【課題】露光余裕度が大きく、かつラフネスが低減されたレジストパターンを形成できるレジスト組成物及びレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】酸の作用により極性が増大する酸分解性基を含む下記構成単位（ａ１０）と、−ＳＯ_２−含有環式基を含む構成単位と、アクリル酸エステルから誘導され極性基含有脂肪族炭化水素基を含む構成単位と、を有する樹脂成分（Ａ１）、及び露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）を含有するレジスト組成物。（式中、Ｒ^２は一般式（ａ１０−１）又は下記一般式（ａ１０−２）で表される基であり、Ｘは酸素原子又はＣＨ_２である）
（もっと読む）

【課題】ラフネス性能、局所的なパターン寸法の均一性及び露光ラチチュードに優れ、かつ現像により形成されるパターン部が良好なドライエッチング耐性を有するパターン形成方法、及び、それに用いられる感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を提供すること。
【解決手段】酸によって分解しカルボキシル基を生じる基を有する繰り返し単位（ａ１）を含む樹脂、及び、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物を含有する感活性光線性又は感放線性樹脂組成物を用いて膜を形成する工程、該膜を露光する工程、及び、ヘテロ原子及び炭素原子を含み、且つ、炭素原子数が７以上の有機溶剤を含む現像液を用いて現像してネガ型のパターンを形成する工程を含み、繰り返し単位（ａ１）が、酸分解後のカルボキシル基を生じた際の該単位中に含まれる各原子の数を下式に代入し得られる値Ｘが０＜Ｘ≦５であるパターン形成方法。Ｘ＝（酸による分解後の繰り返し単位を構成する原子数の合計）／｛（炭素原子の数）−（炭素原子でも水素原子でもない原子の数）｝ （もっと読む）

【課題】有機溶媒を含む現像液を用いた場合においてミッシングコンタクトホールの発生が抑制され、リソグラフィー特性に優れる感放射線性樹脂組成物の提供を目的とする。
【解決手段】本発明は、有機溶媒が８０質量％以上の現像液を用いるネガ型レジストパターン形成方法用の感放射線性樹脂組成物であって、［Ａ］酸解離性基を有するベース重合体、［Ｂ］［Ａ］重合体よりフッ素原子含有率が高い重合体、［Ｃ］感放射線性酸発生体、［Ｄ］溶媒、及び［Ｅ］［Ｄ］溶媒の比誘電率よりも１５以上大きい比誘電率を有する化合物を含有し、上記［Ａ］重合体が、下記式（１）で表される構造単位を有し、上記［Ｅ］化合物が、［Ａ］重合体１００質量部に対して、１０質量部以上２００質量部以下含有することを特徴とする。
（もっと読む）

【課題】マスクエラーファクター優れたレジストパターンレジストパターンを得ることができる化合物、樹脂、レジスト組成物等を提供することを目的とする。
【解決手段】式（Ｉ）で表される化合物、この化合物に由来する構造単位を有する樹脂と、酸発生剤とを含有するレジスト組成物。


［式中、Ｒ^１及びＲ^２は、それぞれ独立に、炭素数１〜６の脂肪族炭化水素基を表すか又はＲ^１及びＲ^２が互いに結合し、それらが結合している炭素原子とともに炭素数５〜２０の環を形成する。Ｒ^４は、エチレン性二重結合を含む基を表す。Ｗは、炭素数６〜１８の２価の脂環式炭化水素基を表す。Ｔ^１は、単結合、炭素数１〜６の２価の脂肪族炭化水素基等を表す。Ｔ^２は、炭素数１〜６の２価の脂肪族炭化水素基等を表す。］ （もっと読む）

【課題】ＥＵＶ用またはＥＢ用として有用なレジスト組成物、該レジスト組成物を用いるレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】露光により酸を発生し、且つ、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分（Ａ）を含有するＥＵＶ用又はＥＢ用レジスト組成物であって、前記基材成分（Ａ）が、下記一般式（ａ０−１）又は（ａ０−２）で表される基を含む構成単位（ａ０）を有する高分子化合物（Ａ１）を含有し、前記基材成分（Ａ）に加えて、光反応型クエンチャー（Ｃ）を含有することを特徴とするＥＵＶ用又はＥＢ用レジスト組成物。式中の基−Ｒ^３−Ｓ^＋（Ｒ^４）（Ｒ^５）は、全体で芳香環を１個のみ有するか又は芳香環を有さない。Ｍ^ｍ＋は、芳香環を１個のみ有するか又は芳香環を有さない。
（もっと読む）

