【課題】光記録媒体の製造コストを低減することを可能にする、光記録媒体の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１上に形成された記録層２と、記録層２上に形成された光透過層３とを含む光記録媒体１０を製造する際に、Ｉｎ_２Ｏ_３ターゲット及び／又はＳｎＯ_２ターゲットと、Ｐｄターゲットとを使用して、酸素ガスと窒素ガスとを流しながら、スパッタ法により、Ｉｎ及び／又はＳｎとＰｄと酸素とを含む記録層２を形成する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】記録層が変質することなく、超解像層として用いる相変化層を結晶化することができる、追記型の超解像光学的情報記録媒体及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明にかかる光学的情報記録媒体は、第１の波長を有する第１のレーザ光が照射されることにより、情報が記録される記録層１３を備える。また、レーザ光の光源と記録層１３との間に形成され、第２の波長を有する第２のレーザ光が照射されることにより結晶化される相変化層１７を備える。さらに、記録層１３と相変化層１７との間には、第１のレーザ光に対する透過率が第２のレーザ光に対する透過率よりも高い、中間層１５を備える。 （もっと読む）

【課題】Ｉｎ−Ｃｏ系合金等の穴開け記録タイプの記録層を形成した場合でも、良好な記録特性が得られる光記録媒体を提供する。
【解決手段】基板１上に形成され、Ｉｎ−Ｃｏ系合金又はＳｎ−Ｃｏ系合金から成り、穴あけ記録により記録が行われる記録層２と、この記録層２上に形成され、タングステン酸化物から成る界面層１１と、この界面層１１上に形成された光透過層３とを含む光記録媒体１０を構成する。 （もっと読む）

【課題】製造コストの増大が抑制され、書き換え型記録と追記型記録のいずれにも使用できる光記録媒体及び光記録媒体の記録方法を提供する。
【解決手段】レーザ光Ｌの照射によりデータの記録再生が行われる光記録媒体１であって、表面にグルーブとランドが形成された基板１０と、基板１０の表面上に形成された、レーザ光Ｌの照射により可逆変化する材料からなる第１記録膜２３、及びレーザ光Ｌの照射により不可逆変化する材料からなる第２記録膜２４とを備え、第１記録膜２３はグルーブ及びランド上に形成され、第２記録膜２４はグルーブ上にのみ形成されている。 （もっと読む）

【課題】記録再生信号特性を犠牲にすることなく、経時変化による欠陥増殖を抑えることが可能な金属層光情報記録媒体を提供する。
【解決手段】支持基板１１と、記録再生レーザ光の入射側の層となる光透過保護層１３と、支持基板１１と光透過保護層１３との間に介在する複数の情報記録層１４，１６，１８とを有する。そして、レーザ光入射側の前記情報記録層１６，１８が、レーザ光の入射側から順に、相変化材料層２２と、誘電体層と、金属層２４とを備える。誘電体層は、（Ｉｎ_２Ｏ_３）_ｘ（ＳｎＯ_２）_１−ｘ、（但し、０．４＜ｘ≦０．７）、又は、（Ｉｎ_２Ｏ_３）_ｘ（ＺｒＯ_２）_１−ｘ、（但し、０．１＜ｘ≦０．５）を主成分として構成されている。 （もっと読む）

【課題】繰り返し記録耐久性に優れた光記録媒体を提供する。
【解決手段】光記録媒体は、基板と、光の照射により情報信号の記録および再生が行われる、基板上に形成された情報記録層とを備える。情報記録層は、反射層と、反射層上に形成された誘電体層と、誘電体層上に形成された記録層とを備える。誘電体層が、第１誘電体層および第２誘電体層を備え、反射層側となる第２誘電体層の熱伝導率が、記録層側となる第１誘電体層の熱伝導率比べて高く設定される。 （もっと読む）

【課題】 ナノロッド情報記録媒体及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 基板に、所定の縦横比とナノロッドパターンとを有するマスクを利用し、スパッタリング法でナノロッドによるナノロッド記録層を形成する段階を含む情報記録媒体の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】 情報記録媒体及びその記録／再生装置を提供する。
【解決手段】 反復的に光吸収率を変更させることができる材料で形成されるナノロッドを用いて反復記録が行われるように設けられる情報記録媒体。 （もっと読む）

【課題】メタマテリアルを利用することにより、極めて大きな記憶容量を備える記憶媒体、及びこれを用いた情報書き込み・読み出し方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る記憶媒体は、バインダ１２に複数の導電微粒子１１が分散されてなり負の屈折率を有するメタマテリアルにより記憶領域が構成され、外部から照射された光Ｌが前記記憶領域内で焦点Ｆ2を結び、前記焦点Ｆ2部分において誘電分極状態となった複数の前記導電微粒子１１が互いに凝集する。 （もっと読む）

【課題】ＣＶＤにより目標の組成のＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系膜を得ることができるＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系膜の成膜方法を提供すること。
【解決手段】処理容器内に基板を配置し、気体状のＧｅ原料と、気体状のＳｂ原料と、気体状のＴｅ原料とを前記処理容器内に導入してＣＶＤにより基板上にＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系膜を成膜するに際し、成膜に先立ってガスの通流経路および／または反応空間にＴｅ含有材料を形成し、その後前記処理容器内に所定流量の気体状のＧｅ原料、気体状のＳｂ原料および気体状のＴｅ原料、または気体状のＧｅ原料および気体状のＳｂ原料を導入して所定の組成のＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系膜を成膜する。 （もっと読む）