【課題】ネガ型パターンを高解像性で、かつ、良好な形状で形成できるレジストパターン形成方法と、これに用いるのに好適なレジスト組成物の提供。
【解決手段】基材成分（Ａ）及び光塩基発生剤成分を含有するレジスト組成物を用いてレジスト膜を形成する工程、レジスト膜を露光する工程、露光後にベークを行う工程、レジスト膜をアルカリ現像し、未露光部が溶解除去されたネガ型レジストパターンを形成する工程を含むレジストパターン形成方法、及びこれに用いるレジスト組成物であって、（Ａ）成分は酸分解性基を含む構成単位、−ＳＯ_２−又はラクトン含有環式基を含む構成単位、式（ａ３−１）で表される構成単位（但し１０モル％以下）を有する高分子化合物を含む。
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【課題】スカムの発生が軽減され、良好な形状のレジストパターンを製造し得るレジスト組成物レジスト組成物の提供。
【解決手段】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｅ）及び（Ｄ）を含有するレジスト組成物。（Ａ）アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液に溶解し得る樹脂、（Ｂ）スルホニウム塩又はヨードニウム塩からなる酸発生剤、（Ｅ）式（Ｉ）で示される化合物、


［式（Ｉ）中、環Ｘは、環を構成する原子として４級窒素原子を１つ含む、５員環又は６員環の複素環を表す。Ｒ^３はアルキル基、Ｒ^４及びＲ^５は、フッ素原子を有するアルキル基を表す。］、（Ｄ）溶剤。 （もっと読む）

【課題】感度、解像性及びリソグラフィー特性に優れるレジスト組成物、該レジスト組成物用として有用な高分子化合物、該レジスト組成物を用いたレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】露光により酸を発生し、且つ、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分（Ａ）を含有するレジスト組成物であって、前記基材成分（Ａ）は、一般式（ａ５−０）で表される構成単位（ａ５）と、露光により酸を発生する構成単位（ａ６）とを有する高分子化合物（Ａ１）を含むことを特徴とするレジスト組成物。
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【課題】 焦点深度ラチチュード（Ｄｅｐｔｈ Ｏｆ Ｆｏｃｕｓ）が大きく、経時でのパーティクル発生が少ないという液物性を有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びに、該組成物を用いたレジスト膜、パターン形成方法、電子デバイスの製造方法及び電子デバイスを提供する。
【解決手段】 （Ａ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、及び（Ｂ）酸の作用により分解してアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物であって、
前記感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物が、前記化合物（Ａ）として、特定の２種の化合物からなる組み合わせ（Ａ−１）、又は、特定の２種の化合物からなる組み合わせ（Ａ−２）を含有する、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びに、該組成物を用いたレジスト膜、パターン形成方法、電子デバイスの製造方法及び電子デバイス。 （もっと読む）

【課題】本発明は、アルカリ不溶性又は難溶性の高分子化合物及び熱架橋剤を含有する高感度、高解像度な厚膜用の化学増幅ポジ型レジスト材料に関する。
【解決手段】（Ａ）ベース樹脂、（Ｂ）光酸発生剤、（Ｃ）熱架橋剤、（Ｄ）有機溶剤を含有し、（Ａ）成分が１００質量部、（Ｂ）成分が０．０５〜２０質量部、（Ｃ）成分が０．１〜５０質量部、（Ｄ）成分が５０〜５，０００質量部からなり、（Ａ）ベース樹脂が、重量平均分子量１，０００〜５００，０００である高分子化合物を含有することを特徴とする化学増幅ポジ型レジスト材料。 （もっと読む）

