【課題】ネガ型パターンを形成できるレジストパターン形成方法、及びこれに用いることができ、保存安定性に優れたレジスト組成物の提供。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する基材成分と、露光により塩基を発生する光塩基発生剤成分と、酸供給成分と、フッ素原子及びケイ素原子から選ばれる少なくとも１種を含み、かつ、酸の作用により極性が増大する酸分解性基を含まない化合物（Ｆ）とを含有するレジスト組成物を、支持体上に塗布してレジスト膜を形成する工程（１）と、前記レジスト膜を露光する工程（２）と、前記工程（２）の後にベークを行う工程（３）と、前記レジスト膜をアルカリ現像し、前記レジスト膜の未露光部が溶解除去されたネガ型レジストパターンを形成する工程（４）とを含むレジストパターン形成方法、及び前記工程（１）で用いる前記レジスト組成物。

【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する基材成分と、露光により塩基を発生する光塩基発生剤成分と、酸供給成分と、フッ素原子及びケイ素原子から選ばれる少なくとも１種を含む化合物（Ｆ）とを含有するレジスト組成物を、支持体上に塗布してレジスト膜を形成する工程（１）と、
前記レジスト膜を露光する工程（２）と、
前記工程（２）の後にベークを行い、前記レジスト膜の露光部において、前記露光により前記光塩基発生剤成分から発生した塩基と、前記酸供給成分に由来する酸とを中和させ、前記レジスト膜の未露光部において、前記酸供給成分に由来する酸の作用により、前記基材成分のアルカリ現像液に対する溶解性を増大させる工程（３）と、
前記レジスト膜をアルカリ現像し、前記レジスト膜の未露光部が溶解除去されたネガ型レジストパターンを形成する工程（４）と
を含むレジストパターン形成方法における、前記工程（１）で用いられる前記レジスト組成物であって、
前記化合物（Ｆ）は、酸の作用により極性が増大する酸分解性基を含まないことを特徴とするレジスト組成物。
【請求項２】
前記化合物（Ｆ）が、下記一般式（ｆ１−１）で表される構成単位を有する重合体、又は下記一般式（ｆ１１−１）で表される化合物を含む、請求項１記載のレジスト組成物。
【化１】

［式中、Ｒは水素原子、炭素数１〜５のアルキル基、又は炭素数１〜５のハロゲン化アルキル基である。ＡはＯ又はＮＨである。Ｘ_０は単結合又は２価の連結基であり、Ｒ_０は有機基であり、Ｘ_０及びＲ_０の少なくとも一方はフッ素原子又はケイ素原子を有する。ｖは０又は１である。］
【請求項３】
酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する基材成分と、露光により塩基を発生する光塩基発生剤成分と、酸供給成分と、フッ素原子及びケイ素原子から選ばれる少なくとも１種を含み、かつ、酸の作用により極性が増大する酸分解性基を含まない化合物（Ｆ）とを含有するレジスト組成物を、支持体上に塗布してレジスト膜を形成する工程（１）と、
前記レジスト膜を露光する工程（２）と、
前記工程（２）の後にベークを行い、前記レジスト膜の露光部において、前記露光により前記光塩基発生剤成分から発生した塩基と、前記酸供給成分に由来する酸とを中和させ、前記レジスト膜の未露光部において、前記酸供給成分に由来する酸の作用により、前記基材成分のアルカリ現像液に対する溶解性を増大させる工程（３）と、
前記レジスト膜をアルカリ現像し、前記レジスト膜の未露光部が溶解除去されたネガ型レジストパターンを形成する工程（４）と
を含むレジストパターン形成方法。
【請求項４】
前記工程（２）が、液浸媒体を介して露光する工程である、請求項３記載のレジストパターン形成方法。

【図１】

【図２】

【公開番号】特開２０１３−６８８２１（Ｐ２０１３−６８８２１Ａ）
【公開日】平成２５年４月１８日（２０１３．４．１８）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−２０７７７２（Ｐ２０１１−２０７７７２）
【出願日】平成２３年９月２２日（２０１１．９．２２）
【出願人】（０００２２０２３９）東京応化工業株式会社 (1,407)
【Ｆターム（参考）】