【課題】レジスト組成物用の酸発生剤として有用な新規な化合物、該化合物からなる酸発生剤、該酸発生剤を含有するレジスト組成物および該レジスト組成物を用いたレジストパターン形成方法を提供する。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が変化する基材成分、および露光により酸を発生する酸発生剤成分を含有するレジスト組成物であって、酸発生剤成分が、一般式（ｂ１−１１）で表される化合物からなる酸発生剤を含むことを特徴とするレジスト組成物。式（ｂ１−１１）中、Ｒ^７”〜Ｒ^９”のうち少なくとも１つは、置換基として式（Ｉ）で表される基を有する置換アリール基であり、式（Ｉ）中のＷは２価の連結基である。Ｘ⁻は、式（ｂ−３）または（ｂ−４）で表されるアニオンである。
（もっと読む）

【課題】レジストパターン製造時のフォーカスマージンが広いレジスト組成物に用いられる樹脂を提供する。
【解決手段】式（ａａ）で表される構造単位を含む樹脂。


［Ｔ^１は、環骨格中に−Ｏ−ＳＯ_２−を有する炭素数３〜３４の脂環式炭化水素基を表し、置換基を有してもよい。Ｘ^１は、酸素原子又は−Ｎ（Ｒ^ｃ）−；Ｒ^ｃは、水素原子又は炭素数１〜６のアルキル基；Ｚ^１は、−Ｘ^２−又は−Ｘ^３−Ｘ^４−ＣＯ−Ｘ^５−；Ｘ^２、Ｘ^３及びＸ^５は、それぞれ独立に炭素数１〜６のアルカンジイル基；Ｘ^４は、酸素原子又は−Ｎ（Ｒ^ｄ）−；Ｒ^ｄは、水素原子又は炭素数１〜６のアルキル基；Ｒ^１は、ハロゲン原子を有してもよい炭素数１〜６のアルキル基、水素原子又はハロゲン原子を表す。］ （もっと読む）

【課題】半導体素子のバンプ形成などに用いられる厚膜レジストパターンなどの製造に有用であり、当該レジストパターンが裾引きの発生が極めて抑制されたものである化学増幅型フォトレジスト組成物を提供する。
【解決手段】樹脂（Ａ）、酸発生剤（Ｂ）及び
式（Ｘ）


（式（Ｘ）中、
Ｒは、水素原子、アルキル基、アリール基などを表す。
２つのＲ^'は、水素原子、アルキル基、アリール基などを表すが、２つのＲ^'が互いに結合し、これらが結合する炭素原子とともに環を形成する。）
で表される化合物（Ｘ）を含有する化学増幅型フォトレジスト組成物。 （もっと読む）

【課題】優れたラインエッジラフネス（ＬＥＲ）を有するレジストパターンを得ることができる化合物、樹脂、レジスト組成物等を提供することを目的とする。
【解決手段】式（Ｉ）で表される化合物、この化合物に由来する構造単位を有する樹脂及びこれを含むレジスト組成物。


［式中、Ｒ^２はエチレン性二重結合を含む基；Ｗは２価の脂環式炭化水素基；Ｔ^１は、単結合、２価の脂肪族炭化水素基等；Ｔ^２は２価の脂肪族炭化水素基等］ （もっと読む）

【課題】ＬＷＲ等のラフネス性能、局所的なパターン寸法の均一性及び露光ラチチュードに優れ、かつ良好なドライエッチング耐性を有するパターン形成方法、それに用いられる感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を提供すること。
【解決手段】（ア）下記一般式（ｂ１）で表される非酸分解性の繰り返し単位（ｂ１）、および、酸によって分解し極性基を生じる基を有する繰り返し単位を含む樹脂（Ｐ）、及び、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物（Ｂ）を含有する感活性光線性又は感放線性樹脂組成物を用いて膜を形成する工程、（イ）該膜を波長が２００ｎｍ以下の活性光線又は放射線により露光する工程、及び（ウ）ヘテロ原子及び炭素原子を含み、且つ、炭素原子数が７以上の有機溶剤を含む現像液を用いて現像してネガ型のパターンを形成する工程、を含むパターン形成方法。（式中、Ａは酸素原子を含まない、置換基を有していてもよい脂環式炭化水素基を表し、Ｘ_０は水素原子又はアルキル基を表す。）
【化１】
（もっと読む）