【課題】所望とする収縮率にて縮小化された微細パターンの形成を実現することが可能なパターン形成方法、及び、その方法において用いる架橋層形成用組成物を提供する。
【解決手段】（ア）酸の作用により極性が増大する樹脂、および、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物を含む感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を用いて膜を形成する工程、（イ）該膜を露光する工程、（ウ）露光した膜を有機溶剤を含む現像液を用いて現像し、ネガ型のパターンを形成する工程、及び、（エ）該パターンに、下記一般式（Ｉ）で表される繰り返し単位を含む樹脂と、架橋成分と、アルコール系溶剤を含有する組成物を塗布し、該パターンを構成する前記樹脂と架橋させて架橋層を形成する工程、を含むパターン形成方法。（式中、Ｒ_１は、アルキル基、アルコキシ基、アルキルカルボニルオキシ基又はアルコキシカルボニル基を表す。）
（もっと読む）

【課題】高解像のパターンを良好な形状で形成でき、ＰＥＢ温度のパターン寸法への影響も少ないレジスト組成物、該レジスト組成物を用いるレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】露光により酸を発生し、且つ、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分（Ａ）を含有するレジスト組成物であって、前記基材成分（Ａ）が、下記一般式（ａ０−１）又は（ａ０−２）で表される基を含む構成単位（ａ０）と、酸の作用により極性が増大し且つ多環式基を含む酸分解性基を含む構成単位（ａ１１）と、酸の作用により極性が増大し且つ単環式基を含む酸分解性基を含む構成単位（ａ１２）と、を有する共重合体（Ａ１）を含有するレジスト組成物。式中の基−Ｒ^３−Ｓ^＋（Ｒ^４）（Ｒ^５）、Ｍ^ｍ＋はそれぞれ、全体で芳香環を１個のみ有するか又は芳香環を有さない。
［化１］
（もっと読む）

【課題】解像性に優れるレジストパターンを製造可能なレジスト組成物を提供する。
【解決手段】酸に不安定な基を有し、かつ酸の作用により分解しアルカリ水溶液への溶解性が増大する樹脂と、酸発生剤と、式（Ｉ）で表される化合物とを含有するレジスト組成物。［式（Ｉ）中、環Ｈ^１は、置換基を有していてもよい炭素数３〜２０の芳香族複素環を表す。Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３及びＲ^４は、それぞれ独立に、炭素数１〜２０のアルキル基を表す。］
（もっと読む）

【課題】ラインエッジラフネスに優れたレジストパターンを製造し得るレジスト組成物を提供すること。
【解決手段】フェノール性ヒドロキシ基を有する構造単位を有し、アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液に可溶となる樹脂と、酸分解性基を有する酸発生剤と、両性イオン化合物とを含むレジスト組成物。 （もっと読む）

【解決手段】ヒドロキシ基が酸不安定基で置換された繰り返し単位含有高分子化合物及び酸発生剤又はヒドロキシ基が酸不安定基で置換された繰り返し単位と露光により酸を発生する繰り返し単位含有高分子化合物と、パーフルオロアルキルエーテルカルボン酸のスルホニウム塩又はヨードニウム塩と、有機溶剤とを含むレジスト組成物を基板上に塗布し、加熱処理後高エネルギー線でレジスト膜を露光し、加熱処理後有機溶剤による現像液を用いて未露光部を溶解させ、露光部が溶解しないネガ型パターンを得るパターン形成方法。
【効果】ヒドロキシ基の水素原子を酸不安定基で置換した繰り返し単位含有高分子化合物と酸発生剤とパーフルオロアルキルエーテルカルボン酸のオニウム塩を含むフォトレジスト膜は、有機溶剤による現像におけるポジネガ反転の画像形成において、未露光部分の溶解性が高く、露光部分の溶解性が低く、溶解コントラストが高い特徴を有する。 （もっと読む）

【課題】疎水性が高く液浸水への溶出が低く、酸拡散制御による、高解像性パターンプロファイルの構築。
【解決手段】（Ａ）式（１−１）の化合物（Ｂ）式（１−２）で示される酸発生剤、（Ｃ）ベース樹脂、（Ｄ）有機溶剤を含有するＡｒＦ液浸露光用化学増幅ポジ型レジスト材料。


（Ａｒはアリール基。）


（Ｒ¹はアルキル基、アルケニル基又はアラルキル基。Ｒ²は水素原子又はトリフルオロメチル基。Ａｒはアリール基。） （もっと読む）

【課題】リソグラフィー特性に優れたレジスト組成物、レジストパターン形成方法、新規な化合物及び酸発生剤の提供。
【解決手段】酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分（Ａ）、及び露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）を含有するレジスト組成物であって、酸発生剤成分（Ｂ）は、式（ｂ１−１）で表される化合物からなる酸発生剤（Ｂ１）を含有する［Ｚ^＋は有機カチオン；Ｑ^１及びＱ^２は、フッ素原子又は直鎖状若しくは分枝鎖状の炭素数１〜６のフッ素化アルキル基；Ｘは−（ＣＨ_２）_ｍ１−；Ｙは単結合、−Ｏ−（ＣＨ_２）_Ｌ１−又は−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−（ＣＨ_２）_Ｌ１−；Ｌ１、ｍ１は１〜６の整数；ＲｘはＣ＝Ｃ不飽和結合を有し、置換基を有していてもよい炭素数２〜３６の２価の脂肪族炭化水素基；Ｒｙは酸解離性基である。］。
［化１］
（もっと読む）

【解決手段】（Ａ）酸不安定基を含む繰り返し単位（ａ１）と、環状の炭化水素基を有し、その環内にエステル基、エーテル基、炭酸エステル基又はスルホン酸エステル基のうち少なくとも１つを含む繰り返し単位（ａ２）と、オキシラン環を有する繰り返し単位（ａ３）を含み、酸によってアルカリ溶解性が向上する樹脂、（Ｂ）光酸発生剤、（Ｃ）溶剤を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。
【効果】本発明によれば、良好なライン幅ラフネス（ＬＷＲ）とマスク忠実性（ＭＥＦ）を有し、微細パターンにおいても矩形性が高く、パターン倒れ耐性に優れたレジスト組成物を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】レジスト組成物、レジストパターン形成方法、高分子化合物、新規な化合物の提供。
【解決手段】露光により酸を発生し、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化するレジスト組成物であって、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分（Ａ）を含有し、基材成分（Ａ）は、式（ａ０−１）で表される構成単位（ａ０−１）を有する樹脂成分（Ａ１）を含有する［式中、Ｒは水素原子、炭素数１〜５のアルキル基又は炭素数１〜５のハロゲン化アルキル基］。
（もっと読む）

【課題】光酸発生剤を用いずに、特定の部分をアルカリ溶液で溶解して除去した高分子膜の提供。
【解決手段】（Ａ）窒素カチオンを有するオニウム塩と（Ｂ）アルカリ難溶性樹脂を含有する組成物を支持体の上に適用して膜を形成すること、および上記膜の表面の一部または全部に、プラズマを照射してプラズマ照射した部分をアルカリ溶液で溶解除去することを含む高分子膜の製造方法。 （もっと読む）