【課題】環境影響が低減されたネガ型パターンを形成できるレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する基材成分と、露光により塩基を発生する光塩基発生剤成分と、酸性化合物成分とを含有するレジスト組成物を、支持体上に塗布してレジスト膜を形成する工程（１）と、レジスト膜上に保護膜形成用組成物を塗布して保護膜を形成する工程（２）と、レジスト膜及び保護膜を露光する工程（３）と、工程（３）の後にベークを行い、露光部において、露光により光塩基発生剤成分から発生した塩基と、酸性化合物成分とを中和させ、未露光部において、酸性化合物成分の作用により、基材成分のアルカリ現像液に対する溶解性を増大させる工程（４）と、レジスト膜をアルカリ現像し、未露光部が溶解除去されたネガ型レジストパターンを形成する工程（５）とを含むことを特徴とするレジストパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】ディフェクトの発生が低減され、リソグラフィー特性に優れたレジスト組成物の基材成分として有用な高分子化合物の製造方法、並びに当該高分子化合物を含有するレジスト組成物、及び当該レジスト組成物を用いたレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】少なくとも、−ＳＯ_２−含有環式基を含むモノマーと、酸の作用により極性が増大する酸分解性基を含むモノマーとを共重合して高分子化合物（但し、該高分子化合物は露光により酸を発生するモノマーから誘導される構成単位を含まない）を製造する方法であって、前記共重合を、前記−ＳＯ_２−含有環式基を含むモノマーに対して、０．００１〜１．０モル％の塩基性化合物の存在下で行うことを特徴とする高分子化合物の製造方法。 （もっと読む）

【解決手段】酸不安定基により水酸基が保護された構造を有する繰り返し単位（ａ１）とアミノ基、アミド結合、カルバメート結合、含窒素複素環から選ばれる構造を１つ以上含む繰り返し単位（ａ２）とを含有する高分子化合物［Ａ］と、光酸発生剤［Ｂ］と、有機溶剤［Ｃ］とを共に含むレジスト組成物を基板に塗布し、塗布後加熱処理をして作製したレジスト膜を高エネルギー線で露光し、露光後加熱処理を施した後に、有機溶剤を含有する現像液によりレジスト膜の未露光部分を選択的に溶解させるネガ型パターン形成方法。
【効果】本発明の特定の構造の高分子化合物と光酸発生剤と有機溶剤を含むレジスト組成物は、有機溶剤ネガ現像と組み合わせることで高い解像性を示し、例えば微細トレンチパターンやホールパターンの側壁の垂直性を高め、パターン倒れ耐性を向上させることが可能である。 （もっと読む）

【課題】ＥＵＶ用又はＥＢ用として有用なレジスト組成物、及びレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】式（ａ５−０−１）又は式（ａ５−０−２）で表される基を含む構成単位（ａ５）と式（ａ６−１）で表される構成単位とを有する樹脂成分を含有し、構成単位（ａ５）を誘導するモノマー量が、該構成単位（ａ５）を有する重合体に対して１００ｐｐｍ以下のレジスト組成物。式中、Ｑ^１、Ｑ^２、Ｑ^３は単結合又は連結基；Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５は有機基であり、Ｒ^４とＲ^５とは環を形成してもよい。式中の基−Ｒ^３−Ｓ^＋（Ｒ^４）（Ｒ^５）は全体で芳香環を１個のみ有するか又は芳香環を有さない。Ｖ⁻は対アニオン、Ａ⁻はアニオンを含む基；Ｍ^ｍ＋は芳香環を１個のみ有するか又は芳香環を有さない有機カチオン；ｍは１〜３の整数；Ｒは水素原子、アルキル基又はハロゲン化アルキル基；Ｐ^３は芳香族炭化水素基である。
［化１］
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【解決手段】酸不安定基によりカルボキシル基が保護された構造を有する繰り返し単位（ａ１）とアミノ基、アミド結合、カルバメート結合、含窒素複素環から選ばれる構造を１つ以上含む繰り返し単位（ａ２）とを含有する高分子化合物［Ａ］と、光酸発生剤［Ｂ］と、有機溶剤［Ｃ］とを共に含むレジスト組成物を基板に塗布し、塗布後加熱処理をして作製したレジスト膜を高エネルギー線で露光し、露光後加熱処理を施した後に、有機溶剤を含有する現像液によりレジスト膜の未露光部分を選択的に溶解させるネガ型パターン形成方法。
【効果】本発明の特定の構造の高分子化合物と光酸発生剤と有機溶剤を含むレジスト組成物を有機溶剤ネガ現像と組み合わせることで表面難溶層の形成を防ぎ、微細トレンチパターンやホールパターンの広い焦点深度を得ることが可能となる。 （もっと読む）