生剤（Ｂ）、及び有機溶剤（Ｃ）を含有するポジ型感光性組成物を提供する。 （もっと読む）

【課題】所望とする収縮率にて縮小化された微細パターンの形成を実現することが可能なパターン形成方法、及び、その方法において用いる架橋層形成用組成物を提供する。
【解決手段】（ア）酸の作用により極性が増大する樹脂、および、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物を含む感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を用いて膜を形成する工程、（イ）該膜を露光する工程、（ウ）露光した膜を有機溶剤を含む現像液を用いて現像し、ネガ型のパターンを形成する工程、及び、（エ）該パターンに、下記一般式（Ｉ）で表される繰り返し単位を含む樹脂と、架橋成分と、アルコール系溶剤を含有する組成物を塗布し、該パターンを構成する前記樹脂と架橋させて架橋層を形成する工程、を含むパターン形成方法。（式中、Ｒ_１は、アルキル基、アルコキシ基、アルキルカルボニルオキシ基又はアルコキシカルボニル基を表す。）
（もっと読む）

【課題】高解像のパターンを良好な形状で形成でき、ＰＥＢ温度のパターン寸法への影響も少ないレジスト組成物、該レジスト組成物を用いるレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】露光により酸を発生し、且つ、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分（Ａ）を含有するレジスト組成物であって、前記基材成分（Ａ）が、下記一般式（ａ０−１）又は（ａ０−２）で表される基を含む構成単位（ａ０）と、酸の作用により極性が増大し且つ多環式基を含む酸分解性基を含む構成単位（ａ１１）と、酸の作用により極性が増大し且つ単環式基を含む酸分解性基を含む構成単位（ａ１２）と、を有する共重合体（Ａ１）を含有するレジスト組成物。式中の基−Ｒ^３−Ｓ^＋（Ｒ^４）（Ｒ^５）、Ｍ^ｍ＋はそれぞれ、全体で芳香環を１個のみ有するか又は芳香環を有さない。
［化１］
（もっと読む）